这个google的博客人气很旺，在上面贴什么文章用google很快就搜索到，我也算老博客成员了。最近我对google有点戒心，它老是无理拒绝我的申请google adsense请求，断了我的一条财路，虽然这财路也赚不了多少钱。
所以我自己用wordpress建了一个博客网站，叫http://blog.piabia.com。这个wordpress功能比google的博客还强。现在有个问题，建了1个月后我用google搜索我新建的博客网站，怎么也搜索不到。看来google的博客还是不能丢，做做广告宣传，发发热帖和热线链接还是挺用得着它的，可以起到抛砖引玉的作用。
2009年12月1日星期二
2009年10月21日星期三
2009年9月19日星期六
解决“您输入的验证码不正确，无法提交，请修改。”的问题
有点论坛好久都无法注册或登陆，总是显示“您输入的验证码不正确，无法提交，请修改。”输入几百遍了都不行，简直能把人气疯了。
今天google了一把，参考了也遇到这个问题的朋友的经验，总算进来了。在此感谢armani662000朋友，他的有一种解決方法：
只要改瀏覽器設定就好了：如下
找到這個網站 Anonymous Surfing & Free Proxy List
[url]http://proxy-list.org/en/index.php[/url]
然後进入這個Proxy網站，必須先輸入它的驗證碼才能使用
再來輸入完之後，就會跑出Proxy列表
基本上找越上面的，速度應該是越快(Latency越小越好 SSL是Y的都行 Uptime越大越好)
至於如何掛Proxy 瀏覽器裡面就有這個功能了... 統一用這個不要單獨設定
驗證碼OK登陸正常了...請立即關掉Proxy以免其他網站無法正常瀏覽或影響到。
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然後进入這個Proxy網站，必須先輸入它的驗證碼才能使用
再來輸入完之後，就會跑出Proxy列表
基本上找越上面的，速度應該是越快(Latency越小越好 SSL是Y的都行 Uptime越大越好)
至於如何掛Proxy 瀏覽器裡面就有這個功能了... 統一用這個不要單獨設定
驗證碼OK登陸正常了...請立即關掉Proxy以免其他網站無法正常瀏覽或影響到。
2009年9月14日星期一
”The directory or file cannot be created“的解决办法。
有时U盘空间还有，但是没法拷贝或建立文件夹，原因就在于用的是FAT格式，FAT格式对根目录的文件总数有限制，所以解决办法有两种：一种就是把FAT格式转化为FAT32格式；另一种办法是把根目录的文件转移到一个文件夹里。
深圳华强北十大景观（转载）
深圳的华强北——世界电子之都!我经常在华强跑来跑去，列出华强北十大景象，感受颇深!就从华强路地铁站为起点进入华强北，领略华强北十大景象，排名不分先后。
华强北十大人文景观之一：酸辣粉。
还 没出地铁站，马上迎面扑来一股藏着在汗臭里的酸味，没去过华强的朋友们还以为是华强的朋友们从都不洗澡的。接着再走几步，终于能听见有人回收拉客：“这边 有位啊，有米粉，酸辣粉，包子、馒头、水饺……”，这时你才发现地铁出口的店铺全都是卖早点、零食、奶茶的，店里黑压压座了一片人，真不知道还有座位在哪 里!那股酸臭味与地铁的豪华与进步绝对是一大鲜明对比!真不知道那股酸臭味是行人的汗臭味道还是酸辣粉的味道，不过我是绝不敢尝试那酸辣粉的。
华强北十大人文景观之二：卖发票。
走 出地铁站，迎面而来就是一拨淳朴厚实的乡下妇女模样的，黝黑的皮肤与一脸雀斑跟农村经历春种秋收的妇女一样，写着华夏五千年文明的沧桑，她们一开口就道： 发票!发票!或者也有乡音浓郁的：挖票!挖票!，再或有压韵的：票啊票!票!若你是初来乍到，你会纳闷：那是什么意思??卖发票的?卖什么发票?。殊不 知，这些乡村妇女实神通广大，只要你能想到的发票，车票，住宿票，餐饮票，电影票，高交会门票…… 只要是票，她们都能给你搞定，而且业务熟练，分工明确，甚至不满意可以退货退款，服务绝对一流与周到!当然票也会有真票和假票，要买的朋友还真需要慧眼识 真了。
华强北十大人文景观之三：198元手机。
穿过发票区，来到华强电子世界门口，刚要过马路，就被身后店铺的战斗数值 高达好几百万的高分贝音响镇住!“198元NOKIA 彩屏，双卡双待，摄像，拍照，手写手机了啊，华强最低价了啊，最后5台，最后5台!走过路过不买就会错过了哈”。只见一帅男手拿麦克风，表情夸张堪比候 总，旁边不时比个漂亮MM抛来几个摄魂的媚眼，NOKIA哎!198哎!美女哎!媚眼哎!穿着3点哎!扭屁股哎…… 不好意思，太进入状态了，不能往下说了。心动了?买了?不好意思了!你上当了!太低估华强的实力了，别说198，就是98都能给你搞一台NOKIA手机， 你可千万别问那手机是不是真货哈，我怕被雷到!每天过来看远远是5台，永远是198，就纳闷了，为什么这5台手机就那么难卖呢?
华强北十大人文景观之四：过马路。
当 你想从华强路地铁站靠华强电子世界过到赛格广场那边的时，那绝对不是过一般的马路!必须发挥我们的聪明和才智，努力和汗水的。是龙你得盘着，是虎你得撅 着。新来的朋友可能会问，过个马路有什么问题?红灯停，绿灯行，我隔壁邻居的奶奶的外甥女她男朋友的姑父的表弟的上幼儿园的孩子都知道的常识。这条路有红 绿灯，而是那个灯永远是摆设，公交大巴、私家车盘踞路中，还不时往前突突的挪几步，行人见缝插针，在两车见仅有的20公分的间隙挤过，如有007大电影的 片段，谁都敢与惊险和汽车坐战斗!好不容易过来了，回头看那条宽10米的马路，不禁感叹，这条路真宽啊!
华强北十大人文景观之五：电脑要不。
你 继续往前走，这时，会有一个把衬衫扎在西裤里的年轻人背一个黑色的公文包，在走过你身边，与你擦肩而过时，突然压低声音，神秘兮兮地对你说：要笔记本不? 你还没回过神来，但见他刷拉一声，拉开包包，里面一台IBM或者联想的本本.你随口问多少钱，他会当场报一个绝对令你心动的价格!当然了，他还兼职代理各 种品牌的手机，只要你能想到的，市面上有的，他都有! 好吧，你总算没有立马掏钱买了那台笔记本，虽然你还有些想回头去喊他，但是还没等你喊出口，至少会有叁个人走上前来，热情的对你说，要DVD不?DVD, 软件，影碟!啊!对了，还有丁度巴拉斯的精美封装的专辑，绝对珍藏版!价格好说，有兴趣可以上楼去看看货!你终于按捺不住好奇，跟着那人七拐八拐，来到旁 边楼上某个小房间，你将会愕然发现，里面已经有好多人在满地挑选了，如同菜市场一般，以为早行人，更有行人早!你挑完自己苦寻多年欲购而不得的碟片，揣在 怀里如同做贼一样走出房间，来到街上继续你的行程。
华强北十大人文景观之六：少林功夫，二泉音乐，脚上书法……。
来到宝 华大厦前面，不远处看到一群人围成一个圈，十分有规律，好比党组织的活动一样，有模有样。好不容易挤进去，探着脑袋，看见一个武僧打扮的和尚双手抱拳：各 位路过的施主，小僧路过贵宝地，借地化缘，各位有钱的捧个钱场，没钱的捧个人场!接着一个铁头功，一个青岛啤酒的玻璃瓶往脑袋上砸去，顿时开了花，掌声经 久不衰啊!可我心里在想，为什么每次看到的都是青岛啤酒，每天都换一个和尚，莫非化缘还要将地盘排队?这是听见身后传来一阵悦耳的二胡声，对于我这个音乐 盲来说，哪二胡算是很动听的了，因为我不懂，人为只要拉的响就是艺术了!仔细一看哪拉二胡的，怎么不见头!妈的，还以为遇到鬼了，仔细打量才知道那人的头 部基本没孔了，眼睛、耳朵、鼻子、嘴巴基本都不见了，只见个肉球，或许是被火烧的吧。不敢细看，怕做噩梦，一转身，这边风景独好啊!一无臂青年，手夹毛 笔，哦，对了，应该是脚夹毛笔，在地上挥毫泼墨，可我愣是没看明白写的是什么字!
华强北十大人文景观之七：蛮腰热舞。
身材火辣的 叁星MM露出妩媚的小蛮腰跳着热舞，向你兜售它们的那些什么电脑或者什么相机之类，各个手机品牌店门口巨大的音响，让整条街道好象变成了一个巨大的迪厅， 无论走哪儿都是咚!咚!的低音炮的轰鸣声，震的你心里发慌.别介!这里是整个亚洲最大的电子市场，在赛格，每日电子产品的成交额，全亚洲，无出其右者，关 外的工厂日夜不停的生产，组装，在这里，你能买到全中国最便宜的电子产品，要多便宜又多便宜。便宜后面经常跟一个词组成一个俗语我就不说了。你会发现，原 来所谓的大品牌也能玩色情和低俗，哦，他们的叫法叫艺术和美!
华强北十大人文景观之八：银行排队。
绕过巨大场面的演出， 如果你要在华强取钱，那你真正的麻烦来了。远看一条长长的队伍慢慢挪动，不看到最尽头的ATM终端机你绝对会以为你有钱发!那个壮观那!怎么也得有几十号 人吧，什么几十号?那是凌晨时候，平时怎么也得上百号人，高峰时期两叁百都是少的，而且取钱者大多手拿黑色塑料袋，都是一打一打的取，你要只是取个几百块 还真不好意思跟人打招唿。心里犯嘀咕啊，华强的地主老财怎么就那么有钱呢?
华强北十大人文景观之九：地贴广告。
咱没没法 跟地主老财比啊，不仅低下头表示下悲哀和气氛。此时，必有一道特别亮丽的风景呈现在你眼前!地上一片一片的是五花八门的地贴，没平方米的数量在20个以上 远看还真以为是地上在做地面彩绘呢，什么信用卡套什么现、办证、侦探、讨债一应俱全!其实，只要肯花钱，除了杀人放火，什么偷个机密、套个牌照、拉80岁 老奶奶过马路，欺负五年级以下的小同学的事情他们都能帮你办到的，哈哈!此刻正真明白什么叫寸土寸金了!
华强北十大人文景观之十：手机窃听器。
同 样是一拨中年妇女，也有中年男人，个个民工村妇打扮，左手捏着个牌，上面写着什么“手机*听器”，右手不断招唿路人。奇怪了吧，什么叫手机*听器啊?仔细 点，再仔细看下，塬来他大拇指按着一个字呢。塬来写的是手机窃听器，不寒而栗啊，这不是很恐怖!手机都能窃听，其实他能帮你的不止有手机窃听，还有偷拍、 监视、作弊，跟窃字能扯上关系的他们都能帮你搞定!他们的设备绝对是“居家旅行，窃听偷拍，杀人灭口……必备良器”。嗬嗬
华强北十大人文景观之一：酸辣粉。
还 没出地铁站，马上迎面扑来一股藏着在汗臭里的酸味，没去过华强的朋友们还以为是华强的朋友们从都不洗澡的。接着再走几步，终于能听见有人回收拉客：“这边 有位啊，有米粉，酸辣粉，包子、馒头、水饺……”，这时你才发现地铁出口的店铺全都是卖早点、零食、奶茶的，店里黑压压座了一片人，真不知道还有座位在哪 里!那股酸臭味与地铁的豪华与进步绝对是一大鲜明对比!真不知道那股酸臭味是行人的汗臭味道还是酸辣粉的味道，不过我是绝不敢尝试那酸辣粉的。
华强北十大人文景观之二：卖发票。
走 出地铁站，迎面而来就是一拨淳朴厚实的乡下妇女模样的，黝黑的皮肤与一脸雀斑跟农村经历春种秋收的妇女一样，写着华夏五千年文明的沧桑，她们一开口就道： 发票!发票!或者也有乡音浓郁的：挖票!挖票!，再或有压韵的：票啊票!票!若你是初来乍到，你会纳闷：那是什么意思??卖发票的?卖什么发票?。殊不 知，这些乡村妇女实神通广大，只要你能想到的发票，车票，住宿票，餐饮票，电影票，高交会门票…… 只要是票，她们都能给你搞定，而且业务熟练，分工明确，甚至不满意可以退货退款，服务绝对一流与周到!当然票也会有真票和假票，要买的朋友还真需要慧眼识 真了。
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华强北十大人文景观之四：过马路。
当 你想从华强路地铁站靠华强电子世界过到赛格广场那边的时，那绝对不是过一般的马路!必须发挥我们的聪明和才智，努力和汗水的。是龙你得盘着，是虎你得撅 着。新来的朋友可能会问，过个马路有什么问题?红灯停，绿灯行，我隔壁邻居的奶奶的外甥女她男朋友的姑父的表弟的上幼儿园的孩子都知道的常识。这条路有红 绿灯，而是那个灯永远是摆设，公交大巴、私家车盘踞路中，还不时往前突突的挪几步，行人见缝插针，在两车见仅有的20公分的间隙挤过，如有007大电影的 片段，谁都敢与惊险和汽车坐战斗!好不容易过来了，回头看那条宽10米的马路，不禁感叹，这条路真宽啊!
华强北十大人文景观之五：电脑要不。
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2009年9月9日星期三
痔疮介绍
人体直肠末端粘膜下和肛管皮肤下静脉丛发生扩张和屈曲所形成的柔软静脉团，称为痔，又名痔疮、痔核、痔病、痔疾等。在祖国医学中，对痔的含义论述较多，如 《说文解字》中说：“后病也。”《增韵》中说：“隐疮也。”从字义来解释，痔与峙同义，即高突的意思。如《医学纲目》中说：“肠澼为痔，如大泽之中有小山 突出为痔[峙]，人于九窍中，凡有小肉突出皆曰痔。”《奇效良方·肠澼痔漏门》中还说：“痔于肛门生窟，或在外面或在内，有似鼠乳者，有似樱桃者，其形不 一;其病有痛有痒，有硬有软，……有肿痛便难者，有随大便下清血不止者，有穿窍血出如线者。”说明了痔是肛门内外小肉突起的赘物，其形不一，其证各异。 痔疮是人类特有的常见病、多发病。据有关普查资料表明，肛门直肠疾病的发病率为59.1%，痔占所有肛肠疾病中的87.25%，而其中又以内痔最为常见， 占所有肛肠疾病的52.19%。男女均可得病，女性的发病率为67%，男性的发病率为53.9%;任何年龄都可发病，其中20-40岁的人较为多见，并随 着年龄的增长而逐渐加重，故有“十人九痔”之说。英、美等国的学者称痔为Hemorrhoids或Piles，前者是以出血为临床特征命名的，后者是从痔 的外形似球而命名的，泛指内外痔。目前，英国学者多称痔为Piles，美国学者则称为Hemorrhoids。
医学所指痔疮包括内痔、外痔、混合痔，是肛门直肠底部及肛门粘膜的静脉丛发生曲张而形成的一个 或多个柔软的静脉团的一种慢性疾病。通常当排便时持续用力，造成此处静脉内压力反复升高，静脉就会肿大。妇女在妊娠期，由于盆腔静脉受压迫，妨碍血液循环 常会发生痔疮，许多肥胖的人也会罹患痔疮。如果患有痔疮，肛门内肿大扭曲的静脉壁就会变得很薄，因此排便时极易破裂。内痔是长在肛门管起始处的痔，如果膨 胀的静脉位于更下方，几乎是在肛管口上，这种曲张的静脉就叫外痔。外痔有时会脱出或突现于肛管口外。但这种情形只有在排便时才会发生，排便后它又会缩回原 来的位置。无论内痔还是外痔，都可能发生血栓。在发生血栓时，痔中的血液凝结成块，从而引起疼痛。
痔疮形成原因
一、解剖学原因：人在站立或坐位时，肛门直肠位于下部，由于重力和脏器的压迫，静脉向上回流颇受障碍。直肠静脉及其分枝缺乏静脉瓣，血液不易回流，容易 瘀积。其血管排列特殊，在不同高度穿过肌层，容易受粪块压迫，影响血液回流。静脉又经过粘膜下层的疏松组织，周围缺乏支架固定，容易扩张屈曲。二、遗传关系：静脉壁先天性薄弱，抗力减低，不能耐受血管内压力，因而逐渐扩张。
三、职业关系：人久站或久坐，长期负重运行，影响静脉回流，使盆腔内血流缓慢和腹内脏器充血， 引起痔静脉过度充盈，静脉壁张力下降，血管容易瘀血扩张。又因运动不足，肠蠕动减少，粪便下行迟缓，或习惯性便秘，可以压迫和刺激静脉，使局部充血和血液 回流障碍，引起痔静脉内压力升高，静脉壁抵抗力降低。
四、局部刺激和饮食不节：肛门部受冷、受热、便秘、腹泻、过量饮酒和多吃辛辣食物，都可刺激肛门和直肠，使痔静脉丛充血，影响静脉血液回流，以致静脉壁抵抗力下降。
五、肛门静脉压力增高：因肝硬变，肝充血和心脏功能代偿不全等，均可使肛门静脉充血，压力增高，影响直肠静脉血液回流。
六、腹内压力增加：因腹内肿瘤、子宫肿瘤、卵巢肿瘤、前列腺肥大、妊娠、饮食过饱或蹲厕过久等，都可使腹内压增加，妨碍静脉的血液回流。
七、肛门部感染：痔静脉丛先因急慢性感染发炎，静脉壁弹性组织逐渐纤维化而变弱，抵抗力不足，而致扩大曲张，加上其它原因，使静脉曲张逐渐加重，生成痔块。
八，从本质上讲，痔疮是由于人类直立后，低于心脏的静脉血不能克服地心的引力淤积在痔静脉。
痔疮的症状
怎么知道自己得了痔疮（1）便时出血，特点是无痛，血色鲜红，便时出现。出血量一般不大，但有时也可较大量出血。便后出血自行停止。便秘粪便干硬、饮酒及进食刺激性食物等是出血的诱因。
（2）痔块脱出 痔发展到一定程度即能脱出肛门外，痔块由小变大，由可以自行回复变为须用手推回肛门内。
（3）疼痛 肛门沉重、疼痛，常与排便不尽感觉同时存在。痔块脱出嵌顿，出现水肿、感染时，局部疼痛剧烈。
（4）痛痒 肛门周围痛痒，甚至皮肤湿疹，常使患者极为难受。
所以，一旦有了如上症状，就要考虑是不是得了痔疮。
痔疮诊断
根据病史和肛门物理检查，肛管直肠指检和肛门镜检，参照痔的分类作出诊断。如不能确诊应进一步检查，以除外结、直肠、肛管的良、恶性肿瘤及炎性疾病。
大便时看到流血、滴血或者粪便中带有血液或脓血，多数是由痔疮引起的;肛裂的出血呈鲜红色，伴 有肛门剧痛;大便带血，血色暗红或大便色黑暗，那是消化道出血所致。排便时有肿物脱出肛门，伴有肛门潮湿或有粘液，多数是由内痔脱出或直肠粘膜脱出;如果 肛门有肿块，疼痛激烈，肿块表面色暗，呈圆形，可能是患了血栓性外痔;肛门肿块伴局部发热疼痛，是肛周脓肿的症状;触诊肛门有条索装物，并有少量脓液自溃 口出，是肛瘘的表现。
内痔,外痔的区别参考
内痔是指在齿线以上发生的痔，表面为粘膜，主要表现为程度不等的出血，一般无疼痛，但有血栓形 成成嵌顿时则有剧烈疼痛；外痔是指在齿线以下发生的痔，表面为皮肤，主要有结缔组织性、静脉曲张性、血栓性、炎性四种，皮肤不发生破溃时无出血。前两种一 般无明显不适，后两种则有明显疼痛。
分类与分期
痔疮发病原因颇多，久坐、久站、劳累等使人体长时间处于一种固定体位，从而影响血液循环，使盆腔内血流缓慢和腹内脏器充血，引起痔静脉过度充盈、曲张、 隆起、静脉壁张力下降而引起痔疮是发病的重要原因之一。若运动不足，肠蠕动减慢，粪便下行迟缓或因习惯性便秘，从而压迫静脉，使局部充血和血液回流障碍， 引起痔静脉内压升高，静脉壁抵抗力降低，也可导致痔疮发病率增高。据临床观察及统计普查结果分析，不同职业患者中的患病率有显著差异，临床上机关干部、汽 车司机、售货员、教师的患病率明显较高。痔核位于肛门里面黏膜的称为「内痔」，位于肛门口内侧附近称为「外痔」,二者都有的称为「混合痔」。痔疮的症状是患处作痛、便血、严重时，痔块会凸出肛门外(脱垂)，排便后才缩回。
根据痔疮的症状以及对人体健康的危害程度不同，内痔可分为三期：
Ⅰ期，无痛苦，主要以便血、分泌物多、痒为主;Ⅱ期，有便血，痔随排便脱垂，但能自行还纳;Ⅲ期(又称为晚期)，内痔脱垂于肛门口外，或每次排便脱出肛门口外，不能自行还纳，必须用手托回。Ⅳ期，内痔脱出肛门无法回纳到肛门的里面。这种是内痔中最严重的病症。
痔疮轻者给人的正常生活带来不便;重者影响健康。如便血日久，可致不同程度的贫血，甚至出血性休克，危及生命;痔疮坏死、感染严重时，可经过血液系统引起全身感染，后果严重。因此，患了痔疮，要积极应对。
痔疮较严重者会导致或诱发心脑血管疾病，尤其是老年性患者，如 患痔疮产生心理压力，不敢上厕所，长此下去会加重便秘，当排便发生困难时，患者用力屏气，可使心跳加快造成脑血管破裂，引起脑出血或脑栓塞；如果出现内痔 嵌顿，疼痛还可诱发心绞痛发作；如有血栓形成，可引发肺栓塞。
痔疮分型
血管肿型：内痔表面粘膜粗糙且柔软，色暗红或朱红色，触之易出血，此型以出血为主要症状。
静脉曲张型：内痔表面较坚硬，带光泽，色暗红或青紫，痔体内为曲张的痔静脉和增生的结缔。
纤维化型：内痔表面坚硬，富有弹性，痔体表面略有白色纤维组织增生，易脱出，不易出血。
血栓外痔：主要发病特点为起病突然，疼痛剧烈，坠胀不适感明显，偶有全身症状。局部检查可见肛旁隆起肿物，可触及皮下硬而滑的包块，触痛明显。
炎性外痔：常由肛缘皮肤损伤和感染引起，多有肛门疼痛，在排便时疼痛加重，便血，肛门部有少量分泌物。局部检查肛旁隆起的肿物，色红，充血明显，有触痛，有时可伴有全身不适和发热。
静脉曲张型外痔：肛门缘隆起成椭圆形，触之柔软，不痛，在大便用力时可见暗紫色肿块，排便后或休息后体积可缩小，是皮下静脉曲张引起，亦为晚期内痔发展而致。一般只感肿胀不适，排粪时加重，发炎时才有疼痛症状。
结缔组织型外痔或皮赘外痔：系肛门缘皮肤皱襞变大，结缔组织增生、形成许多大小不等、形状不一的皮赘。
内痔，外痔，混合痔的区别
内痔发生在肛管齿状线以上，内痔一般不痛，以便血、痔核脱出为主要症状，严重时会喷血、痔核脱 出后不能自行还纳，还有大便困难、便后擦不干净、有坠胀感等。根据内痔病变程度和临床表现又可分为三期：一期内痔排便时带血，无脱垂，齿线上粘膜呈结节状 隆起；二期内痔便时带血、滴血或射血、痔核脱出，便后可自行还纳；三期内痔排便时或咳嗽、劳累、负重引起腹压增加时，均发生内痔脱出，并需用手还纳。
外痔位于齿线以下，以疼痛、肿块为主要症状，肛门周围长有大小不等、形状不一的皮赘。根据其病 理特点不同，又可分静脉曲张性、结缔组织性、血栓性及炎性四种。其中以炎性外痔最多见，主要表现为肛缘皮肤皱襞突起，红肿热痛、水肿、充血明显，有压痛， 排便时疼痛加重，并有少量分泌物，有的可伴有全身不适和发热。
混合痔兼有内外痔双重特征，临床以直肠粘膜及皮肤脱出、坠胀、疼痛、反复感染为主要症状。
痔疮危害
痔疮最主要的症状是便血和脱出，大便时反复多次地出血，会使体内丢失大量的铁，引起缺铁性贫血。这是因为在正常情况下铁的吸收和排泄保持平衡状态，铁的 丧失量很微小，正常成年男子每日铁的丧失量不超过2毫克，而便血的患者，若每日失血量超过6～8毫升则丢失铁3～4毫克以上。正常人体男性含铁总量为50 毫克/每公斤体重，女性约为35毫克/每公斤体重，若长期便血，丢失大量的铁，使体内含铁总量低于正常，能引起缺铁性贫血。因痔疮失血而导致的缺铁性贫血，一般发展缓慢，早期可以没有症状或症状轻微，贫血较重或进展较 快时，则会出现面色苍白、倦怠乏力、食欲不振、心悸、心率加快和体力活动后气促、浮肿等，一些患者可出现神经系统症状如易激动、兴奋、烦躁等，有人认为是 细胞内含铁酶缺乏所致。以上这些症状均可通过纠正贫血、治疗痔疮后消失。因此若发现患有痔疮，应尽早治疗，以免出现上述症状，使治疗复杂化。
痔疮的另一个主要症状是内痔脱出。脱出于肛门外的内痔，受到括约肌的夹持，静脉回流受阻，而动 脉血仍不断输入使痔核体积增大，直至动脉血管被压闭，血栓形成，出现痔核变硬、疼痛，难以送回肛门内。传统的看法称“绞窄性内痔”。但临床所见外痔，形成 血栓的更多见，故多伴有疼痛，当痔核脱出不能送回时，亦称为“嵌顿痔”。长时间的痔核嵌顿，还会出现下列病理改变：
(1) 坏死：痔核嵌顿于肛门外，由于一系列的病理改变，使局部代谢产物积聚，进一步加重了肛门局部水肿，加重了痔核的嵌顿，这是一种恶性循环。所以内痔嵌顿日 久，必然出现坏死。此时的坏死常局限在痔核的粘膜部分，但亦有侵犯人体其它部分的情况。国外曾有报道：痔核内的血栓向上扩散，坏死区扩展到直肠壁，结果在 盆腔内引起严重的脓血症。此种情况虽属少见，但必须引起临床医生的高度重视。
(2) 感染：痔核嵌顿后，多有不同程度的感染，病人出现里急后重、肛门坠胀感明显等症状，此时感染多局限在肛门局部，如果强力复位，容易使感染扩散，引起粘膜 下，肛周或坐骨直肠窝脓肿，若脱落的带菌栓子沿静脉上行，加上抗生素使用不当或未用任何抗菌药物，则会形成门静脉菌血症甚至脓毒血症，亦可形成肝脓肿。国 外曾有报道因痔核嵌顿伴发的致死性门静脉败血症。
总之，痔疮对人体有诸多危害，应引起广大临床工作者的重视，认真对待每一个痔疮患者。痔疮患者也不必过于紧张，只要能够早期治疗和适当处理，均可避免以上严重合并症的发生。
痔疮预防
痔疮的发病率很高，痔疮患者经手术治疗或其它疗法治疗后，复发率亦较高。究其原因，除治疗不彻底外，不注意预防痔疮的发生，也是重要的因素，预防痔疮的发生，主要有以下几个方面：(1) 加强锻炼：经常参加多种体育活动如广播体操、太极拳、气功、踢毽子等，能够增强机体的抗病能力，减少疾病发生的可能,对于痔疮也有一定的预防作用。这是因 为体育锻炼有益于血液循环，可以调和人体气血，促进胃肠蠕动，改善盆腔充血，防止大便秘结，预防痔疮。另一方面可以用自我按摩的方法改善肛门局部血液循 环。方法有两种：一种是临睡前用手自我按摩尾骨尖的长强穴，每次约5分钟，可以疏通经络，改善肛门血液循环;另一种方法是用意念，有意识地向上收缩肛门， 早晚各1次，每次做30次，这是一种内按摩的方法，有运化瘀血，锻炼肛门括约肌，升提中气的作用。经常运用，可以改善痔静脉回流，对于痔疮的预防和自我治 疗均有一定的作用。
(2) 预防便秘：正常人每日大便1次，大便时间有早、中、晚饭后的不同习惯。正常排出的大便是成形软便，不干不稀，排便时不感到排便困难，便后有轻松舒适的感 觉，这表明胃肠功能良好。如果大便秘结坚硬，不仅排便困难，而且由于粪便堆积肠腔，肛门直肠血管内压力增高，血液回流障碍而使痔静脉丛曲张形成痔疮。为防 止大便秘结，应注意以下几点：
①合理调配饮食。既可以增加食欲，纠正便秘改善胃肠功能，也可以养成定时排便的习惯。日常饮食中可多选用蔬菜、水果、豆类等含维生素和纤维素较多的饮食，少含辛辣刺激性的食物,如辣椒、芥末、姜及酒等。
②养成定时排便的习惯。健康人直肠内通常没有粪便，随晨起起床引起的直立反射，早餐引起的胃、 结肠反射，结肠可产生强烈的“集团蠕动”，将粪便推入直肠，直肠内粪便蓄积到一定量，便产生便意。所以最好能养成每天早晨定时排便的习惯，这对于预防痔疮 的发生，有着极重要的作用。有人认为晨起喝1杯凉开水能刺激胃肠运动，预防便秘。另外，晨起参加多种体育活动,如跑步、做操、打太极拳等都可以预防便秘。 当有便意时不要忍着不去大便，因为久忍大便可以引起习惯性便秘。排便时蹲厕时间过长，或看报纸、或过分用力，这些都是不良的排便习惯，应予纠正。
③选择正确治疗便秘的方法。对于一般的便秘病人，可以采用合理调配饮食,养成定时排便的习惯加 以纠正。对于顽固性便秘或由于某种疾病引起的便秘，应尽早到医院诊治，切不可长期服用泻药或长期灌肠。因长期服用泻药不仅可以使直肠血管充血扩张，还可以 导致胃肠功能紊乱。长期灌肠，会使直肠粘膜感觉迟钝，排便反射迟钝，加重便秘，反而有利于痔疮的发生。因此若患有顽固性便秘须在有经验的专科医师指导下正 确治疗。
(3) 注意孕期保健：妇女妊娠后可致腹压增高，特别是妊娠后期，下腔静脉受日益膨大的子宫压迫，直接影响痔静脉的回流，容易诱发痔疮，此种情况在胎位不正时尤为 明显。因此怀孕期间应定时去医院复查，遇到胎位不正时，应及时纠正，不仅有益于孕期保健，对于预防痔疮及其他肛门疾病，也有一定的益处。另外怀孕妇女一般 活动量相对减少，引起胃肠功能减弱，粪便停留于肠腔，粪便中的水分被重吸收，引起大便干燥，诱发痔疮。因此怀孕期间应适当增加活动。避免久站、久坐，并注 意保持大便的通畅，每次大便后用温水熏洗肛门局部，改善肛门局部血液循环，对于预防痔疮是十分有益的。
(4) 保持肛门周围清洁：肛门、直肠、乙状结肠是贮存和排泄粪便的地方，粪便中含有许多细菌，肛门周围很容易受到这些细菌的污染，诱发肛门周围汗腺、皮脂腺感 染，而生疮疖、脓肿。女性阴道与肛门相邻，阴道分泌物较多，可刺激肛门皮肤，诱发痔疮。因此，应经常保持肛门周围的清洁，每日温水熏洗，勤换内裤，可起到 预防痔疮的作用。
(5) 其它：腹压增高，可以使痔静脉回流受阻，引起痔疮。临床上引起腹压增高的疾病很多，如腹腔肿瘤压迫腹腔内血管，可以使痔静脉回流受阻,引起痔疮。肝硬变引 起的门静脉高压症，可致肛门直肠血管扩张，而引起痔疮，此时应首先治疗肝硬变。不应急于治疗痔疮，因为肝硬变缓解后痔疮症状是可以改善的。
预防痔疮的方法很多，只要注意在日常生活中认真去做，不仅可以预防和减少痔疮的发生，对于已经患有痔疮的病人，也可以使其症状减轻，减少和防止痔疮的发作。
痔疮预防最好的四种方法
有的人总是认为自己没有患上痔疮。其实，一期痔疮有点儿感觉不到(大多为内痔)，二期痔疮有点 儿感觉也不理会，到了三期，患者又总以为不挡吃喝，不妨碍工作，再加上面子问题(特别是女同志)，不愿到医院去治疗。万不得已到医院治疗的，已是影响正常 生活较为严重的痔疮患者。
诱发痔疮的原因很多，但经临床证明，最为突出的就是每次排便时间较长。超过3分钟的蹲厕时间，就能导致痔疮的形成，轻重也由时间长短决定。所以，蹲厕时间较长的人，大部分是大便干燥者，应尽早调节饮食或进行药物治疗，养成按时排便的习惯。
蹲厕时间过长，可直接导致直肠静脉曲张，瘀血就会形成静脉团(医学称为痔疮)。有的人蹲厕排便时爱看报纸，不卫生不说，若看到情节精彩之处，便排空了也不起来，长此以往自然会使直肠静脉长时间受到挤压，诱发痔疮。
目前，痔疮的最佳预防办法是：
(1)每次排便超过3分钟的，应逐步控制在3分钟以内(若控制在1分钟以内，一二期痔疮可自行康复)。
(2)司机、孕妇和坐班人员在每天上午和下午各做10次提肛动作。
(3)习惯性大便干燥者，在每天晚饭后(隔一小时)生吃白菜心三至五两。
(4)便后不能及时洗浴的，蹲厕起身前，可用较柔软的多层(2×4厘米)卫生纸夹在肛门处(半小时后取出即可)。这样，在走路运动时，能使直肠静脉迅速活跃还原，正常回流。
以上四点方法，如能结合预防，是远离痔疮的最佳捷径。
一位从事性病医生发现，肛交的性病患者肛门十分光滑，没有痔疮。后来建议痔疮病人在解完大便后，清洗肛门，再用手指醮上润滑油，例如食用油，插入肛门，来回插入1分钟，5---10次后痔疮消失。
痔疮七忌
忌饮酒 饮酒可使痔静脉充血、扩张，痔核肿胀。忌辛辣 痔疮患者如果嗜食刺激性强的辛辣食物，如辣椒、大蒜、生姜等，可促使痔疮充血，从而加剧疼痛。
忌饱食 暴饮暴食、进食过饱，会加大痔疮的发病程度。
忌久坐 久坐不运动，会使腰、臀部的血液循环受到障碍，而加重痔疮的病情。
忌紧腰 过紧束缚腰部，会妨碍腹腔及肛门的血液回流，影响肠的正常蠕动，给排便带来痛苦。
忌憋便 粪便在肠道里滞留的时间长了，水分被过多吸收便会干硬，造成患者排便困难、腹压增加、痔裂出血。
忌讳疾 痔疮患者不能因为部位特殊而不好意思就医，或者认为是小毛病而不予重视，导致病情严重给尽快治愈带来难度。
痔疮治疗常见误解
痔疮发病率达70%-80%。民间有“十人九痔”之说。然而，对此常见症，人们往往还有许多误解。1.一次注射，永不复发
这是一些不负责的广告词中经常出现的，说的是采用内痔硬化剂注射治疗，不会再复发。事实并非如此，内痔硬化注射疗法，有时可止血半年，但永不复发却是骗人之说。
2.十人九痔，无需去治
这种观点是错误的。无需治疗是指没有表现出症状的痔疮，而一旦有了出血、脱出、疼痛等症状，却拖延不治，只能加重自身痛苦，也给健康造成危害。
3.痔疮会发生癌变
这种说法使一些痔疮患者扰心忡忡。其实，现代医学至今尚末证实痔疮有癌变的可能，不必为此忧虑。不过，直肠癌的早期症状往往与痔疮相似，有时会导致直肠癌误诊，延误治疗时机，应引起注意。
4.痔疮手术可致大便失禁
手术治疗痔疮，若医生处理不当，手术时损伤肛门括约肌可导致大便失禁，此属于医疗事故。但只要方法正确，不会导致大便失禁。
5.痔疮好复发，手术也没用
不对。痔疮虽然是一种复发率较高的疾病，但绝不是不需要手术。有些痔疮症状严重，治疗困难，只有通过手术才能达到临床治愈，而且只要注意术后保健，便可防止复发。
6.冷冻治疗好，应首选
现代冷冻技术治疗痔疮确实为痔疮开辟了一条新的途径，而且疗效较好。但冷冻治疗只适于内痔，而且术后因组织坏死，有时导致大出血。因此，是否选择冷冻治疗应根据病情而定，最新的方法未必是最好的方法。
7.甲鱼可治疗痔疮
对于静脉曲张性混合痔，或出血性内痔，吃甲鱼有一定疗效，但对于结缔组织性外痔，吃甲鱼则毫无作用。
痔疮传统疗法为何容易复发
痔疮是生长在人体排泄口——肛门的一种疾病，它的生长、发展与人们的生活习惯、工作学习环境、 行走劳累、饮食睡眠有很大关系。俗话说“十人九痔”，实际上严格来说当为“十人十痔”。人的一生中，只要您正常的生活，不可能在肛门部不产生一丝一毫的静 脉淤积以及曲张，除非排泄物不经过肛门。因此，可以说，人人都会有或轻或重的肛门疾病。所谓无痔疮，只不过是无症状而已。有鉴于此，任何其他传统疗法都只 能是减轻或使症状消失，使局部组织尽可能恢复原状或病理改变消失，决不能因此就使肛门直肠下端、肛管、肛门缘静脉丛不再发生淤积、弯曲、曲张成静脉团块， 最终导致痔疮复发。可见，痔疮其他传统疗法复发是不可避免的，但会有轻重、时间长短的区别。
痔疮传统治疗方法
手术疗法久治不愈或已形成较大的混合痔或花环痔者，应手术治疗。目的是摘除痔核或用缝扎等机械方法使之 栓塞或萎陷。电凝或激光照射也很有效。外痔急性血栓形成,则需立即切开，取出血块,一般外痔多无需特殊治疗。近年来出现了一种治疗痔疮的新技术——痔上黏 膜环切术，又称PPH手术。其理论根据主要是基于对痔疮发病机制的新认识。PPH手术是用一种称为“PPH吻合器”的特殊器械，将痔上方的直肠黏膜脱垂带 做环形切除。手术时先扩开肛门，于齿状线(直肠与肛管的交界线)上方约4厘米处将直肠黏膜环形缝合一圈，然后将PPH吻合器插入肛门，结扎缝线后击发吻合 器，即可将脱垂的黏膜带切除下来。这种手术整个过程只需半小时左右。由于齿状线以上的直肠黏膜受内脏神经支配，手术后患者几乎没有疼痛的感觉;又由于手术 既切除了直肠黏膜脱垂带，又阻断了直肠末端动静脉的终末吻合支，消除了痔疮发生的根源，所以效果比较理想。对一些用传统疗法十分棘手的痔，如混合痔、环状 痔、严重痔脱垂、脱肛等，PPH手术也具有很好的疗效。此外，PPH手术有一个缺点，就是费用比较昂贵。这主要是因为PPH吻合器在国内还不能生产，目前 完全依赖进口。
内服药、外用药及贴药疗法
内服药、外用药及贴药保守治疗能改善症状，不但见效慢，并且很难消除病灶，不彻底。长期用药花费高，对身体有副作用。
痔消素等中药调理无副作用见效比较快可以从根本上治疗. 联邦痔消是非手术治疗患者的首选。
超低温、超高温疗法
液氮冷冻、激光、微波、电子(包括低频、射频、电容场、电离子透入以及电动振荡)等各种治疗仪 器，其治疗原理是利用超低温或超高温产生冷或热效应，振荡电离子透入生物物理效应、电场电容效应等，从而起到使病灶组织蛋白凝固、血管栓塞封闭、电灼电凝 止血、切割、组织变性、坏死脱落或硬化萎缩等治疗目的，仍属于硬化和枯痔疗法类型重复再现，同手术疗法结果是相似的。
结扎、套扎疗法
会使肛门部血液循环受阻，易产生淤血水肿、疼痛、排便困难等。
注射疗法
目前国内外好多采用注射疗法，既将药物注入痔核内治疗痔疮的方法。临床通常使用的注射剂主要有 硬化萎缩剂和枯痔坏死脱落剂两种。硬化剂适用于各期内痔，目前临床上比较常用，但药物引起的无菌性炎性反应消失后，纤维化收缩和挤压作用逐渐缓和，痔核易 复发。如注射部位过浅，则易引起粘膜溃烂粘膜脓肿，过深易引起荃层组织发生硬化，药量过大，可引起坏死大出血，药液渗入齿线外可引起肛门剧烈疼痛、水肿或 血栓形成;坏死剂用量过大常可引起术后坏死性大出血或感染坏死面形成溃疡，特别是广泛的组织坏死或感染，不但治疗时间长，而且瘢痕收缩可造成肛门狭窄后遗 症。
传统中医的涂红枯痔、枯痔钉疗法
由于毒副作用反应大、病人痛苦较大、疗程较长，现在临床很少采用。内痔枯痔注射疗法即使在此基础上改进而已，故此硬化和枯痔疗法不是理想的疗法。
【痔疮的微创治疗】
美国强生微创痔疮手术（PPH）又称吻合器痔上黏膜环切术，是建立在肛 垫学说基础上的，运用吻合器治疗环状 脱垂痔的新技术。强生医疗器材有限公司爱惜康内镜外科部与意大利学者Dr.Antonio longo合作，于1993年成功研制了一种专门用于治疗Ⅱ-Ⅳ度重痔、不破坏肛垫正常生理功能且显著缩短手术时间并极大减轻术后疼痛的痔吻合术。它通过 对直肠黏膜及黏膜下层组织进行环形切除。有效治疗重度脱垂内痔。至今全世界已有30万痔疮患者成功实施了PPH手术，在中国，自2000年开展来，近 30000名患者成功接受了该项手术。
PPH的主要优点 ： 痛苦少，出血少，恢复快，一般无需住院，加快了康复周期，不影响日常生活。
痔疮的传统治疗方法：饮食疗法、口服用药、外敷用药、注射疗法、枯痔疗法、红外疗法、冷冻疗法、激光疗法。
传统手术疗法：采用外剥内扎术切除痔核，是近年来最常用的重度痔的治疗方法，但是传统手术疗法 所带来的术后疼痛以及较长的住院与愈合时间等问题，常常使病人闻之色变，而且传统手术疗法存在一定的复发可能性，尤其重要的是它或多或少地切除了肛垫，因 而有病人在术后有不同程度的失禁现象发生。PPH手术的缺点 ：目前pph手术价格比较高，单手术费用在7000元左右，国内普通患者一般难接受。
【针灸治疗】
1.基本治疗
治法 清热利湿，化瘀止血。以足太阳经及督脉穴为主。
主穴 承山 次髎 二白 长强
配穴 便秘者，加支沟、大肠俞;脾虚气陷者，加脾俞、百会。
操作 诸穴均针用泻法，脾虚气陷者宜用补法，可灸。
方义 承山、次髎均为膀胱经穴，足太阳经别自承山穴处上行入于肛中,故取之用泻法,既能调理膀胱气化以清湿热，又能疏导肛门局部气血，属“经脉所过，主治所及”。督脉亦过肛门，长强穴属督脉，位近肛门，刺之可直达病所，清利湿热。二白为治疗痔疮的经验用穴。
2.其他治疗
三棱针法 在第7胸椎两侧至腰骶部范围内寻找痔点，其状为红色丘疹，一个或数个不等，出现的部位亦不一致。每次选一个痔点，用粗针挑刺，并挤出血珠或粘液，7天左右1次。
痔疮患者的饮食调理
1、增加含纤维高的食物。高纤维素(纤维素产品，纤维素资讯)饮食可使大多数患者的症状缓解或消失，有类似括约肌切开和肛门扩张的效果。
2、“食不厌粗”。粗加工的食品，含有较多的营养素和食物纤维，适合便秘或痔疮患者食用，有利于大便通畅。
3、纠正不良饮食习惯。长期饮酒不但对肝脏有损害，而且也可促进痔疮的形成，痔疮患者应戒酒，同时避免辛辣刺激性的食物。
4、治疗原发病。对患有全身性慢性疾病的患者，注意营养素的补充和治疗，可以减少痔疮的发生。
5、痔疮病人应选择的食物：
◇五谷、蔬菜类：竹笋、甜菜、卷心菜、胡萝卜、绿豆、韭菜、芹菜、茭白、豌豆苗、马铃薯，未经加工的谷类，粗粮、麦麸面包、黑绿叶蔬菜、油菜、荷兰豆、莴苣。
◇水果类：苹果、巴西果、橘子、猕猴桃、葡萄、西瓜、香蕉、草莓。
◇肉类：猪、牛、羊的瘦肉，里脊肉，鱼肉，鸡、鸭、鹅肉。
痔疮食疗方
1.黑木耳5克，柿饼30克，将黑木耳泡发，柿饼切块，同加水煮烂，每日1～2次，有益气滋阴、祛瘀止血功效，适用于痔疮出血。
2.鲜荸荠500克，红糖90克，加水适量，煮沸1小时，饮汤，吃荸荠，每日一次，有清热养阴的功效，适用于内痔。
3.黄鳝100克，去内脏切段，加调料水煮，食肉饮汤，有补中益气、清热解毒、祛风除湿之功效，适用于肠风下血。
4.蕹菜2000克，蜂蜜250克，将蕹菜洗净，切碎，捣汁，放锅内，先以武火，后以文火加热煎煮浓缩，至较稠时加入蜂蜜，再煎至稠黏时停火，待冷装瓶备用，每次以沸水冲化饮用1汤匙，每日两次，有清热解毒、利尿、止血功效，适用于外痔。
5.桑耳3克，粳米50克，先煎桑耳，去渣取汁，和米煮粥，空腹服用，有祛风活血作用，用于肠风痔血。
6.苍耳子15克，粳米100克，先煎苍耳子，去渣，后入米煮粥，空腹服用，有祛风消肿功效，适用于痔疮下血，老人目暗不明等。
7.牛脾1具，粳米100克，每次用牛脾150克，细切，和米煮粥，空腹食之，能健脾消积，适用于脾虚食滞，兼治痔疮下血。
8.桑仁100克，糯米150克，将桑仁煮取汁，和糯米同煮成粥，每日1～2次，空腹食用，有滋补肝肾、养血功效，适用于痔疮下血，烦热消瘦等。
9.无花果(干品)100克，猪瘦肉200克，加水适量，放入沙锅内，隔水炖熟，调味即可，每日服两次，可养胃理肠、清热解毒，适用于痔疮以及慢性肠炎。
10.丝瓜250克，猪瘦肉200克，将丝瓜切块，猪瘦肉切片，加水适量煲汤，每日2～3次，用食盐调味，佐膳，有清热利肠、解暑除烦功效，适用于内痔便血初期。
11.鱼肚25～50克，白砂糖50克，加水少量，同放沙锅内隔水炖熟，每日服1次，连续服用，适用于痔疮，有补肾益精、止血消肿功效。
12.金针菜100克，红糖适量，同加水煮熟，去渣，每日早晚空腹服，连服数天，适用于痔疮疼痛出血，有清热、利尿、养血平肝功效。
13.香蕉蔬菜粥
香蕉、绿色蔬菜各100克，粳米70克，食盐适量。香蕉去皮捣为泥，蔬菜切成丝。粳米煮粥至熟时，加入香蕉泥和蔬菜。煮沸后，加入食盐。每天早餐服食。
14.凉拌马齿苋鱼腥草
将马齿苋与鱼腥草各250克，分别洗净，用沸水汆一下。加麻油、酱油、味精和醋等调料凉拌。分顿服食。
15.三瓜时蔬
取丝瓜、冬瓜、西瓜各250克。丝瓜、冬瓜去皮切片;西瓜去外层绿衣，将中层白皮切成片。将三者放入水中汆一下，沥出。放入适量食盐、麻油和味精调匀，当菜食用。
16.荸荠猕猴桃汁
荸荠10～15个，猕猴桃4个，去皮，切成小块，加水1000毫升，放入冰糖，打成汁。每天喝1000毫升。
提示：痔疮患者饮食宜清淡，可常食用有清热解毒作用的食物;多吃蔬菜、水果，保持大便通畅。
17.菠菜粥
用料：鲜菠菜100克，粳米100克。
制法：先将菠菜洗净放滚水中烫半熟，取出切碎。粳米煮成粥后，放入菠菜，煮沸食用。1日2次。
18.猪血汤
用料：猪血250克，鲜菠菜500克。
制法：将猪血切成厚块，菠菜切碎，放入调料少许，制成汤食用，每日或隔日1次
19.胡萝卜蜂蜜方
用料：熟胡萝卜，蜂蜜。
制法：将胡萝卜煮熟后，蘸蜂蜜食用，每次吃250～500克，1日2次。
痔疮病人营养原则
痔疮[1]的 形成原因和迁延不愈和饮食有很大的关系，所以饮食调理和纠正不良的饮食习惯是预防及治疗痔疮的重要措施。要节制辛辣刺激性食物，避免过食烧烤、肥腻、坚硬 不易消化的食物，这些食物可使肠胃壅滞、经络不舒、血脉不畅、湿热下注，或损伤肠管黏膜，从而造成痔疮。要积极的预防便秘，经常吃些粗杂粮、杂豆，及含粗 纤维多的新鲜蔬菜、水果，如：芹菜、青菜、菠菜、卷心菜、橘子、梨、无花果等能增加肠蠕动。咀嚼功能好的可多吃些凉拌菜，多饮水、吃些果冻、肉冻之类的食 物，以使粪便软而润滑，便于排出痔疮病人应注意饮食方面的问题
1、痔疮病人的宜忌（1）宜常取食易于消化、质地较软的食物。
（2）力求大便通畅，宜食用富含纤维素的食物，如：新鲜蔬菜、水果、银耳、海带等。
（3）宜摄取具有润肠作用的食物，如：梨、香蕉、菠菜、蜂蜜、芝麻油及其他植物油、动物油。
（4）宜选用质地偏凉的食物，如：黄瓜、苦瓜、冬瓜、西瓜、藕、笋、芹菜、菠菜、莴苣、茭白、蕹菜、茄子、丝瓜、蘑菇、鸭蛋、鸭肉等，以免加重仙热而导致便血。
（5）久治不愈、长期出血、体虚者，宜适当翰良滋补性食品，如桂圆、红枣、莲子、百合、牛奶、芝麻、蜂蜜、核桃等。
2、痔疮病人的饮食禁忌
（1）禁 食辛辣刺激、油腻、煎炸熏烤及热性食品，如：羊肉、狗肉、生蒜、生葱、辣椒等，同时也应禁烟、禁酒。
（2）忌吃辛辣刺激性的食物，忌吃燥热、肥腻、煎炒等助热助湿的物品，忌吃发物和烟酒。
痔疮饮食治疗方法
患了痔疮吃什么，这是许多患者最关心的问题之一。其实，患了痔疮的患者可食用的食物很多，也不乏美味食品，除了五谷杂粮外，我们在此列出一些野味和水产品供大家参考。
蛤蜊
性寒，味咸。《本草求原》中说：“蛤蜊治五痔。”蛤蜊肉能润五脏，软坚散肿。痔疮患者宜用蛤蜊肉经常煮食。
螺蛳
性寒，味甘，能清热、利水，治疗痔疮。古代《日用本草》中记载：“螺蛳能解热毒，治酒疸，利小水，消疮肿。”《本草纲目》亦云：“醒酒解热，利大小便，治脱肛、痔漏。”《玉楸药解》中还说：“螺蛳清金利水，泄湿除热，治脱肛、痔瘘。”患有痔疮的人，适宜常吃螺蛳。
蚌肉
性寒，味甘咸，有清热、滋阴、解毒的作用，适宜湿热痔疮者煮食或喂汤服。《日华子本草》中记载，蚌肉“除烦解热毒，并痔瘘、血崩、带下。”
泥鳅
补中气，祛湿邪，既营养，又疗痔 ，久痔体虚、气虚脱肛者宜常食之。中国药科大学叶橘泉教授认为，泥鳅肉“暖中益气，解毒收痔。”民间有用鳅鱼模压粉煮羹食用，治疗痔疮脱垂，可起到“调中收痔”的效果。
鳗鲡
俗称白鳝。性平，味甘，能补虚羸、祛风湿，对体弱气虚痔疮患者，最为适宜。早在《别录》中即 载：“鳗鲡鱼主五痔疮瘘。”唐代著名食医孟诜还说：“鳗鲡熏痔，患诸疮瘘及疬疡风，长食之甚验。”在孟诜的《食医心镜》中有一方：“治五痔瘘疮，杀虫：鳗 鲡一头，治如食法，切作片炙，着椒、盐、酱调和食之。”鳗鲡鱼的确含有丰富的蛋白质、营养滋补价值极高，它的补虚疗痔功效为历代医家称赞。如明代缪希雍 《神农本草经疏》中说：“五痔疮瘘人常食之，有大益也。”明·倪朱谟亦认为：“疬疡瘘痔人常食之，渐渐获效。”
鳢鱼
俗称乌鱼、黑鱼。性寒，味甘有补脾、利水的作用，能疗痔疮。《别录》中早已说它“疗五痔。”《外台秘要》中亦载：“治肠痔，每大便常有血：鳢鱼脍、姜、齑食之。”
黄鳝
能补虚损、除风湿、强筋骨，亦可疗痔瘘。《便民食疗》中说：“治内痔出血：鳝鱼煮食。”《食用中药与便方》亦载：“内痔出血，气虚脱肛，黄鳝煮羹食之，有补气固脱之功。”
猪大肠
适宜痔疮出血脱肛者食用。古代治疗痔疮的效方，也常用到猪大肠。如《奇效良方》中的猪脏丸，“治痔瘘下血”，就是用猪大肠同槐花煮烂捣和后为丸。《本草蒙筌》中的连壳丸，“治内痔”，也是用猪大肠同黄连、枳壳、糯米做成丸药内服。
野猪肉
性平，味甘咸，不仅能补虚弱羸瘦，又能疗痔疮出血，对患有慢性痔疮出血者最宜。唐代信知家孟诜在其《食医心镜》中介绍：“治久痔，下血不止，肛边痛：野猪肉二斤，切，著五味炙，空心食，作羹亦得。”
柿饼
性寒，味甘涩，能清热、润肺、涩肠、止血，尤其适宜痔疮出血者食用。《本草纲目》记载：“白柿 治痔漏下血。”对痔疮出血，或肛门裂出血，大便干结者，民间习惯用柿饼适量，蒸熟 后，每次吃饭时吃1个，或加水煮烂当点心吃，1日2次，柿霜对痔疮患者亦有益。《本草求真》中也有记载，说“柿霜治肠风痔漏。”故痔疮出血吃柿霜也颇适 宜。
香蕉
性寒，味甘，能健胃清肠、消肿解毒，对肛肠疾病患者，如便秘、肠炎、痢疾、痔疮等，均有效益。《本草纲目》早就说过：无花果治五痔。《福建中草药》还介绍：“治痔疮，脱肛，大便秘结：鲜无花果生吃。或干果十个，猪大肠一段，水煎服。”
榧子
又称香榧。有润肺滑肠、通便化痔、杀虫消积的作用。早在一千多年前的《别录》中就记载：“主五 痔。”对此，《本草经疏》还解释说：“五痔三虫，皆大肠湿热所致，苦寒能泻湿热，则大肠清宁而二怔愈矣。”中国药科大学叶橘泉教授还认为，痔疮患者，“每 日嚼食香榧7粒，有养身治病之功。”
韭菜
有行气、散血的作用，现代认为韭菜里含粗纤维较多，而且比较坚韧，不易被胃肠消化吸收，能增加大便体积，促进大肠里动，防止大便秘结，故对痔疮便秘者有益。
蕹菜
又称空心菜、空筒菜。性寒、味甘，有治疗便秘、便血、痔疮的作用。《陆川本草》中说过：“治肠 胃热，大便结。”《贵州省中医验方秘方》中还介绍：“治翻肛痔：空筒菜二斤，水二斤，煮烂去渣滤过，加白糖四两，同煎如饴糖状。每次服三两，一日服二次， 早晚服，未愈再服。”所以，蕹菜对痔疮病人大便经常干结者，最为适宜，
菠菜
性凉，味甘，有养血、止血、润燥、滑肠、通便的作用。据《本草求真》记载：“菠菜，何书皆言能利肠胃，盖历滑则通窍，菠菜质滑而利，凡人久病大便不通，及痔漏关塞之人，咸宜用之。”《随息居饮食谱》中也说：“菠菜，开胸膈，通肠胃，润燥活血，大便涩滞及患痔人宜食之。
丝瓜
性凉，味甘，能清热、凉血，适宜痔疮出血者食用。《本草纲目》中说：“煮食除热利肠，治大小便下血，痔疮十”尤其是湿热下注，或血分有热的痔疮患者，最为适宜。
黑木耳
性平，味甘，善能凉血止血，有治疗血痢、便血、痔疮的作用。《本草纲目》载黑森耳治痔。《药性切用》认为，黑木耳能“润燥利肠”。清代食疗名医王孟英还说：“黑木耳补气耐饥，活血，治跌仆伤。凡崩淋血痢，痔患肠风，常食可瘳。”尤其是体虚久痔者，常吃尤宜。
石耳
主产江西庐山，性平，味甘。《粤志》中说：“石耳味甘腴，性平无毒，多食饫人，能润肌童颜，在 木耳、地耳之上。”它有养阴、清热、止血的功效，大便出血，痔漏脱肛之人宜食之。《医林纂要》中就有记载：“石耳治肠风痔瘘，行水解毒。”每次可用石耳 30-50克，瘦猪肉150克，加盐少许，隔水蒸熟。上午蒸1 次，喝其汤；下午蒸1次，全吃尽。
槐花
槐树的花朵或花蕾可供食用，有清热、凉血、止血的功效，也是中医最常用的治疗痔疮药物。《医学 启源》中说：“槐花凉大肠热。”《日华子本草》称它“治五痔”。《本草正》亦云：“槐花凉大肠，治痔漏。”古代治痔验方，每每用之。尤其是对痔疮发作期， 湿热下注，疼痛出血时，更为适宜。
胖大海
性凉，味甘淡，有清热、润肺、利呖、解毒的作用，痔疮便血者宜用胖大海泡茶频饮。《本草纲目拾遗》中记载：胖大海“治痔疮漏管。”《医界春秋》中还曾介绍：“治大便出血：胖大海数枚，开水泡发，去核，加冰糖调服。”
何首乌
有补肝、益肾、养血、祛风的功效。《江西草药》认为首乌还能“通便，解疮毒。”首乌疗痔，自古 有之。《何首乌录》中说过：“主五痔，益气力。”《开宝本草》亦云：“主瘰疬，消痈肿，疗五痔。”《圣惠方》中介绍治痔一法：“治大肠风毒，泻血不止；何 首乌二两，捣细罗为散，每于食前，以温粥饮调下一钱。”对于体虚久痔患者，常用何首乌粉调服，最为适宜。
麒麟菜
俗称鸡脚菜，产于我国台湾省及广东、海南沿海的浅海珊瑚礁间，夏秋采收。性平，味咸微苦。《食 物中药与便方》中介绍：痔疮便结：麒麟菜、石花菜等量，水煮成冻胶，加白糖适量，空腹食用。清代《本草纲目拾遗》记载：“麒麟菜消痰，能化一切痰结，痞 积，痔毒。”《养生经验补遗》记载：“治辛苦劳碌之人，或嗜酒从欲，忽生外痔：麒麟菜洗去灰一两，用天泉水煮烊，和白糖五钱食之。”
痔疮手术后的自我调养
无论是门诊手术，还是住院治疗，痔疮患者术后都应注意自我调养，以配合治疗，主要应注意以下几个方面内容：(1)保持大便通畅：痔疮术后一般要在24小时以后方可第一次排便。在禁止排便的这段时间里， 应多饮水和食用有润肠作用的饮料如蜂蜜、果汁和青菜汁等，这样可以促进排尿和避免大便秘结。由于手术损伤肛管皮肤，引起括约肌痉挛，所以第一次排便前应口 服麻仁润肠丸、地榆槐角丸、果导片等润肠药物。若大便秘结严重，可用石蜡油灌肠，便前温水坐浴使肛门括约肌松弛，可使排便所引起的肛门疼痛有所减轻。～般 讲第一次排便常伴有少量鲜血，系粪便摩擦创面所致，属正常现象，不必惊慌。以后应养成每日晨起排便的习惯，便后坐浴换药。为防止大便干燥，应多吃含纤维素 高的饮食和高脂肪油类，不应每日依靠泻药排便，如有便秘，可于临睡前口服麻仁润肠丸、地榆槐角丸、牛黄解毒丸或果导片，待大便变软后应立刻停药。
(2)便后坐浴：坐浴是清洁肛门，促进创面愈合和消炎的简便有效的方法。每次便后都必须坐浴，坐浴时先用热气熏，待水温适中时，再将肛门会阴部放入盆内洗涤坐浴，每次20分钟左右。坐浴可用温热盐水、中药祛毒汤或1：5000高锰酸钾液等。
(3)换药：痔注射术后可将消炎痛栓、洗必泰痔疮栓、红霉素栓、马应龙痔疮栓等药填塞于肛门内即可。开放创面除使用上述栓剂外，亦需将凡士林油纱条、中药生肌玉红膏纱条或红粉纱条等填塞肛内并用其保护创面，以利于创面引流。
(4)术后活动：一般讲手术创面较大，而伤口尚未完全愈合期间，应尽量少走路，这样可避免伤口边缘因用力摩擦而形成水肿，延长创面愈合时间。创面愈合后3个月左右不要长时间骑自行车，以防愈合的创面因摩擦过多而引起出血。
体育疗法防治痔疮
痔疮是中年人的一种常见病，多发病，其最主要的原因是人体自身的生理特点所造成。我们知道，人 的静脉血回流心脏，主要是靠肌肉的张与驰及静脉瓣本身具有的静脉瓣的作用。静脉瓣就象阀门一样只能使血液向心脏方向流动，而不能倒流；因而比心脏水平低的 静脉内有静脉瓣。而人类的祖先是由四只脚行走的类人猿演化而来的，是与心脏同在一个水平部位上的，因而直肠上静脉就没有静脉瓣，所以在以后人类直立行走时 直肠上静脉血向上回流就比较困难，加上内脏的下压，就更容易形成静脉扩张而患直痔疮。
体育疗法对防止瘀血有很大作用。适当地从事体育运动，能减低静脉压，加强心血管系统的机能，消除便秘，增强肌肉力量，这些对痔疮的防治有着重要的作用。
下面介绍几种锻炼的方法：
1、提肛运动。全身放松，将臀部及大腿用力夹紧，配合吸气，舌舔上腭，同时肛门向上提收。象忍大便的样子，提肛后稍闭一下气不呼，然后配合呼气，全身放松。每日早晚两次，每次做十几下。
2、举骨盆运动。仰卧屈膝，使脚跟靠近臀部，两手放在头下，以脚掌和肩部作支点，使骨盆举起，同时提收肛门，放松时骨盆下放。熟练后，也可配合呼吸，提肛时吸气，放松时呼气。此法每日可坚持做1~3次，每次20下。
3、旋腹运动。仰卧，两腿自然伸展，以气海穴(脐下一寸处)为中心，用手掌作旋转运动；逆时针旋转20~30次，顺时针旋转20~30次，先逆后顺旋转。
4、交叉起坐运动。两腿交叉，坐在床边或椅子上，全身放松；两腿保持交叉站立，同时收臀夹腿，提肛；坐下还原时全身放松，这样连续作10~30次。
5、体前屈运动。两腿开立，两掌松握，自胸前两侧上提至乳处，同时反头挺胸吸气；气吸满后，上体成鞠躬样前屈，同时两拳变掌沿两腋旁向身体后下方插出，并随势作深吸气。如此连续操作5~6次。
6、提重心运动。两腿并扰，两臂侧上举至头上方，同时脚跟提起，作深长吸气；两臂在体前自然落下，同时脚跟亦随之下落踏实，并作深长呼气，此势可连续作 5~6次。
痔疮容易引起的误诊断
痔疮和直肠癌的判断由于痔疮和直肠癌的发病部位相似，直肠癌和肛管癌二者有些症状交叉或不典型时，二者临床诊断常 相混，错误的诊断并非少见，把肛门直肠症状的疾患诊断为痔，延误直肠癌的治疗。诊断另一错误是某些肛门出血症状的直肠癌病，误诊为痔疮。尤其二者伴存时， 检查发现有痔后，即满足痔的诊断和治疗，而长时间不能得出全面的正确诊断。如果对初步印象为痔的患者，仔细询问病史、认真检查，就可以防止许多诊断上的错 误。
1．痔疮可能发生在任何年龄的人身上，而直肠癌的患者多是中年人或老年人。
2．痔疮患者的大便有血，这是因排便时擦伤患处，血液多数是随着大便排出后滴下来，因此与粪便 不相混合，更没有粘液存在。而直肠癌患者的大便则常混有血液、粘液和浓液，而且大便的习惯会明显改变。大便的次数增多，还伴有里急后重的感觉。倘用药后腹 泻仍不能减轻，便应该特别留意了。
3．用手指伸入肛门内检查是一种最有效的方法。因为大部分的痔疮和直肠癌都是发生于手指可以触 及的部位。如果用手指由肛门伸入触之，感到内部有一些凸起的小粒则为痔疮。如果感到肠内有菜花硬块或边缘隆起中央凹陷的溃疡，并发现肠腔狭窄得仅能容纳一 个手指；检查后，指套上沾有血液、浓液和粘液者，则极可能患上了直肠癌，应该快去医院就诊，以免错失治疗机会。
痔疮和肛裂的区别
肛裂多数伴有哨兵痔，特别是被长期忽视肛裂病症的患者，发展为陈旧性肛裂后，常同时伴有外痔、内痔，这时两者在肛门外的表征基本相同。所以，了解肛裂和痔疮的区别，提高肛肠异常的警惕意识对治疗大有裨益。
从病理看肛裂和痔疮的区别
肛裂是以肛管皮肤裂口，肛管溃疡，难以愈合为主要表现。
痔疮则是由于肛门周围静脉形成静脉曲张、静脉血管团，以及直肠下端粘膜滑动而形成的。
从症状看肛裂和痔疮的区别
1.肛裂以疼痛、便血为主。痔疮以出血为主，只有外痔发炎肿胀时，痔疮才会剧痛。
2.肛裂可见肛管皮肤裂开，而痔疮则无。在肛门指诊时，即可确定，但肛裂者多不可行肛门指诊，或者窥器检查；
3.肛裂多伴有肛乳头肥大、肛乳头瘤，而痔疮则不伴有肛乳头肥大或乳头瘤；
4.肛裂者，肛门外观可见狭窄，而痔疮患者则多见内痔脱出、外翻。
肛门瘙痒症和痔疮
部分痔疮患者有粘性分泌物流出，引起肛门潮湿瘙痒，但是肛门瘙痒不一定就是痔疮。
肛门瘙痒症是一种常见的局部瘙痒症。肛门部有时有轻微发痒，如瘙痒严重，经久不愈则成为瘙痒 症。它是一种常见的局限性神经机能障碍性皮肤病。一般只限于肛门周围，有的可蔓延到会阴、外阴或阴囊后方。多发生在20～40岁中午、老年.初起肛门瘙痒 较轻，肛门皮肤无明显变化，多为阵发性。久病患者瘙痒较剧，持续时间较长，尤以夜间更甚，过度的搔抓或机械刺激使肛周皮肤增生肥厚粗糙，肛门皱襞加深，局 部有抓痕、血痂、渗液，皱襞缝中残留粪便污垢，更重者可合并感染见有脓泡或脓性分泌物，潮红肿胀。经实验室检查发现有糖尿病、蛲虫病、白色念珠菌感染等。
肛门瘙痒症临床检查可能发现同时有内痔、外痔、混合痔、肛瘘。
所以应针对不同的情况给予治疗。
长坐太软的座椅易发痔疮
肛肠科主任提醒办公一族：座椅不要太软，不然时间久了，可能会诱发、加重痔疮。根据他多年临床经验，久坐活动少的人容易得痔疮，如办公室文员、会计、电脑操作员、编辑、的士司机等。其中很大一部分平时喜欢坐较软的座椅、沙发。
久坐容易导致腹部血流速度减慢，下肢静脉血不能回流，血液循环受阻，直肠静脉容易发生曲张，血液淤积，形成一个静脉团，这就是痔疮。
痔疮术后6点注意
1． 术后3~5小时局部有轻度火辣疼痛和便意感，如小便困难者可用45度热毛巾敷下腹部或轻柔下腹，切记不可马上大便，部分患者如出现轻度恶心、头晕、出汗面色苍白等全身不适现象，可饮白糖开水2杯，平卧休息一小时。
2． 遵医嘱按时服药，防止伤口发炎、出血、糜烂、感染。
3． 术后卧床休息1日，禁止长时间坐、站以免出血，15日避免剧烈活动，禁骑自行车。
4． 每日主食以含纤维素的粥为主，禁食辛辣刺激等热性食物。
5． 保持大便通畅，防止干燥。
6． 术后3~5日大便出血，属正常现象。
痔疮与性生活
痔是消化道末端的一种肛门疾病，性活动是人类的一种本能，一个在“前门”，一个在“后门”，似乎彼此无关系，实际情况并非如此。男性生殖科和肛肠科医生发现，房事过频和经常忍精不泄的男士易患痔疮。这是什么道理呢？
性生活时全身肌肉处于高度紧张状态，尤其是盆腔和臀部肌肉持续收缩。这就会增加肛门周围血液循 环的阻力，使血液循环发生障碍，并一直持续到性生活结束。而痔疮，则是肛门周围的静脉丛突出于粘膜外(内痔)或肛门外(外痔)。若性生活过频，肛门静脉丛 常发生血液循环障碍，静脉曲张、瘀血，突出于粘膜或肛门外，以致不可逆转，这就发生了痔疮。同样道理，经常忍精不泄，臀部肌肉群持续收缩，也会影响肛门静 脉丛的血液循环，形成痔疮。俗语说“十男九痔”，痔疮之所以好发于男士，恐怕与房事过频和忍精不泄有一定的关系。
为了预防痔疮的发生，减轻痔疮的程度，应节制房事，改掉忍精不泄习惯。
痔疮与祖国中医
消痔灵可以治疗内痔，这是祖国中医对治疗内痔的贡献。
2009年8月31日星期一
睡眠的益处
实验证明：人最多可以连续5天不睡觉。超过这个时间，不管你愿意如何也会进入睡眠。如 果人连续40个小时不睡觉，处理数字、正确说出色彩名称、回忆某件事情等精神作业能力就会明显下降；如果是50个小时不睡觉，活动能力、体力、人格等方面 都会下降；如果在此基础上再把受试者单独放在一个房间内，受试者便会出现精神病似的幻觉和类似幼儿的举动；如果连续70个小时不睡觉，人的注意力和感觉就 会麻痹；到了120个小时后，人就会陷入精神错乱的状态。 而睡眠之所以如此必不可少，正是因为趁着你睡着的机会，身体在进行限时修复。
◆眼睛
保护视力并滋润眼球
比起看绿色植物，睡眠是更有效的“养眼”举措。当你闭眼入睡后，劳累已久的眼球睫状肌终于得到休息，防止了视力下降和“老花眼”提前报到。此时，白天处于抑制状态的泪腺分泌也增加，开始滋润因长时间用眼而干涩的眼球；角膜的温度也上升，其细胞新陈代谢加快。
◆免疫
增强抗病功能
生病后人总是特别嗜睡，因为机体通过睡眠来抑制其他生理功能，突出免疫功能，帮助人体早日恢复健康，由此可见充足的睡眠能增强人体免疫力。医学实验也发现，人如果减少4小时的睡眠，体内免疫细胞活力就减弱28%；而获得充足睡眠后便可恢复。
◆内分泌
规律分泌激素
睡眠状态下，规律分泌的各种激素积极发挥着作用。以生长激素为例，当你进入深睡状态1小时后，其分泌进入高峰，是白天的3倍多。该激素除了促进生长，还能加速体内脂肪燃烧。相反，若睡眠不足，内分泌紊乱，激素分泌丧失规律，不仅情绪变得容易激动，还可能影响生育能力。
◆皮肤
孕育美丽
皮肤的新陈代谢在睡眠状态下最为旺盛。因为当你睡着时，肌肉、内脏器官等的消耗都减少，其血管处于相对瓶颈状态，而皮肤血管则完全开放，血液可充分到达 皮肤，为其提供营养，进行自身修复和细胞更新，起到延缓皮肤衰老的作用。如果错过了“睡眠”这个孕育美丽的最佳时机，皮肤容易变得干涩、粗糙、晦暗、多 皱，尤其眼睛附近容易出现黑眼圈。
◆大脑
形成并巩固记忆
很难想像，人的记忆完全是在睡眠过程中形成和巩固的。但当你睡着时，大脑确实在重播、分析、储存一天的事务，并留下记忆痕迹。更让人意外的是，睡眠状态下大脑的神经变化程度是清醒状态下的2倍，一些神经路径的讯号增强并形成细胞间的新连接，另一些路径的讯号变弱并失去连接，使得大脑内的记忆远比持续工作状态下清晰得多。
◆植物神经
放松内脏器官
除了大脑，人体大多数内脏器官如心脏、肠胃等都受植物神经支配。植物神经分为交感神经和副交感神经。白天，交感神经活跃，心跳及肠胃蠕动都加快；当你睡 着时，交感神经变得抑制，副交感神经呈现活跃状态，内脏器官得到休息放松。如果疲倦时不睡觉，不仅内脏器官得不到休息，容易因劳累过度感到不适，植物神经也容易紊乱，埋下失眠隐患。
◆头发
获得营养
你睡觉的时间也是头发获取营养的关键时机。因为白天仅大脑皮层活动就 要消耗人体全部新陈代谢及日常活动所需养分的1/4，颈动脉运输的血液多向脑部集中，输送到侧支的血液量较少，而头皮组织恰恰仅靠颈动脉的侧支供血提供营 养。若长期睡眠不足，没有在夜晚给头发供应充足的血液，头发将变得稀少而缺乏弹性。
◆眼睛
保护视力并滋润眼球
比起看绿色植物，睡眠是更有效的“养眼”举措。当你闭眼入睡后，劳累已久的眼球睫状肌终于得到休息，防止了视力下降和“老花眼”提前报到。此时，白天处于抑制状态的泪腺分泌也增加，开始滋润因长时间用眼而干涩的眼球；角膜的温度也上升，其细胞新陈代谢加快。
◆免疫
增强抗病功能
生病后人总是特别嗜睡，因为机体通过睡眠来抑制其他生理功能，突出免疫功能，帮助人体早日恢复健康，由此可见充足的睡眠能增强人体免疫力。医学实验也发现，人如果减少4小时的睡眠，体内免疫细胞活力就减弱28%；而获得充足睡眠后便可恢复。
◆内分泌
规律分泌激素
睡眠状态下，规律分泌的各种激素积极发挥着作用。以生长激素为例，当你进入深睡状态1小时后，其分泌进入高峰，是白天的3倍多。该激素除了促进生长，还能加速体内脂肪燃烧。相反，若睡眠不足，内分泌紊乱，激素分泌丧失规律，不仅情绪变得容易激动，还可能影响生育能力。
◆皮肤
孕育美丽
皮肤的新陈代谢在睡眠状态下最为旺盛。因为当你睡着时，肌肉、内脏器官等的消耗都减少，其血管处于相对瓶颈状态，而皮肤血管则完全开放，血液可充分到达 皮肤，为其提供营养，进行自身修复和细胞更新，起到延缓皮肤衰老的作用。如果错过了“睡眠”这个孕育美丽的最佳时机，皮肤容易变得干涩、粗糙、晦暗、多 皱，尤其眼睛附近容易出现黑眼圈。
◆大脑
形成并巩固记忆
很难想像，人的记忆完全是在睡眠过程中形成和巩固的。但当你睡着时，大脑确实在重播、分析、储存一天的事务，并留下记忆痕迹。更让人意外的是，睡眠状态下大脑的神经变化程度是清醒状态下的2倍，一些神经路径的讯号增强并形成细胞间的新连接，另一些路径的讯号变弱并失去连接，使得大脑内的记忆远比持续工作状态下清晰得多。
◆植物神经
放松内脏器官
除了大脑，人体大多数内脏器官如心脏、肠胃等都受植物神经支配。植物神经分为交感神经和副交感神经。白天，交感神经活跃，心跳及肠胃蠕动都加快；当你睡 着时，交感神经变得抑制，副交感神经呈现活跃状态，内脏器官得到休息放松。如果疲倦时不睡觉，不仅内脏器官得不到休息，容易因劳累过度感到不适，植物神经也容易紊乱，埋下失眠隐患。
◆头发
获得营养
你睡觉的时间也是头发获取营养的关键时机。因为白天仅大脑皮层活动就 要消耗人体全部新陈代谢及日常活动所需养分的1/4，颈动脉运输的血液多向脑部集中，输送到侧支的血液量较少，而头皮组织恰恰仅靠颈动脉的侧支供血提供营 养。若长期睡眠不足，没有在夜晚给头发供应充足的血液，头发将变得稀少而缺乏弹性。
2009年8月19日星期三
脂溢性脱发如何医
用硫磺香皂洗头、经常洗很管用的，硫磺这东西主要是杀菌。很多洗发用品添加硅，这是因为硅一旦接触到头发，就会把毛鳞片之间的空隙填满，于是造成滑顺的触觉，洗完头发质好像变得更好了！因此之故，让一般人常误以为这是硅有滋养发丝的作用，但是下一次使用由于硅不溶于水的特性，原先已经包覆在发丝上的硅无法被彻底洗净，反而会随着使用的次数一层层地不断包覆住发丝外层，于是造成头发厚 重并逐渐丧失弹性、毛孔被阻塞而无法呼吸。透氧不足的结果就会影响头皮健康导致毛乳头逐渐萎缩，而且头皮也容易发痒，甚至可能并发落发、脱发的后遗 症。近年来因为洗发产品选用不当的头皮毛囊炎病例，在皮肤科节节攀升，爱美人士宝贝头发时不可不慎。脂溢性脱发原因主要是毛孔被油脂堵塞了，只要不断去除油脂自然长发。
有人做过自体毛囊移植。若做移植莫全相信服务员所说，一次移植就能达到良好的效果，也勿相信其图片。实情告之各位：1，自身后枕部毛发一定要 好，毛发量要充足，否则开两刀。不要相信接待员给你看的图片。2，脱发面积不能大，（如，整个头顶已稀疏，或较大面积稀疏，也可做，须两次手术，很痛苦。 可薄薄覆盖头皮）大概10*10厘米范围做较好，做后效果稀疏，但应该覆盖头皮。面积越小效果越好。以上1，2，两点缺一不可。否则，必开第2刀，做过的 都不想第2刀。3，术后植发肯定会长，但须结合前1，2，两点综合分析。其他，手术前后症状说明可相信。术后，气候变天头晕，乏力，有伤湿病。 网上可查一些移植机构，要选大机构，至少手术安全保证。要三思后行。
有人做过自体毛囊移植。若做移植莫全相信服务员所说，一次移植就能达到良好的效果，也勿相信其图片。实情告之各位：1，自身后枕部毛发一定要 好，毛发量要充足，否则开两刀。不要相信接待员给你看的图片。2，脱发面积不能大，（如，整个头顶已稀疏，或较大面积稀疏，也可做，须两次手术，很痛苦。 可薄薄覆盖头皮）大概10*10厘米范围做较好，做后效果稀疏，但应该覆盖头皮。面积越小效果越好。以上1，2，两点缺一不可。否则，必开第2刀，做过的 都不想第2刀。3，术后植发肯定会长，但须结合前1，2，两点综合分析。其他，手术前后症状说明可相信。术后，气候变天头晕，乏力，有伤湿病。 网上可查一些移植机构，要选大机构，至少手术安全保证。要三思后行。
经常变换分发线，因为分发线如果一直保持在相同的地方，由此会造成分线部位因太阳照射而且
干燥，导致头发稀疏。此外，经常变换分发线，还能增添变换各种发型的乐趣呢。
有人以前用辣椒和洋葱头外涂，因异味难闻而放弃。据说比较有效的外涂用品有：花椒，生姜、
柚子核、海带、乳酪、牛奶、生蔬菜、大蒜头、辣椒、用海带泥（泥状的海带）。据说比较有效的内服食品有：坚果、芝麻、维生素B（B6）、甘氨酸、猪肝。
2009年8月11日星期二
Matlab中下标及希腊字母
Matlab中下标及希腊字母的使用方法:
下标用 _(下划线)
希腊字母等特殊字符用 \加拼音 如
下标用 _(下划线)
希腊字母等特殊字符用 \加拼音 如
α \alpha
β \beta
γ \gamma
θ \theta
Θ \Theta
Г \Gamma
δ \delta
Δ \Delta
ξ \xi
Ξ \Xi
η \elta
ε \epsilong
ζ \zeta
μ \miu
υ \nu
τ \tau
λ \lamda
Λ \Lamda
π \pi
Π \Pi
σ \sigma
Σ \Sigma
φ \phi
Φ \Phi
ψ \psi
Ψ \Psi
χ \chi
ω \ommiga
Ω \Ommiga
< \leq
> \geq
不等于 \neq
<< \ll
>> \gg
正负 \pm
左箭头 \leftarrow
右箭头 \rightarrow
上箭头 \uparrow
例 text(2,3,'\alpha_2^\beta')
注： 可用{}把须放在一起的括起来。这些在Matlab作图的时候比较有用。
β \beta
γ \gamma
θ \theta
Θ \Theta
Г \Gamma
δ \delta
Δ \Delta
ξ \xi
Ξ \Xi
η \elta
ε \epsilong
ζ \zeta
μ \miu
υ \nu
τ \tau
λ \lamda
Λ \Lamda
π \pi
Π \Pi
σ \sigma
Σ \Sigma
φ \phi
Φ \Phi
ψ \psi
Ψ \Psi
χ \chi
ω \ommiga
Ω \Ommiga
< \leq
> \geq
不等于 \neq
<< \ll
>> \gg
正负 \pm
左箭头 \leftarrow
右箭头 \rightarrow
上箭头 \uparrow
例 text(2,3,'\alpha_2^\beta')
注： 可用{}把须放在一起的括起来。这些在Matlab作图的时候比较有用。
2009年8月4日星期二
给23岁以上的男人们
喝酒喝好，不代表喝完吐吐完喝，在量上占个老大。
告别网恋吧，相比之下家人介绍的对象还是可以看看，必竟知根知底比较把握，少走弯路。
给母亲买点水果买点菜，趁现在子欲养而亲还在。
多赚点钱，但不要多到谁看上你，你都会觉得其只是看上你的钱的地步。
曾经背叛过你的女人想回头，对其说不。
大事坚持原则，小事学会变通。
没必要和老婆争个面红耳赤，她错了，你让着，她会感激你，其实她知道是她不讲理。
别再动不动就想用武力解决问题，你不是泰森，也不是陈浩南。
偶尔和父亲促膝喝点小酒，永远比和一帮酒肉朋友在一起买醉来得开心。
不要再认为你在玩别人的感情，对手可能比你道行要高。
不要再当月光族，你该学着攒些钱了。
十七八岁没钱没卡叫潇酒，二十五以上没钱没卡叫没安全感。
永远记住，游戏与麻将叫消遣，不要沉迷。
了解父母的身体状况。
此时的你至少该有张驾照，无论你是否有车。
N个酒肉朋友，也比不上一个与你肝胆相照的真哥们。
轻易不要借钱，也轻易不要借给别人钱，除非你不指着他还。
不要强调结婚以后你的老婆一定要孝顺你的父母，人与人是相互的，只要你做到了，她也会的。
买份保险，如果单位办了社保，就不必了。
给母亲花一块钱母亲的笑容也是发自内心的灿烂。
有自己去泡桑那的时候不如陪父亲去洗个澡，给他搓搓背。
万事随缘，但不要放弃努力。
不要给自己太大压力，不要学做李嘉诚，李嘉诚当初也不知他会是今日的李嘉诚。
有剩余资金，可以考虑买房了。哪怕只够付个首期。
无需把女人看得太复杂，人与人之间往往是彼此复杂化，当然，也不要当她们是白痴。
不要非等到情人节，才肯花个三头五百去买花，平时的一块巧克力，她也会笑逐颜开。
有给老婆买奢侈品的钱，不如存下来，假期时一起出去旅次游，感情会更深。
帮老婆家换个灯泡，有时比给老婆买套SK2还来得实惠。
对老婆好不是件磕趁事儿，尤其人多的时候，对老婆呼来喝去，只会让人觉得你很没品。
别瞧不起你正经上班的哥们，他们要找对象，比你有条件。
没做到的事不要轻易承诺，承诺过了，假如可以，还是努力做到。男人信誉很重要。
专一一点吧，没什么不好。
常关心一下你的老婆，但关心不等于磨几。
不要相信女人喜欢AA制，该买单的时候还是要买的，男人爽快还是很有吸引力的。
不要以为男人就可以不注重形象，女人也不是瞎子。
多半女人认为，男人认真的时候最有魅力，无论是认真工作，还是认真****。
男人的眼泪可以流，用得适当，效果很好。常流不止，结果就让人作呕了。
新闻实事必看，哪怕有些事情不是你能说了算的，但你得了解。
至少要保留一种健康的爱好，如：游泳，足球，健身，蓝球等。
不要羡慕谁的钞票比你多，他们的闹心事和这个数目也是成正比的。
永远不要认为别人的媳妇比你的好，因为她必竟不是你媳妇。
鞋还是擦得光亮些吧，哪怕它不是名牌，也比一脚泥的来得顺眼。
多夸夸你的老婆，哪怕是违心的，她的心情好了，你也轻松不少。
想娶的老婆最好带给母亲看一看，老人的眼睛有时候确实比你雪亮。
有聊QQ的时间，不如多看看新闻。
衣服不用一天一换，但也不要一周也不换一次。
和老婆的女友要保持一定距离，太远她会说你对她朋友不热情，太近事儿可就大了。
永远不要夸你老婆的女友，那会是她最忌讳的事情，最好是不要评价。
没有任何一件事，任何一个女人，值得你彻夜不眠或借酒浇愁。
人，就这一辈子，开心就好。
告别网恋吧，相比之下家人介绍的对象还是可以看看，必竟知根知底比较把握，少走弯路。
给母亲买点水果买点菜，趁现在子欲养而亲还在。
多赚点钱，但不要多到谁看上你，你都会觉得其只是看上你的钱的地步。
曾经背叛过你的女人想回头，对其说不。
大事坚持原则，小事学会变通。
没必要和老婆争个面红耳赤，她错了，你让着，她会感激你，其实她知道是她不讲理。
别再动不动就想用武力解决问题，你不是泰森，也不是陈浩南。
偶尔和父亲促膝喝点小酒，永远比和一帮酒肉朋友在一起买醉来得开心。
不要再认为你在玩别人的感情，对手可能比你道行要高。
不要再当月光族，你该学着攒些钱了。
十七八岁没钱没卡叫潇酒，二十五以上没钱没卡叫没安全感。
永远记住，游戏与麻将叫消遣，不要沉迷。
了解父母的身体状况。
此时的你至少该有张驾照，无论你是否有车。
N个酒肉朋友，也比不上一个与你肝胆相照的真哥们。
轻易不要借钱，也轻易不要借给别人钱，除非你不指着他还。
不要强调结婚以后你的老婆一定要孝顺你的父母，人与人是相互的，只要你做到了，她也会的。
买份保险，如果单位办了社保，就不必了。
给母亲花一块钱母亲的笑容也是发自内心的灿烂。
有自己去泡桑那的时候不如陪父亲去洗个澡，给他搓搓背。
万事随缘，但不要放弃努力。
不要给自己太大压力，不要学做李嘉诚，李嘉诚当初也不知他会是今日的李嘉诚。
有剩余资金，可以考虑买房了。哪怕只够付个首期。
无需把女人看得太复杂，人与人之间往往是彼此复杂化，当然，也不要当她们是白痴。
不要非等到情人节，才肯花个三头五百去买花，平时的一块巧克力，她也会笑逐颜开。
有给老婆买奢侈品的钱，不如存下来，假期时一起出去旅次游，感情会更深。
帮老婆家换个灯泡，有时比给老婆买套SK2还来得实惠。
对老婆好不是件磕趁事儿，尤其人多的时候，对老婆呼来喝去，只会让人觉得你很没品。
别瞧不起你正经上班的哥们，他们要找对象，比你有条件。
没做到的事不要轻易承诺，承诺过了，假如可以，还是努力做到。男人信誉很重要。
专一一点吧，没什么不好。
常关心一下你的老婆，但关心不等于磨几。
不要相信女人喜欢AA制，该买单的时候还是要买的，男人爽快还是很有吸引力的。
不要以为男人就可以不注重形象，女人也不是瞎子。
多半女人认为，男人认真的时候最有魅力，无论是认真工作，还是认真****。
男人的眼泪可以流，用得适当，效果很好。常流不止，结果就让人作呕了。
新闻实事必看，哪怕有些事情不是你能说了算的，但你得了解。
至少要保留一种健康的爱好，如：游泳，足球，健身，蓝球等。
不要羡慕谁的钞票比你多，他们的闹心事和这个数目也是成正比的。
永远不要认为别人的媳妇比你的好，因为她必竟不是你媳妇。
鞋还是擦得光亮些吧，哪怕它不是名牌，也比一脚泥的来得顺眼。
多夸夸你的老婆，哪怕是违心的，她的心情好了，你也轻松不少。
想娶的老婆最好带给母亲看一看，老人的眼睛有时候确实比你雪亮。
有聊QQ的时间，不如多看看新闻。
衣服不用一天一换，但也不要一周也不换一次。
和老婆的女友要保持一定距离，太远她会说你对她朋友不热情，太近事儿可就大了。
永远不要夸你老婆的女友，那会是她最忌讳的事情，最好是不要评价。
没有任何一件事，任何一个女人，值得你彻夜不眠或借酒浇愁。
人，就这一辈子，开心就好。
2009年7月28日星期二
从51初学者到高级电子工程师(转帖）
很多电子工程师在某个方面精深钻研，成为某一个特殊领域的专家，从一开始的养家糊口、慢慢小有收益、最后宝马豪宅，也是有的；这些电子工程师可能没有全面掌握这些知识，因为这些行业用不上，例如，液晶显示器，很多行业就不需要；但是，对于一个初学者，我认为，这个提纲是切合实际的，对于面向控制而言，已经基本够用了；对于初学者，全面地掌握这些知识是很有必要的，因为你不知道今后需要使用什么哪些知识，而这些知识， 80%以上你会在今后的工作中使用上，因为这是都是最基本的。熟练掌握这些知识和应用，根据不同的地区、行业和老板，月薪应该可以在3000元～5000 元之间，甚至更高。
其实，可能有些你用不上，但是知道了也没有坏处；所谓书到用时方很少，又有谓艺不压身。知识＝月薪＝年薪＝金钱＝香车宝马＝…….. ，呵呵。
为什么要掌握这些知识？
实际上，电子工程师就是将一堆器件搭在一起，注入思想（程序），完成原来的这些器件分离时无法完成的功能，做成一个成品。所需要的技能越高、功能越复杂、成本越低、市场上对相应的东东的需求越大，就越成功。这就是电子工程师的自身的价值。从成本到产品售出，之间的差价就是企业的追求。作为企业的老板，是在市场上去寻找这样的应用；对电子工程师而言，是将老板提出的需求或者应用按照一定的构思原则（成本最低、可靠性最高、电路板最小、功能最强大等）在最短的时间内完成。最短的时间，跟电子工程师的熟练程度、工作效率和工作时间直接有关。这就是电子工程师的价值。
将电子产品抽象成一个硬件的模型，大约有以下组成：
1) 输入
2) 处理核心
3) 输出
输入基本上有以下的可能：
1) 键盘
2) 串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）
3) 开关量（TTL，电流环路，干接点）
4) 模拟量（4~20ma、 0~10ma、0~5V（平衡和非平衡信号））
输出基本上有以下组成：
1) 串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）
2) 开关量（TTL、电流环路、干接点、功率驱动）
3) 模拟量（4~20ma， 0~10ma，0~5V（平衡和非平衡信号））
4) LED显示：发光管、八字
5) 液晶显示器
6) 蜂鸣器
处理核心主要有：
1) 8位单片机，主要就是51系列
2) 32位arm单片机，主要有atmel和三星系列
51系列单片机现在看来，只能做一些简单的应用，说白了，这个芯片也就是做单一的一件事情，做多了，不如使用arm来做；还可以在arm上加一个操作系统，程序既可靠又容易编写。
最近三星的arm受到追捧，价格便宜，以太网和USB的接口也有，周立功的开发系统也便宜，作为学习ARM的产品来说，应该是最好的；作为工业级的控制，是不是合适，在网友中有不同的看法和争议。本公司使用atmel ARM91系列开发的1个室外使用的产品，在北京室外使用，没有任何的通风和加热的措施，从去年的5月份到现在，运行情况良好。已经有个成功应用的案例。
但对于初学者来说，应该从51着手，一方面，51还是入门级的芯片，作为初学者练手还是比较好的，可以将以上的概念走一遍；很多特殊的单片机也是在51的核的基础上增加了一些I/O和A/D、D/A；也为今后学习更高一级的单片机和ARM打下基础。再说了，哪个老板会将ARM级别的开发放在连51 也没有学过的新手手中？
在51上面去做复杂的并行扩展是没有必要的，比如，扩展I/O口和A/D、D/A等等，可以直接买带有A/D、D/A的单片机；或者直接使用ARM，它的 I/O口线口多。可以使用I2C接口的芯片，扩展I/O口和A/D、D/A，以及SPI接口扩展LED显示，例如：MAX7219等芯片。
市面上一些比较古老的书籍中还有一些并行扩展的例子，如：RAM、EPROM、A/D、D/A等，我觉得已经没有必要去看了，知道历史上有这些一回事就行了；
这些知识，是所有产品都具备的要素。所以要学，再具体应用。
说一个小的故事：野人献曝。
从前，有一个农民，冬天干了活后，休息晒太阳。好舒服呀。
他想，这么舒服的享受，我要献给国王，让他也能得到享受。
于是他兴冲冲地到了王宫，将他的宝贵经验献给了国王。
我现在就象这个农民，把自己认为很宝贵的经验献给大家。希望大家多提宝贵意见；拍板砖也可以，骂我也无所谓，呵呵，随便。
第一课：51单片机最小系统
实际上，51单片机核心外围电路是很简单的，一个单片机＋一个看门狗＋一个晶振＋2个磁片电容；
1. 单片机：atmel的89C51系列、winbond的78E52系列，还有philips的系列，都差不多；现在有一些有ISP（在线下载的），就更好用了；
2. 看门狗：种类很多，我常用的有max691/ca1161和DS1832等，具体看个人习惯、芯片工作电压、封装等。Max系列和DS系列，还有IMP公司的，种类很多，一般只需要有最基本的功能就可以了；原来我使用max691，但是max691比较贵，因为它有电池切换功能，后来新设计电路板，就都采用ca1161了。
很早以前的电路设计中，现在可能还有人使用，使用一个电阻和一个电容达成的上电复位电路；但是，这样的复位电路一个是不可靠，为什么不可靠，网络上能找得到专门论述复位电路的文章；更重要的是，51系列的单片机比较容易受到干扰；没有看门狗电路是不行的，当程序跑飞时，回不来了，死在那里。
常规的做法是买一个专门的看门狗电路，完成复位电路和看门狗电路的功能。
这些芯片的资料很容易在网络上找到，通常使用百度搜索就可以了；看见有PDF的字样，就点击下载；使用网际快车flashget下载也是最好的；
这些资料通常是pdf格式的文件，所以，还需要一个pdf的阅读器。
百度网址 http://www.baidu.com/
网际快车下载网址 http://www.skycn.com/soft/879.html
PDF阅读器下载网址 http://www.chinapdf.com/download.htm
实际上，有了百度和其它的搜索引擎，很方便下载到这些芯片的资料，比光盘还方便，不需要去到处找。
单片机和单片机抗干扰能力是不一样的。如果你的产品是工作在干扰比较大的环境，可以试试选用不同品牌的单片机；原来我在一个光电所，做YAG激光治疗机的控制部分，脉冲激光机的电源放电的时候，能量是很大的，在采取了所有能够想到的光电隔离等措施之后，还是不行；后来，选用了intel的8031，就可以了。小声的说：当时的philips的单片机抗干扰性能是最差的，可能跟Philips主要是用在民用领域有关。现在不知道怎么样了，有人知道的话告诉我。
单片机的输入输出口线是最容易引进干扰的地方；在严重干扰的情况下，需要将所有的口线光电隔离。
3. 晶振：一般选用11.0592M，因为可以准确地得到9600波特率和19200波特率；也可以使用36.864M，这个频率是1.8432M的20倍，看别人的电路板上用过，我也没有用到。这2种晶振很容易买到，价钱跟12M的一样。书上说，12M的晶振也能得到9600的波特率，但是，实际用的时候，会每隔一段时间就出错一次，好像累积误差一样，比较奇怪。
即使你的单片机系统不使用RS232接口，也可以做一个Rs232，留着做测试，或者预留等等，没有坏处。除非你的单片机系统的口线不够用了。
4. 磁片电容：22pf～30pf，可以在有些书上找到什么晶振频率对应什么容量的磁片电容，但是，我都是随便拿来使用，反正在11.0592M下，都没有问题；如果你用到了更高的频率，最好还是找找资料看看。
学习C51单片机，主要熟记指令，再移位寄存器知识。
其实，可能有些你用不上，但是知道了也没有坏处；所谓书到用时方很少，又有谓艺不压身。知识＝月薪＝年薪＝金钱＝香车宝马＝…….. ，呵呵。
为什么要掌握这些知识？
实际上，电子工程师就是将一堆器件搭在一起，注入思想（程序），完成原来的这些器件分离时无法完成的功能，做成一个成品。所需要的技能越高、功能越复杂、成本越低、市场上对相应的东东的需求越大，就越成功。这就是电子工程师的自身的价值。从成本到产品售出，之间的差价就是企业的追求。作为企业的老板，是在市场上去寻找这样的应用；对电子工程师而言，是将老板提出的需求或者应用按照一定的构思原则（成本最低、可靠性最高、电路板最小、功能最强大等）在最短的时间内完成。最短的时间，跟电子工程师的熟练程度、工作效率和工作时间直接有关。这就是电子工程师的价值。
将电子产品抽象成一个硬件的模型，大约有以下组成：
1) 输入
2) 处理核心
3) 输出
输入基本上有以下的可能：
1) 键盘
2) 串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）
3) 开关量（TTL，电流环路，干接点）
4) 模拟量（4~20ma、 0~10ma、0~5V（平衡和非平衡信号））
输出基本上有以下组成：
1) 串行接口（RS232/485/can bus/以太网/USB）
2) 开关量（TTL、电流环路、干接点、功率驱动）
3) 模拟量（4~20ma， 0~10ma，0~5V（平衡和非平衡信号））
4) LED显示：发光管、八字
5) 液晶显示器
6) 蜂鸣器
处理核心主要有：
1) 8位单片机，主要就是51系列
2) 32位arm单片机，主要有atmel和三星系列
51系列单片机现在看来，只能做一些简单的应用，说白了，这个芯片也就是做单一的一件事情，做多了，不如使用arm来做；还可以在arm上加一个操作系统，程序既可靠又容易编写。
最近三星的arm受到追捧，价格便宜，以太网和USB的接口也有，周立功的开发系统也便宜，作为学习ARM的产品来说，应该是最好的；作为工业级的控制，是不是合适，在网友中有不同的看法和争议。本公司使用atmel ARM91系列开发的1个室外使用的产品，在北京室外使用，没有任何的通风和加热的措施，从去年的5月份到现在，运行情况良好。已经有个成功应用的案例。
但对于初学者来说，应该从51着手，一方面，51还是入门级的芯片，作为初学者练手还是比较好的，可以将以上的概念走一遍；很多特殊的单片机也是在51的核的基础上增加了一些I/O和A/D、D/A；也为今后学习更高一级的单片机和ARM打下基础。再说了，哪个老板会将ARM级别的开发放在连51 也没有学过的新手手中？
在51上面去做复杂的并行扩展是没有必要的，比如，扩展I/O口和A/D、D/A等等，可以直接买带有A/D、D/A的单片机；或者直接使用ARM，它的 I/O口线口多。可以使用I2C接口的芯片，扩展I/O口和A/D、D/A，以及SPI接口扩展LED显示，例如：MAX7219等芯片。
市面上一些比较古老的书籍中还有一些并行扩展的例子，如：RAM、EPROM、A/D、D/A等，我觉得已经没有必要去看了，知道历史上有这些一回事就行了；
这些知识，是所有产品都具备的要素。所以要学，再具体应用。
说一个小的故事：野人献曝。
从前，有一个农民，冬天干了活后，休息晒太阳。好舒服呀。
他想，这么舒服的享受，我要献给国王，让他也能得到享受。
于是他兴冲冲地到了王宫，将他的宝贵经验献给了国王。
我现在就象这个农民，把自己认为很宝贵的经验献给大家。希望大家多提宝贵意见；拍板砖也可以，骂我也无所谓，呵呵，随便。
第一课：51单片机最小系统
实际上，51单片机核心外围电路是很简单的，一个单片机＋一个看门狗＋一个晶振＋2个磁片电容；
1. 单片机：atmel的89C51系列、winbond的78E52系列，还有philips的系列，都差不多；现在有一些有ISP（在线下载的），就更好用了；
2. 看门狗：种类很多，我常用的有max691/ca1161和DS1832等，具体看个人习惯、芯片工作电压、封装等。Max系列和DS系列，还有IMP公司的，种类很多，一般只需要有最基本的功能就可以了；原来我使用max691，但是max691比较贵，因为它有电池切换功能，后来新设计电路板，就都采用ca1161了。
很早以前的电路设计中，现在可能还有人使用，使用一个电阻和一个电容达成的上电复位电路；但是，这样的复位电路一个是不可靠，为什么不可靠，网络上能找得到专门论述复位电路的文章；更重要的是，51系列的单片机比较容易受到干扰；没有看门狗电路是不行的，当程序跑飞时，回不来了，死在那里。
常规的做法是买一个专门的看门狗电路，完成复位电路和看门狗电路的功能。
这些芯片的资料很容易在网络上找到，通常使用百度搜索就可以了；看见有PDF的字样，就点击下载；使用网际快车flashget下载也是最好的；
这些资料通常是pdf格式的文件，所以，还需要一个pdf的阅读器。
百度网址 http://www.baidu.com/
网际快车下载网址 http://www.skycn.com/soft/879.html
PDF阅读器下载网址 http://www.chinapdf.com/download.htm
实际上，有了百度和其它的搜索引擎，很方便下载到这些芯片的资料，比光盘还方便，不需要去到处找。
单片机和单片机抗干扰能力是不一样的。如果你的产品是工作在干扰比较大的环境，可以试试选用不同品牌的单片机；原来我在一个光电所，做YAG激光治疗机的控制部分，脉冲激光机的电源放电的时候，能量是很大的，在采取了所有能够想到的光电隔离等措施之后，还是不行；后来，选用了intel的8031，就可以了。小声的说：当时的philips的单片机抗干扰性能是最差的，可能跟Philips主要是用在民用领域有关。现在不知道怎么样了，有人知道的话告诉我。
单片机的输入输出口线是最容易引进干扰的地方；在严重干扰的情况下，需要将所有的口线光电隔离。
3. 晶振：一般选用11.0592M，因为可以准确地得到9600波特率和19200波特率；也可以使用36.864M，这个频率是1.8432M的20倍，看别人的电路板上用过，我也没有用到。这2种晶振很容易买到，价钱跟12M的一样。书上说，12M的晶振也能得到9600的波特率，但是，实际用的时候，会每隔一段时间就出错一次，好像累积误差一样，比较奇怪。
即使你的单片机系统不使用RS232接口，也可以做一个Rs232，留着做测试，或者预留等等，没有坏处。除非你的单片机系统的口线不够用了。
4. 磁片电容：22pf～30pf，可以在有些书上找到什么晶振频率对应什么容量的磁片电容，但是，我都是随便拿来使用，反正在11.0592M下，都没有问题；如果你用到了更高的频率，最好还是找找资料看看。
学习C51单片机，主要熟记指令，再移位寄存器知识。
2009年7月26日星期日
马云给雅虎员工作的精彩演讲：爱迪生欺骗了世界！
今天是我第一次和雅虎的朋友们面对面交流。我希望把我成功的经验和大家分享，尽管我认为你们其中的绝大多数勤劳聪明的人都无法从中获益，但我坚信，一定有个别懒得去判断我讲的是否正确就效仿的人，可以获益匪浅。
让我们开启今天的话题吧！
世界上很多非常聪明并且受过高等教育的人，无法成功。就是因为他们从小就受到了错误的教育，他们养成了勤劳的恶习。很多人都记得爱迪生说的那句话吧：天才就是99％的汗水加上1％的灵感。并且被这句话误导了一生。勤勤恳恳的奋斗，最终却碌碌无为。其实爱迪生是因为懒得想他成功的真正原因，所以就编了这句话来误导我们。
很多人可能认为我是在胡说八道，好，让我用100个例子来证实你们的错误吧！事实胜于雄辩。
世界上最富有的人，比尔盖茨，他是个程序员，懒得读书，他就退学了。他又懒得记那些复杂的dos命令，于是，他就编了个图形的界面程序，叫什么来着？我忘了，懒得记这些东西。于是，全世界的电脑都长着相同的脸，而他也成了世界首富。
世界上最值钱的品牌，可口可乐。他的老板更懒，尽管中国的茶文化历史悠久，巴西的咖啡香味浓郁，但他实在太懒了。弄点糖精加上凉水，装瓶就卖。于是全世界有人的地方，大家都在喝那种像血一样的液体。
世界上最好的足球运动员，罗纳耳朵，他在场上连动都懒得动，就在对方的门前站着。等球砸到他的时候，踢一脚。这就是全世界身价最高的运动员了。有的人说，他带球的速度惊人，那是废话，别人一场跑90分钟，他就跑15秒，当然要快些了。
世界上最厉害的餐饮企业，麦当劳。他的老板也是懒得出奇，懒得学习法国大餐的精美，懒得掌握中餐的复杂技巧。弄两片破面包夹块牛肉就卖，结果全世界都能看到那个M的标志。必胜客的老板，懒得把馅饼的馅装进去，直接撒在发面饼上边就卖，结果大家管那叫PIZZA,比10张馅饼还贵。
还有更聪明的懒人：
懒得爬楼，于是他们发明了电梯；
懒得走路，于是他们制造出汽车，火车，和飞机；
懒得一个一个的杀人，于是他们发明了原子弹；
懒得每次去计算，于是他们发明了数学公式；
懒得出去听音乐会，于是他们发明了唱片，磁带和CD;
这样的例子太多了，我都懒得再说了。
还有那句废话也要提一下，生命在于运动，你见过哪个运动员长寿了？世界上最长寿的人还不是那些连肉都懒得吃的和尚？
如果没有这些懒人，我们现在生活在什么样的环境里，我都懒得想！
人是这样，动物也如此。世界上最长寿的动物叫乌龟，他们一辈子几乎不怎么动，就趴在那里，结果能活一千年。他们懒得走，但和勤劳好动的兔子赛跑，谁赢了？牛最勤劳，结果人们给它吃草，却还要挤它的奶。熊猫傻了吧唧的，什么也不干，抱着根竹子能啃一天，人们亲昵的称它为“国宝“。
回到我们的工作中，看看你公司里每天最早来最晚走，一天像发条一样忙个不停的人，他是不是工资最低的？那个每天游手好闲，没事就发呆的家伙，是不是工资最高，据说还有不少公司的股票呢！
我以上所举的例子，只是想说明一个问题，这个世界实际上是靠懒人来支撑的。世界如此的精彩都是拜懒人所赐。现在你应该知道你不成功的主要原因了吧！
懒不是傻懒，如果你想少干，就要想出懒的方法。要懒出风格，懒出境界。像我从小就懒，连长肉都懒得长，这就是境界。
再次感谢大家！
让我们开启今天的话题吧！
世界上很多非常聪明并且受过高等教育的人，无法成功。就是因为他们从小就受到了错误的教育，他们养成了勤劳的恶习。很多人都记得爱迪生说的那句话吧：天才就是99％的汗水加上1％的灵感。并且被这句话误导了一生。勤勤恳恳的奋斗，最终却碌碌无为。其实爱迪生是因为懒得想他成功的真正原因，所以就编了这句话来误导我们。
很多人可能认为我是在胡说八道，好，让我用100个例子来证实你们的错误吧！事实胜于雄辩。
世界上最富有的人，比尔盖茨，他是个程序员，懒得读书，他就退学了。他又懒得记那些复杂的dos命令，于是，他就编了个图形的界面程序，叫什么来着？我忘了，懒得记这些东西。于是，全世界的电脑都长着相同的脸，而他也成了世界首富。
世界上最值钱的品牌，可口可乐。他的老板更懒，尽管中国的茶文化历史悠久，巴西的咖啡香味浓郁，但他实在太懒了。弄点糖精加上凉水，装瓶就卖。于是全世界有人的地方，大家都在喝那种像血一样的液体。
世界上最好的足球运动员，罗纳耳朵，他在场上连动都懒得动，就在对方的门前站着。等球砸到他的时候，踢一脚。这就是全世界身价最高的运动员了。有的人说，他带球的速度惊人，那是废话，别人一场跑90分钟，他就跑15秒，当然要快些了。
世界上最厉害的餐饮企业，麦当劳。他的老板也是懒得出奇，懒得学习法国大餐的精美，懒得掌握中餐的复杂技巧。弄两片破面包夹块牛肉就卖，结果全世界都能看到那个M的标志。必胜客的老板，懒得把馅饼的馅装进去，直接撒在发面饼上边就卖，结果大家管那叫PIZZA,比10张馅饼还贵。
还有更聪明的懒人：
懒得爬楼，于是他们发明了电梯；
懒得走路，于是他们制造出汽车，火车，和飞机；
懒得一个一个的杀人，于是他们发明了原子弹；
懒得每次去计算，于是他们发明了数学公式；
懒得出去听音乐会，于是他们发明了唱片，磁带和CD;
这样的例子太多了，我都懒得再说了。
还有那句废话也要提一下，生命在于运动，你见过哪个运动员长寿了？世界上最长寿的人还不是那些连肉都懒得吃的和尚？
如果没有这些懒人，我们现在生活在什么样的环境里，我都懒得想！
人是这样，动物也如此。世界上最长寿的动物叫乌龟，他们一辈子几乎不怎么动，就趴在那里，结果能活一千年。他们懒得走，但和勤劳好动的兔子赛跑，谁赢了？牛最勤劳，结果人们给它吃草，却还要挤它的奶。熊猫傻了吧唧的，什么也不干，抱着根竹子能啃一天，人们亲昵的称它为“国宝“。
回到我们的工作中，看看你公司里每天最早来最晚走，一天像发条一样忙个不停的人，他是不是工资最低的？那个每天游手好闲，没事就发呆的家伙，是不是工资最高，据说还有不少公司的股票呢！
我以上所举的例子，只是想说明一个问题，这个世界实际上是靠懒人来支撑的。世界如此的精彩都是拜懒人所赐。现在你应该知道你不成功的主要原因了吧！
懒不是傻懒，如果你想少干，就要想出懒的方法。要懒出风格，懒出境界。像我从小就懒，连长肉都懒得长，这就是境界。
再次感谢大家！
2009年7月22日星期三
CVD 和 PVD
一 CVD
化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点，CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。
常用的CVD技术有：
(1) 常压化学气相淀积（APCVD）；
(2) 低压化学气相淀积（LPCVD）；
(3) 等离子增强化学气相淀积（PECVD）；
较为常见的CVD薄膜包括有： 二氧化硅（通常直接称为氧化层）、氮化硅、多晶硅、难熔金属与这类金属之硅化物。
常压化学汽相淀积(NPCVD) (Normal Pressure CVD)
常压化学气相淀积(APCVD/NPCVD)是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，并且其淀积速率可超过1000埃/min，特别适于介质淀积，但是它的缺点是均匀性较差，所以，APCVD一般用在厚的介质淀积。
APCVD 为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3) 反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。
低压化学汽相淀积(LPCVD)
随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，出现了低压化学气相淀积(LPCVD)。低压化学气相淀积是指系统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积，是一种重要的薄膜淀积技术。
低压化学气相淀积(LPCVD)主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。
等离子增强化学汽相淀积(PECVD)
等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是指采用高频等离子体驱动的一种气相淀积技术，是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术。该气相淀积的方法可以在非常低的衬底温度下淀积薄膜，例如在铝(A1)上淀积Si02。工艺上等离子体增强化学气相淀积主要用于淀积绝缘层。
金属CVD
由于LPCVD具有诸多优点，因此它为金属淀积提供了另一种选择。金属化学气相淀积是一个全新的气相淀积的方法，利用化学气相淀积的台阶覆盖能力好的优点，可以实现高密度互联的制作。利用LPCVD淀积钨来填充通孔。温度约300℃。这可以和淀积铝膜工艺相适应。金属进入接触孔时台阶覆盖是人们最关心的问题之一，尤其是对深亚微米器件，溅射淀积金属薄膜对不断增加的高纵横比结构的台阶覆盖变得越来越困难。在旧的工艺中，为了保证金属覆盖在接触孔上，刻蚀工艺期间必须小心地将侧壁刻成斜坡，这样金属布线时出现“钉头”(见图)。“钉头”将显著降低布线密度。如果用金属CVD，就可以避免“钉头”的出现，从而布线密度得到提高。钨是当前最流行的金属CVD材料。
钨作为阻挡层金属，它的淀积可以通过硅与六氟化钨（WF6）气体进行反应。其反应式为： 2WF6+3Si2→2W+3SiF4
外延生长法(epitaxial growth)
外延生长法(epitaxial growth)能生长出和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜。在双极型集成电路中，为了将衬底和器件区域隔离(电绝缘)，在P型衬底上外延生长N型单晶硅层。在MOS集成电路中也广泛使用外延生长法，以便容易地控制器件的尺寸，达到器件的精细化。此时，用外延生长法外延一层杂质浓度低(约10~15 cm-3)的供形成的单晶层、衬底则为高浓度的基片，以降低电阻，达到基极电位稳定的目的。外延生长法可以在平面或非平面衬底生长、能获得十分完善的结构。外延生长法可以进行掺杂，形成n-和p-型层，设备为通用外延生长设备，生长温度为300 ℃~900 ℃，生长速率为0.2μm-2μm/min，厚度0.5μm-100μm，外延层的外貌决定于结晶条件，并直接获得具有绒面结构表面外延层。生长有外延层的晶体片叫做外延片。
二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源。
低温CVD氧化层：低于500℃
中等温度淀积：500～800℃
高温淀积：900℃左右
多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。
氮化硅的化学汽相淀积：中等温度(780～820℃)的LPCVD或低温(300℃) PECVD方法淀积
淀积多晶硅
淀积多晶硅一般采用化学汽相淀积（LPCVD）的方法。利用化学反应在硅片上生长多晶硅薄膜。适当控制压力、温度并引入反应的蒸汽，经过足够长的时间，便可在硅表面淀积一层高纯度的多晶硅。
二 PVD
PVD主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩气等惰性气体，在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。 PVD以真空、溅射、离子化或离子束等方法使純金属挥发，与碳化氫、氮气等气体作用，加热至400～600℃（約1～3小時）后，蒸镀碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細粒状薄膜。PVD可分为三种技术
(1)蒸镀（Evaporation）；
(2)分子束外延成长（Molecular Beam Epitaxy MBE）；
(3)溅镀（Sputter）
PVD 技术有两种基本工艺：蒸镀法和溅镀法。前者是通过把被蒸镀物质(如铝)加热，利用被蒸镀物质在高温下(接近物质的熔点)的饱和蒸气压，来进行薄膜沉积；后者是利用等离子体中的离子，对被溅镀物质电极进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物质的粒子，这些粒子沉积到硅表面形成薄膜。在集成电路中应用的许多金属或合金材料都可通过蒸镀或溅镀的方法制造。淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行的。在硅片的表面形成一层铝膜。
化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点，CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。
常用的CVD技术有：
(1) 常压化学气相淀积（APCVD）；
(2) 低压化学气相淀积（LPCVD）；
(3) 等离子增强化学气相淀积（PECVD）；
较为常见的CVD薄膜包括有： 二氧化硅（通常直接称为氧化层）、氮化硅、多晶硅、难熔金属与这类金属之硅化物。
常压化学汽相淀积(NPCVD) (Normal Pressure CVD)
常压化学气相淀积(APCVD/NPCVD)是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，并且其淀积速率可超过1000埃/min，特别适于介质淀积，但是它的缺点是均匀性较差，所以，APCVD一般用在厚的介质淀积。
APCVD 为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3) 反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。
低压化学汽相淀积(LPCVD)
随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，出现了低压化学气相淀积(LPCVD)。低压化学气相淀积是指系统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积，是一种重要的薄膜淀积技术。
低压化学气相淀积(LPCVD)主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。
等离子增强化学汽相淀积(PECVD)
等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是指采用高频等离子体驱动的一种气相淀积技术，是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术。该气相淀积的方法可以在非常低的衬底温度下淀积薄膜，例如在铝(A1)上淀积Si02。工艺上等离子体增强化学气相淀积主要用于淀积绝缘层。
金属CVD
由于LPCVD具有诸多优点，因此它为金属淀积提供了另一种选择。金属化学气相淀积是一个全新的气相淀积的方法，利用化学气相淀积的台阶覆盖能力好的优点，可以实现高密度互联的制作。利用LPCVD淀积钨来填充通孔。温度约300℃。这可以和淀积铝膜工艺相适应。金属进入接触孔时台阶覆盖是人们最关心的问题之一，尤其是对深亚微米器件，溅射淀积金属薄膜对不断增加的高纵横比结构的台阶覆盖变得越来越困难。在旧的工艺中，为了保证金属覆盖在接触孔上，刻蚀工艺期间必须小心地将侧壁刻成斜坡，这样金属布线时出现“钉头”(见图)。“钉头”将显著降低布线密度。如果用金属CVD，就可以避免“钉头”的出现，从而布线密度得到提高。钨是当前最流行的金属CVD材料。
钨作为阻挡层金属，它的淀积可以通过硅与六氟化钨（WF6）气体进行反应。其反应式为： 2WF6+3Si2→2W+3SiF4
外延生长法(epitaxial growth)
外延生长法(epitaxial growth)能生长出和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜。在双极型集成电路中，为了将衬底和器件区域隔离(电绝缘)，在P型衬底上外延生长N型单晶硅层。在MOS集成电路中也广泛使用外延生长法，以便容易地控制器件的尺寸，达到器件的精细化。此时，用外延生长法外延一层杂质浓度低(约10~15 cm-3)的供形成的单晶层、衬底则为高浓度的基片，以降低电阻，达到基极电位稳定的目的。外延生长法可以在平面或非平面衬底生长、能获得十分完善的结构。外延生长法可以进行掺杂，形成n-和p-型层，设备为通用外延生长设备，生长温度为300 ℃~900 ℃，生长速率为0.2μm-2μm/min，厚度0.5μm-100μm，外延层的外貌决定于结晶条件，并直接获得具有绒面结构表面外延层。生长有外延层的晶体片叫做外延片。
二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物用作扩散源。
低温CVD氧化层：低于500℃
中等温度淀积：500～800℃
高温淀积：900℃左右
多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。
氮化硅的化学汽相淀积：中等温度(780～820℃)的LPCVD或低温(300℃) PECVD方法淀积
淀积多晶硅
淀积多晶硅一般采用化学汽相淀积（LPCVD）的方法。利用化学反应在硅片上生长多晶硅薄膜。适当控制压力、温度并引入反应的蒸汽，经过足够长的时间，便可在硅表面淀积一层高纯度的多晶硅。
二 PVD
PVD主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩气等惰性气体，在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。 PVD以真空、溅射、离子化或离子束等方法使純金属挥发，与碳化氫、氮气等气体作用，加热至400～600℃（約1～3小時）后，蒸镀碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細粒状薄膜。PVD可分为三种技术
(1)蒸镀（Evaporation）；
(2)分子束外延成长（Molecular Beam Epitaxy MBE）；
(3)溅镀（Sputter）
PVD 技术有两种基本工艺：蒸镀法和溅镀法。前者是通过把被蒸镀物质(如铝)加热，利用被蒸镀物质在高温下(接近物质的熔点)的饱和蒸气压，来进行薄膜沉积；后者是利用等离子体中的离子，对被溅镀物质电极进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物质的粒子，这些粒子沉积到硅表面形成薄膜。在集成电路中应用的许多金属或合金材料都可通过蒸镀或溅镀的方法制造。淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行的。在硅片的表面形成一层铝膜。
2009年7月13日星期一
周立功-我的25年嵌入式生涯 (从小工到老总)
周立功，男，1964年3月出生，毕业于东华大学自动化及计算机系，高级工程师，中国单片机学会理事，中国海洋大学讲座教授，硕士生导师，主要研究方向为嵌入式系统与现场总线，目前正在从事80C51、ARM与Nios II等软核SoC的研究与开发。
从1994年11月开始创办了广州周立功单片机发展有限公司、广州致远电子有限公司除担任董事长与总经理之外，还继续从事实际的技术开发工作并任首席系统设计师和软件架构师，致力于单片机与嵌入式系统技术的推广及其产业化工作。在北京航空航天大学出版社出版或即将出版的单片机与嵌入式系统学科方向专著20余本，与同类图书相比都属于畅销书系列。《程序员》杂志的编辑约我写一篇命题作文，想了几天都无从下手不知道写什么才好。在这篇文章里，我不打算将创业的艰辛与喜悦重新回忆一遍，我确实不想去误导大家，因为我所处的年代是一个物质缺乏的年代，成功相对来说要容易得多。每个人的成长经历都有其个性化的东西，每个人的成功创业经验虽然有一些可以遵循的普遍规律，但一般来说都很难复制，成功需要不断地创新。
对于今天很多的年轻人来说，一味注重技术至上的观念刻骨铭心，其实很多时候努力并非一定有回报。事实上，有不少出类拔萃的人才往往做出来的产品就是卖不掉，因为设计者压根儿就不了解用户的需求和心理以及产品功能的恰当定义，而总想在同事及其老板面前卖弄自己的技术和产品功能。其实有很多思维性的东西恰恰是很多人所忽视的，因为从一开始的出发点就错了，怎么可能取得辉煌的成绩呢？所以有时拥有卓越的技术并不一定代表人生的成功，很多企业就是死在一些自命不凡的“卓越人才”手中。
它山之石可以攻玉，减少“阶段0”的开发
有所“创造”确实是人人期待的，令人瞩目的发明虽然激动人心却谈何容易，人们时常将盖茨没有任何爆炸性的发明作为茶余饭后的笑料，我们不妨从另外一个角度去探索微软的成功奥妙从而为我们所用。
确实不假，盖茨的DOS源代码是从帕特森手上“买”来的。这些年来，我收集了世界各地中英文版有关微软的专著来比较研究，大家仅仅注意到盖茨为建立整个行业架构标准的远见，并叹服盖茨深得市场运作经验的精髓，我认为这些研究成果都是后来者研究微软成功经验，是“牵强附会”不可复制的理论总结。
当初微软公司还仅仅是一家很稚嫩的公司，可以说生存下去是盖茨作为老板唯一的使命。事实上，正当盖茨决定动手来写IBM所要的OS时，原计划在一年左右完成，但IBM公司只给了他几个月的时间。尽管帕特森的QDOS并不完善错误百出，但为了履行对IBM的承诺，盖茨购买了QDOS改贴标签后卖给了IBM 公司。盖茨对此心知肚明，因为他知道如果用一年的时间来做OS的开发，他将失去与巨人IBM的合作机会，那是一种浪费。付一小部分的技术费用没有关系，只要能获得Know-how，获得更高的利润就好了。通过支付权利金引入技术，然后以模仿的方式学习他人的技术，再改造成符合IBM需要即可。
“买”——只要有现成的就不需要自己开发，这就是盖茨的过人之处，而且恰恰是很多人忽视的地方，值得我们所有人学习和仿效。盖茨就是由于没有“阶段0”，从而大幅度地降低开发风险。
当年，我是一个人单枪匹马借了2.15万元出来创业的，可以说是负资产，后来才开始有伙伴注资6万元。没有经验怎么办？我有一个非常好习惯，读书从不拘泥于他人的观点，也满足于人云亦云，否则那就是听别人讲故事，那不是您的东西，有入宝山空手而归。我认为，要想成功就必须“研究”成功者的轨迹，向成功者学习。
下面我会把我“第一桶金”的故事告诉你，这也是尽量减少“阶段0”开发一个非常典型的例子。
当年，《羊城晚报》几乎每天都有半版广告刊登信息台（听歌、悄悄话等）广告，一打听广告费每天几十万。当时相信不少人在利用公费电话在拨打这些信息台。后来我送货到客户那里发现电话机都外加了一个铁壳并上了一把锁，从看到那一幕开始，我决定做电话加密码锁，锁长途电话0字头，手机、BB机、信息台的9字头。通过朋友介绍，福州某公司有这个技术，于是我打了一个试探性的电话，使用5000元购买方案和源代码，对方非常爽快地同意了。我生怕有变立即坐飞机到福州去，很快就见到了郑新建工程师，他原来在福州某公司工作，我见到他的时候已经离开了福州某公司，但仍然自己写一些产品解决方案，通过福州某公司销售。买到方案与源代码之后，我立即带样机到各地去做测试，发现这台样机兼容性太差，而且市场已经开始在卖的产品也存在同样的问题，我想只要解决好兼容性的问题，如果在任何地区交换机局域网都能够使用，那就是最好的产品不愁没有市场。
我当时既没有资金也没有生产和销售经验，到底怎么将技术变成市场上所需要的产品呢？那是因为我找到了生产电话分线器的广州市白云区百新电器厂的老板陈国亮，由他生产和销售，每销售一台产品给我提成。以这个项目为起点，我们使用PIC单片机的数量很快就达到了每月100K以上，一年以后Microchip 香港公司经理Andi主动找上门来将当时的广州强力电子研究所发展成为了授权分销商。
毫不否认盖茨的远见和判断力是微软至关重要的核心竞争力，但盖茨也绝非天才，否则盖茨就不会在浏览器上输给网景了，尽管微软使用的很多技术都不是微软所发明的，但毫不妨碍微软独步天下。
注重核心技术，其余的外包
通过创业以来第一个项目的成功，我深深地体会到商业模式比技术本身更重要。
通过十多年的努力，我们设计的“铁将军（Steel Mate）”品牌汽车防盗器、汽车倒车雷达不仅成为了全世界范围的“隐性冠军”，而且为GE等世界著名汽车厂商售前市场提供配套产品，与此同时我们为智能卡酒店门锁厂商设计与制造的各种智能卡门锁控制模块在国内也一直处于第一名的地位。
他们为何能够取得与众不同的成功呢？其最大的长处就是产品创意与制造、简约时尚风格的工业设计、模具制造技术以及精心打造的销售渠道，这些厂商深刻明白“注重核心技术做自己擅长的，其余的外包分段取利”的基本道理，而对于我来说就是“智慧出租”，通过与强者合作获得双赢。
通过这些成功经验的积累，我们开始全力以赴注重发展核心技术，将自己不擅长的技术全部外包。比如，我们长期投资清华大学计算机系，并建立以陈渝博士后为主Linux内核开发团队，为公司底层的技术提供良好支撑，而我们自己则将精力集中于Linux驱动开发。这种分工合作、协同开发的模式赢得市场上宝贵的时间，并快速取得了应用成果。
也许有程序员会关心JTAG开发工具问题，那也是一个“外包”的项目。当时，我们在网上发现了一个由计算机爱好者业余时间设计的H-JTAG，这是一个比较稳定的调试器软件，正好适合我们使用。于是我就同设计者联系，并决定由周立功单片机资助他继续开发，同时，其开发成果还免费提供给网上的用户下载，保证它作为一个自由软件。其实，无论是Linux还是H-JTAG都是开源软件，如果担心其它的同行因此受益而超越自己的话，难免需要在公司负担很多开发人员，面面俱到地做许多事实上是重复的开发工作。其实，我们的合作伙伴都是所在领域的专家，如果自己从头到尾去学习和开发，不仅抢了合作伙伴的饭碗，而且结果未必理想。这种情况下不但会延误宝贵的商机，而且还会影响与合作伙伴之间的关系。其实只要引入我们企业长期积累和制定的嵌入式系统工程管理思想和规范，即可得到自己想要的结果：“做你最擅长的，其余的外包”，类似这样的案例在周立功单片机将会越来越多。
专注与差异化生存
1999年1月23日我离开了原公司，先后分别创立了广州周立功单片机发展有限公司与广州致远电子有限公司，分别从事贸易业务与产品制造。
作为代理商通过为客户提供解决方案从而达到大批量销售芯片是代理行业惯常使用的手段，而实际上通过设计能够真正达到增值获得丰厚回报的代理商却少之又少。要知道过去公司的人才数量和资源是非常宝贵的，如果没有正确的战略，机会可能稍纵即逝。事实上创业开始的前几年，我们一共为用户设计了超过100个品类的产品，产品型号超过500种，可以说几乎涉及到了各行各业，但能够带来稳定而丰厚回报的案例几乎没有。我经过一段时间的思考和报表分析发现，目前公司的业务做得太多、太杂，没有将任何一个行业做精。于是我下定决心减少用户数量集中精力在1－2个行业做强、做大，直至成为顶尖的行业专家，坚持十年如一日重点做好汽车配套产品与智能卡门锁控制模块的开发。通过多年的精耕细作，我们通过为直接用户设计产品增值年销售单片机的数量已经超过了1000万片，无论是对用户还是对半导体公司来说，我们无疑是一家非常有价值的代理商。
1999年5月，PHILIPS半导体公司邀请我去上海洽谈是否有意向代理LPC700单片机，当我拿到用户手册时离去上海的时间只有5天。当时公司不像现在有250位大学生，总共只有8个人，怎么办？我一边写商业计划书，一边与大家翻译用户手册、打字和贴图，面对机会就像抓住救命稻草一样加班加点，每天只休息3－5个小时。第5天我赶到上海东亚富豪酒店时，我将整整齐齐的材料放在了来自美国PHILIPS半导体公司2位经理的面前，包括吃饭在内仅仅只洽谈了2个小时，代理权就正式谈下来了。事后他们告诉我，就是因为我与众不同，专注且非常有个性。
风雨变换诱惑莫测，人怕出名猪怕壮，这是常理！随后找上门来要求我们代理芯片的著名半导体公司不下10 家。这时候，对于很多人来说不做什么就是一个艰难的选择。此时，我认为不管对方开出的条件多好，有冲突的就是不做，性能不突出的也不做，如果能够形成价值链互补，就一定要通过自己的努力和业绩表现主动去“求”半导体公司授权给我们，我就是这样取得了Keil、Catalyst、Sipex的代理权和信用额度。2004年SHARP半导体公司北京、日本、美国一共五位经理来到我的办公室要求我代理SHARP的ARM，帮助SHARP在中国推广以及制造用于全球销售的开发套件，我根本没有思考就一口回绝了，可以说 SHARP给我的条件非常之好，特别是美国人觉得是非常不可思议的事情，作为商人这么好的赚钱机会都不要。为什么？我们之所以暂时“强大”，就是因为我们长期以来专注于发展PHILIPS半导体，集中精力对准焦点成为了小河里的大鱼，进而才引起了众人的关注。如果我们分散了精力，最后的结果一定会什么都不是！
当决定专注的目标之后，接下来的就是想办法如何做得与众不同，这是一件不容易的事情。最重要的就是穷举用户最大的需求和竞争者最容易忽略之处，然后将其做到最好。
为了推广好PHILIPS的单片机和ARM，我们定位于帮助初学者快速入门，至今一共编写出版了20多本专著，并将大部分版权全部捐献给了出版社用于降低成本，同时我也还会继续坚持将这项工作做下去、争取做得更好。邓小平有一句名言：“计算机要从娃娃抓起！”我认为，任何一个有远见的厂商，要想成功地推广嵌入式系统，一定要从在校大学生抓起，这必定是一件一举多得的好事。既能够提高企业的美誉度，又能获得市场占有率，还能为学生提供实践的理论基础。为何很少有厂商或者代理商心甘情愿去做？这不仅可帮助企业建立差异化，而且还能够给企业带来长远的利益，何乐而不为？
比如说，至今在国内任何一家代理商的网站上几乎都找不到完整的芯片中文数据手册、用户手册与应用手册，不是我们的同行不知道其中的重要性。首先大家普遍认为这是半导体公司的份内之事，其次大家或许感到自己做好之后放到网站任由用户免费下载，会给其它代理商占了便宜。但很多人却始终不明白，这是满足用户需求制造公司服务差异化的最佳机会。
于是我们决心从网站入手坚持长期投资，做中国最好的嵌入式系统专业技术网站，建立专业的技术支持与开发团队。特别是对于优质用户的服务，网站还专门开通了“快速绿色通道”，如果这样的用户遇到问题，都是由我、分公司经理及其相关服务部门的经理牵头负责实施“保姆式”的服务，我们实施的服务战略就是：“用有限的资源为有效的用户提供高质量的服务”。
“你若亲近神，神就亲近你！” 2001年8月一篇来自PHILIPS内部刊物的报道《风险意味着机会》，我是被推上了“本地英雄”封底人物栏目的第一位亚洲代理商；2004年 PHILIPS半导体公司又给我授予了“优秀卓越贡献奖”，来自全国各地的用户连续多年通过《亚洲资源》媒体将我们公司评选为“本地十大最受客户欢迎的分销商”。没有用户崇高的忠诚度和长期的大力支持，我们不可能从1999年以来连续多年销售单片机取得PHILIPS亚太区第一名的业绩。
一个“人弃我取”的机会成就了我，尽管个人与团队的努力至关重要，但可以毫不掩饰地说，如果没有PHILIPS半导体经理的慧眼相马，一定是巧妇难为无米之炊，业界不会再有我的一席之地。
在嵌入式系统应用技术方面与我们不相伯仲或者说比我们聪明能干的人才何止万千，为何只有少数人能够脱颖而出呢？就是因为想法太多、不专注，不能坚持在一个行业里面十年如一日地下苦功夫。但面对众多的竞争者和后来者，我每天都如履薄冰，不敢有丝毫的懈怠，每天坚持学习到深夜，因为唯有不断地学习和更新思维才有可能具备远见并及时规避可能出现的失误。
关注用户的需求
其实维系企业生命的关键在于产品是否能够获得市场的青睐，我们要做的并非是成为技术的领先者，而是要将技术成果转化为迎合消费者需要的商品。
八十年代是一个物质缺乏的年代，而今天的人们更加注重消费享受和情感的分享，这是任何人都无法否认的现实。我们公司刚开始做产品时，由于我个人偏爱蓝色，所以我凭着老板的权威将所有产品的外观全部都做成蓝色，其实当时也有不少的人向我提出改进意见，但我仍然还是无动于衷，为什么？就是因为我是做技术出身的，而且从创业初期开始一直都是依靠技术一路拼杀过来的，可以说过于迷信技术的力量，因此在很长的一段时间内，公司完全走的是研究的路子。而我却恰恰忽视了用户读产品的心理需求，以至于在产品推向市场之后一直都无法打开局面。
当时，EasyPRO系列编程器面市的时候，其销售数量一年下来都不到500套，同时有用户表示对于产品的设计很不满意，这可以说是一次深刻的教训。于是我下定决心组建工业设计事业部，首先从EasyPRO系列通用编程器开始，亲自管理、研究和参与产品的外观设计，将原来的模具全部废掉重新设计。尽管是第一次设计，在产品的外观上没有做出非常杰出的效果，但无论如何，新产品外观比原有的产品出众得多。2005年10个月的时间里，EasyPRO系列通用编程器的销售数量达到了6000套。2006年我们又推出了SmartPRO系列智能型通用编程器，预计本年度销售编程器的总数量将超过10000套，而这些产品将带着我和我们公司跻身于国内编程器市场主流品牌之列。
从那次深刻的教训以后，我明白好的外观设计可以凸现产品的魅力，让产品与环境融为一体，刺激消费者产生强烈的购买欲望。即使是普通产品，经过精心设计，也会成为一件时尚产品，甚至让人们觉得它就是一件艺术品，从这一点来说，时尚、新潮、艺术化的外观设计是塑造产品品牌形象的第一要素。
从那以后，我开始改变产品简介、广告以及展示会的形象设计，为了配合新的形象，我们展开了大规模、全方位的宣传：一方面尽量多地为用户提供产品简介手册，同时通过大量的媒体广告，让用户认识并初步了解公司，从而迅速有效地提高了品牌知名度；另一方面组织各种全国巡回演讲、免费ARM技术培训活动和产品展示会，而且我们每次参加展示会都是投入4个摊位并进行特装展位设计，目的就是为了获得与用户积极沟通的机会。
2003年暑假期间，周立功单片机投资80万元邀请了行业3位著名的嵌入式系统专家组成讲师团在全国10个城市主办了免费的ARM巡回演讲，提供了免费的午餐，可以说规模空前。这次巡讲中，共有8000多人参加了这次活动，随后公司趁热打铁推出了售价400元的EasyARM2104开发学习套件，第一个月生产的1000套在15天之内抢购一空，直到销售了15000套之后才因新产品的推出而停产。这次活动不仅收回了80万元的宣传费用，而且还直接或间接地影响了超过50万嵌入式相关人员，强有力地达到了品牌宣传的目的。在赢得丰厚利润回报的同时，也打造了嵌入式行业一次非常成功的“事件营销”经典案例，我深深地体会到“俘虏”用户的心是提升品牌的唯一途径。
全球化市场意识
过去，一个公司可能需要等到10年之后才开始考虑是否全球化，而今天由于网络技术的发展，无论我们身处何地，世界各地的新信息仿佛就在眼前，谁也不会被边缘化了，所以今天成立公司明天就要准备全球销售。
这几年ARM已经到了热得不得了的程度，很多人不以为然，其实这是一种必然趋势。事实上，我在美国PHILIPS半导体公司看到，美国1997年出版的《嵌入式系统》杂志就已经大量刊登OS与32位嵌入式系统开发工具等文章和广告。在美国硅谷主办的嵌入式系统展示会上，来自欧美的上千展位展现在我眼前的是各种各样嵌入式系统产品，中国厂商普遍展示的是蜂鸣器、继电器等低档元器件。我第一次身临其境地感受到了中美之间的差距究竟有多大。中国太需要懂得国际市场需求和游戏规则的人才和企业家了。
同样是做USB分析仪，全球只有5家，我们自己的USB分析仪升级版在中国目前定价为3800 元，这款产品原来的售价只有1800元，用户还认为太贵了。其实这样的产品在国内一年的销售数量也就200台，但是同样的情况在美国，一个小公司一年的销售额就能够到2000万美元，他们的单台最低售价不低于10000美元，以至于美国同行直接给我来电话，希望我在售价的基础上至少加一个0。
中国企业不做全球化销售能行吗？不行！而且中国企业必须向价值链顶端攀升，否则我们只能做欧美消费品市场的廉价加工基地。
个性化的企业文化，帮助他人走向成功
通过与用户合作所经历的共同成功过程中，用户将我教育成为了一个善良、上进、诚实、优秀的人才。我不仅懂得如何做自己最擅长事情的方式方法，而且也懂得了如何与用户、与员工分享成功的道理。一旦芯片销售数量增大成本下降就主动给用户降价，赢得了用户更长远的支持；公司效益提高了，年终就主动给员工涨工资、加奖金并对优秀员工提供购房津贴。由于公司的规模不大，我们一直以招聘二类本科应届生为主，在内部采取导师制的培养模式，为他们提供至少一年的严格训练，帮助他们规划职业生涯，想尽办法提供机会将他们培养成优秀的人才。这些年来不少公司打电话向我们公司挖人，关键人才从未出现过流失，至今跳槽的员工不超过12人，我深深地感到这就是我人生最大的快乐和财富，离开了支持我的用户和追随我的人才，我将变得一钱不值。
为了保证企业的可持续发展所带来的人才困境，我与江西理工大学合作以五年为期开办了“3＋1”嵌入式系统应用开发特训班，与此同时还设立了每人3000 元共10人的“周立功奖学金”资助那些动手能力极强而成绩中等的学生，开展校企无缝联接，培养嵌入式系统创新性开发人才的有益尝试，即就是从7个班中选拔 30位爱好者用3年的时间修完所有课程，我们为每一位学生提供一台计算机、全套开发工具及其设计中所发生的一切费用，由我们组织著名专家开设专题讲座和课程，学校组织1位专职辅导员和2位指导教师，并由我们提供必要的津贴，然后用一年的时间专门做毕业设计，为此我们制定了严谨、细致的培训计划。
这些年我们还不断赞助各省电子大赛、毕业设计大赛、创新设计大赛，捐赠了50所大学单片机创新实验室，以求扩大企业的知名度和广泛寻求人才的来源。
最后的话
很多开发工程师以为这些都是老板或者经理们应该考虑的问题，与己无关，其实是大错而特错。作为一位优秀而卓越的开发人员，如果希望获得人生的完全成功和快乐，我们时刻需要明白，任何一个企业的可持续发展一定是群策群力的结果。
1981年我经历了高考失败之后上了技校，1999年我作为劳动模范被保送上了大学，创业至今十多年来，往事依然历历在目，用户给予我的回报很多，很难在此一一完全道来，谨以此文与同行、用户分享和交流。
这些年来，我陆续捐资资助教育、设立奖学金以及帮助家乡修建乡村水泥公路、祠堂等公益事业回馈社会。1990年的中秋节，我只身一人南下广东打工，不曾想到会有今天这样的成绩，我一直非常珍惜这来之不易的机会。
作为一个嵌入式技术爱好者，我的愿望就是：“生命不息、奋斗不止！”力争为发展中国的嵌入式系统应用技术贡献自己的一份力量。
从1994年11月开始创办了广州周立功单片机发展有限公司、广州致远电子有限公司除担任董事长与总经理之外，还继续从事实际的技术开发工作并任首席系统设计师和软件架构师，致力于单片机与嵌入式系统技术的推广及其产业化工作。在北京航空航天大学出版社出版或即将出版的单片机与嵌入式系统学科方向专著20余本，与同类图书相比都属于畅销书系列。《程序员》杂志的编辑约我写一篇命题作文，想了几天都无从下手不知道写什么才好。在这篇文章里，我不打算将创业的艰辛与喜悦重新回忆一遍，我确实不想去误导大家，因为我所处的年代是一个物质缺乏的年代，成功相对来说要容易得多。每个人的成长经历都有其个性化的东西，每个人的成功创业经验虽然有一些可以遵循的普遍规律，但一般来说都很难复制，成功需要不断地创新。
对于今天很多的年轻人来说，一味注重技术至上的观念刻骨铭心，其实很多时候努力并非一定有回报。事实上，有不少出类拔萃的人才往往做出来的产品就是卖不掉，因为设计者压根儿就不了解用户的需求和心理以及产品功能的恰当定义，而总想在同事及其老板面前卖弄自己的技术和产品功能。其实有很多思维性的东西恰恰是很多人所忽视的，因为从一开始的出发点就错了，怎么可能取得辉煌的成绩呢？所以有时拥有卓越的技术并不一定代表人生的成功，很多企业就是死在一些自命不凡的“卓越人才”手中。
它山之石可以攻玉，减少“阶段0”的开发
有所“创造”确实是人人期待的，令人瞩目的发明虽然激动人心却谈何容易，人们时常将盖茨没有任何爆炸性的发明作为茶余饭后的笑料，我们不妨从另外一个角度去探索微软的成功奥妙从而为我们所用。
确实不假，盖茨的DOS源代码是从帕特森手上“买”来的。这些年来，我收集了世界各地中英文版有关微软的专著来比较研究，大家仅仅注意到盖茨为建立整个行业架构标准的远见，并叹服盖茨深得市场运作经验的精髓，我认为这些研究成果都是后来者研究微软成功经验，是“牵强附会”不可复制的理论总结。
当初微软公司还仅仅是一家很稚嫩的公司，可以说生存下去是盖茨作为老板唯一的使命。事实上，正当盖茨决定动手来写IBM所要的OS时，原计划在一年左右完成，但IBM公司只给了他几个月的时间。尽管帕特森的QDOS并不完善错误百出，但为了履行对IBM的承诺，盖茨购买了QDOS改贴标签后卖给了IBM 公司。盖茨对此心知肚明，因为他知道如果用一年的时间来做OS的开发，他将失去与巨人IBM的合作机会，那是一种浪费。付一小部分的技术费用没有关系，只要能获得Know-how，获得更高的利润就好了。通过支付权利金引入技术，然后以模仿的方式学习他人的技术，再改造成符合IBM需要即可。
“买”——只要有现成的就不需要自己开发，这就是盖茨的过人之处，而且恰恰是很多人忽视的地方，值得我们所有人学习和仿效。盖茨就是由于没有“阶段0”，从而大幅度地降低开发风险。
当年，我是一个人单枪匹马借了2.15万元出来创业的，可以说是负资产，后来才开始有伙伴注资6万元。没有经验怎么办？我有一个非常好习惯，读书从不拘泥于他人的观点，也满足于人云亦云，否则那就是听别人讲故事，那不是您的东西，有入宝山空手而归。我认为，要想成功就必须“研究”成功者的轨迹，向成功者学习。
下面我会把我“第一桶金”的故事告诉你，这也是尽量减少“阶段0”开发一个非常典型的例子。
当年，《羊城晚报》几乎每天都有半版广告刊登信息台（听歌、悄悄话等）广告，一打听广告费每天几十万。当时相信不少人在利用公费电话在拨打这些信息台。后来我送货到客户那里发现电话机都外加了一个铁壳并上了一把锁，从看到那一幕开始，我决定做电话加密码锁，锁长途电话0字头，手机、BB机、信息台的9字头。通过朋友介绍，福州某公司有这个技术，于是我打了一个试探性的电话，使用5000元购买方案和源代码，对方非常爽快地同意了。我生怕有变立即坐飞机到福州去，很快就见到了郑新建工程师，他原来在福州某公司工作，我见到他的时候已经离开了福州某公司，但仍然自己写一些产品解决方案，通过福州某公司销售。买到方案与源代码之后，我立即带样机到各地去做测试，发现这台样机兼容性太差，而且市场已经开始在卖的产品也存在同样的问题，我想只要解决好兼容性的问题，如果在任何地区交换机局域网都能够使用，那就是最好的产品不愁没有市场。
我当时既没有资金也没有生产和销售经验，到底怎么将技术变成市场上所需要的产品呢？那是因为我找到了生产电话分线器的广州市白云区百新电器厂的老板陈国亮，由他生产和销售，每销售一台产品给我提成。以这个项目为起点，我们使用PIC单片机的数量很快就达到了每月100K以上，一年以后Microchip 香港公司经理Andi主动找上门来将当时的广州强力电子研究所发展成为了授权分销商。
毫不否认盖茨的远见和判断力是微软至关重要的核心竞争力，但盖茨也绝非天才，否则盖茨就不会在浏览器上输给网景了，尽管微软使用的很多技术都不是微软所发明的，但毫不妨碍微软独步天下。
注重核心技术，其余的外包
通过创业以来第一个项目的成功，我深深地体会到商业模式比技术本身更重要。
通过十多年的努力，我们设计的“铁将军（Steel Mate）”品牌汽车防盗器、汽车倒车雷达不仅成为了全世界范围的“隐性冠军”，而且为GE等世界著名汽车厂商售前市场提供配套产品，与此同时我们为智能卡酒店门锁厂商设计与制造的各种智能卡门锁控制模块在国内也一直处于第一名的地位。
他们为何能够取得与众不同的成功呢？其最大的长处就是产品创意与制造、简约时尚风格的工业设计、模具制造技术以及精心打造的销售渠道，这些厂商深刻明白“注重核心技术做自己擅长的，其余的外包分段取利”的基本道理，而对于我来说就是“智慧出租”，通过与强者合作获得双赢。
通过这些成功经验的积累，我们开始全力以赴注重发展核心技术，将自己不擅长的技术全部外包。比如，我们长期投资清华大学计算机系，并建立以陈渝博士后为主Linux内核开发团队，为公司底层的技术提供良好支撑，而我们自己则将精力集中于Linux驱动开发。这种分工合作、协同开发的模式赢得市场上宝贵的时间，并快速取得了应用成果。
也许有程序员会关心JTAG开发工具问题，那也是一个“外包”的项目。当时，我们在网上发现了一个由计算机爱好者业余时间设计的H-JTAG，这是一个比较稳定的调试器软件，正好适合我们使用。于是我就同设计者联系，并决定由周立功单片机资助他继续开发，同时，其开发成果还免费提供给网上的用户下载，保证它作为一个自由软件。其实，无论是Linux还是H-JTAG都是开源软件，如果担心其它的同行因此受益而超越自己的话，难免需要在公司负担很多开发人员，面面俱到地做许多事实上是重复的开发工作。其实，我们的合作伙伴都是所在领域的专家，如果自己从头到尾去学习和开发，不仅抢了合作伙伴的饭碗，而且结果未必理想。这种情况下不但会延误宝贵的商机，而且还会影响与合作伙伴之间的关系。其实只要引入我们企业长期积累和制定的嵌入式系统工程管理思想和规范，即可得到自己想要的结果：“做你最擅长的，其余的外包”，类似这样的案例在周立功单片机将会越来越多。
专注与差异化生存
1999年1月23日我离开了原公司，先后分别创立了广州周立功单片机发展有限公司与广州致远电子有限公司，分别从事贸易业务与产品制造。
作为代理商通过为客户提供解决方案从而达到大批量销售芯片是代理行业惯常使用的手段，而实际上通过设计能够真正达到增值获得丰厚回报的代理商却少之又少。要知道过去公司的人才数量和资源是非常宝贵的，如果没有正确的战略，机会可能稍纵即逝。事实上创业开始的前几年，我们一共为用户设计了超过100个品类的产品，产品型号超过500种，可以说几乎涉及到了各行各业，但能够带来稳定而丰厚回报的案例几乎没有。我经过一段时间的思考和报表分析发现，目前公司的业务做得太多、太杂，没有将任何一个行业做精。于是我下定决心减少用户数量集中精力在1－2个行业做强、做大，直至成为顶尖的行业专家，坚持十年如一日重点做好汽车配套产品与智能卡门锁控制模块的开发。通过多年的精耕细作，我们通过为直接用户设计产品增值年销售单片机的数量已经超过了1000万片，无论是对用户还是对半导体公司来说，我们无疑是一家非常有价值的代理商。
1999年5月，PHILIPS半导体公司邀请我去上海洽谈是否有意向代理LPC700单片机，当我拿到用户手册时离去上海的时间只有5天。当时公司不像现在有250位大学生，总共只有8个人，怎么办？我一边写商业计划书，一边与大家翻译用户手册、打字和贴图，面对机会就像抓住救命稻草一样加班加点，每天只休息3－5个小时。第5天我赶到上海东亚富豪酒店时，我将整整齐齐的材料放在了来自美国PHILIPS半导体公司2位经理的面前，包括吃饭在内仅仅只洽谈了2个小时，代理权就正式谈下来了。事后他们告诉我，就是因为我与众不同，专注且非常有个性。
风雨变换诱惑莫测，人怕出名猪怕壮，这是常理！随后找上门来要求我们代理芯片的著名半导体公司不下10 家。这时候，对于很多人来说不做什么就是一个艰难的选择。此时，我认为不管对方开出的条件多好，有冲突的就是不做，性能不突出的也不做，如果能够形成价值链互补，就一定要通过自己的努力和业绩表现主动去“求”半导体公司授权给我们，我就是这样取得了Keil、Catalyst、Sipex的代理权和信用额度。2004年SHARP半导体公司北京、日本、美国一共五位经理来到我的办公室要求我代理SHARP的ARM，帮助SHARP在中国推广以及制造用于全球销售的开发套件，我根本没有思考就一口回绝了，可以说 SHARP给我的条件非常之好，特别是美国人觉得是非常不可思议的事情，作为商人这么好的赚钱机会都不要。为什么？我们之所以暂时“强大”，就是因为我们长期以来专注于发展PHILIPS半导体，集中精力对准焦点成为了小河里的大鱼，进而才引起了众人的关注。如果我们分散了精力，最后的结果一定会什么都不是！
当决定专注的目标之后，接下来的就是想办法如何做得与众不同，这是一件不容易的事情。最重要的就是穷举用户最大的需求和竞争者最容易忽略之处，然后将其做到最好。
为了推广好PHILIPS的单片机和ARM，我们定位于帮助初学者快速入门，至今一共编写出版了20多本专著，并将大部分版权全部捐献给了出版社用于降低成本，同时我也还会继续坚持将这项工作做下去、争取做得更好。邓小平有一句名言：“计算机要从娃娃抓起！”我认为，任何一个有远见的厂商，要想成功地推广嵌入式系统，一定要从在校大学生抓起，这必定是一件一举多得的好事。既能够提高企业的美誉度，又能获得市场占有率，还能为学生提供实践的理论基础。为何很少有厂商或者代理商心甘情愿去做？这不仅可帮助企业建立差异化，而且还能够给企业带来长远的利益，何乐而不为？
比如说，至今在国内任何一家代理商的网站上几乎都找不到完整的芯片中文数据手册、用户手册与应用手册，不是我们的同行不知道其中的重要性。首先大家普遍认为这是半导体公司的份内之事，其次大家或许感到自己做好之后放到网站任由用户免费下载，会给其它代理商占了便宜。但很多人却始终不明白，这是满足用户需求制造公司服务差异化的最佳机会。
于是我们决心从网站入手坚持长期投资，做中国最好的嵌入式系统专业技术网站，建立专业的技术支持与开发团队。特别是对于优质用户的服务，网站还专门开通了“快速绿色通道”，如果这样的用户遇到问题，都是由我、分公司经理及其相关服务部门的经理牵头负责实施“保姆式”的服务，我们实施的服务战略就是：“用有限的资源为有效的用户提供高质量的服务”。
“你若亲近神，神就亲近你！” 2001年8月一篇来自PHILIPS内部刊物的报道《风险意味着机会》，我是被推上了“本地英雄”封底人物栏目的第一位亚洲代理商；2004年 PHILIPS半导体公司又给我授予了“优秀卓越贡献奖”，来自全国各地的用户连续多年通过《亚洲资源》媒体将我们公司评选为“本地十大最受客户欢迎的分销商”。没有用户崇高的忠诚度和长期的大力支持，我们不可能从1999年以来连续多年销售单片机取得PHILIPS亚太区第一名的业绩。
一个“人弃我取”的机会成就了我，尽管个人与团队的努力至关重要，但可以毫不掩饰地说，如果没有PHILIPS半导体经理的慧眼相马，一定是巧妇难为无米之炊，业界不会再有我的一席之地。
在嵌入式系统应用技术方面与我们不相伯仲或者说比我们聪明能干的人才何止万千，为何只有少数人能够脱颖而出呢？就是因为想法太多、不专注，不能坚持在一个行业里面十年如一日地下苦功夫。但面对众多的竞争者和后来者，我每天都如履薄冰，不敢有丝毫的懈怠，每天坚持学习到深夜，因为唯有不断地学习和更新思维才有可能具备远见并及时规避可能出现的失误。
关注用户的需求
其实维系企业生命的关键在于产品是否能够获得市场的青睐，我们要做的并非是成为技术的领先者，而是要将技术成果转化为迎合消费者需要的商品。
八十年代是一个物质缺乏的年代，而今天的人们更加注重消费享受和情感的分享，这是任何人都无法否认的现实。我们公司刚开始做产品时，由于我个人偏爱蓝色，所以我凭着老板的权威将所有产品的外观全部都做成蓝色，其实当时也有不少的人向我提出改进意见，但我仍然还是无动于衷，为什么？就是因为我是做技术出身的，而且从创业初期开始一直都是依靠技术一路拼杀过来的，可以说过于迷信技术的力量，因此在很长的一段时间内，公司完全走的是研究的路子。而我却恰恰忽视了用户读产品的心理需求，以至于在产品推向市场之后一直都无法打开局面。
当时，EasyPRO系列编程器面市的时候，其销售数量一年下来都不到500套，同时有用户表示对于产品的设计很不满意，这可以说是一次深刻的教训。于是我下定决心组建工业设计事业部，首先从EasyPRO系列通用编程器开始，亲自管理、研究和参与产品的外观设计，将原来的模具全部废掉重新设计。尽管是第一次设计，在产品的外观上没有做出非常杰出的效果，但无论如何，新产品外观比原有的产品出众得多。2005年10个月的时间里，EasyPRO系列通用编程器的销售数量达到了6000套。2006年我们又推出了SmartPRO系列智能型通用编程器，预计本年度销售编程器的总数量将超过10000套，而这些产品将带着我和我们公司跻身于国内编程器市场主流品牌之列。
从那次深刻的教训以后，我明白好的外观设计可以凸现产品的魅力，让产品与环境融为一体，刺激消费者产生强烈的购买欲望。即使是普通产品，经过精心设计，也会成为一件时尚产品，甚至让人们觉得它就是一件艺术品，从这一点来说，时尚、新潮、艺术化的外观设计是塑造产品品牌形象的第一要素。
从那以后，我开始改变产品简介、广告以及展示会的形象设计，为了配合新的形象，我们展开了大规模、全方位的宣传：一方面尽量多地为用户提供产品简介手册，同时通过大量的媒体广告，让用户认识并初步了解公司，从而迅速有效地提高了品牌知名度；另一方面组织各种全国巡回演讲、免费ARM技术培训活动和产品展示会，而且我们每次参加展示会都是投入4个摊位并进行特装展位设计，目的就是为了获得与用户积极沟通的机会。
2003年暑假期间，周立功单片机投资80万元邀请了行业3位著名的嵌入式系统专家组成讲师团在全国10个城市主办了免费的ARM巡回演讲，提供了免费的午餐，可以说规模空前。这次巡讲中，共有8000多人参加了这次活动，随后公司趁热打铁推出了售价400元的EasyARM2104开发学习套件，第一个月生产的1000套在15天之内抢购一空，直到销售了15000套之后才因新产品的推出而停产。这次活动不仅收回了80万元的宣传费用，而且还直接或间接地影响了超过50万嵌入式相关人员，强有力地达到了品牌宣传的目的。在赢得丰厚利润回报的同时，也打造了嵌入式行业一次非常成功的“事件营销”经典案例，我深深地体会到“俘虏”用户的心是提升品牌的唯一途径。
全球化市场意识
过去，一个公司可能需要等到10年之后才开始考虑是否全球化，而今天由于网络技术的发展，无论我们身处何地，世界各地的新信息仿佛就在眼前，谁也不会被边缘化了，所以今天成立公司明天就要准备全球销售。
这几年ARM已经到了热得不得了的程度，很多人不以为然，其实这是一种必然趋势。事实上，我在美国PHILIPS半导体公司看到，美国1997年出版的《嵌入式系统》杂志就已经大量刊登OS与32位嵌入式系统开发工具等文章和广告。在美国硅谷主办的嵌入式系统展示会上，来自欧美的上千展位展现在我眼前的是各种各样嵌入式系统产品，中国厂商普遍展示的是蜂鸣器、继电器等低档元器件。我第一次身临其境地感受到了中美之间的差距究竟有多大。中国太需要懂得国际市场需求和游戏规则的人才和企业家了。
同样是做USB分析仪，全球只有5家，我们自己的USB分析仪升级版在中国目前定价为3800 元，这款产品原来的售价只有1800元，用户还认为太贵了。其实这样的产品在国内一年的销售数量也就200台，但是同样的情况在美国，一个小公司一年的销售额就能够到2000万美元，他们的单台最低售价不低于10000美元，以至于美国同行直接给我来电话，希望我在售价的基础上至少加一个0。
中国企业不做全球化销售能行吗？不行！而且中国企业必须向价值链顶端攀升，否则我们只能做欧美消费品市场的廉价加工基地。
个性化的企业文化，帮助他人走向成功
通过与用户合作所经历的共同成功过程中，用户将我教育成为了一个善良、上进、诚实、优秀的人才。我不仅懂得如何做自己最擅长事情的方式方法，而且也懂得了如何与用户、与员工分享成功的道理。一旦芯片销售数量增大成本下降就主动给用户降价，赢得了用户更长远的支持；公司效益提高了，年终就主动给员工涨工资、加奖金并对优秀员工提供购房津贴。由于公司的规模不大，我们一直以招聘二类本科应届生为主，在内部采取导师制的培养模式，为他们提供至少一年的严格训练，帮助他们规划职业生涯，想尽办法提供机会将他们培养成优秀的人才。这些年来不少公司打电话向我们公司挖人，关键人才从未出现过流失，至今跳槽的员工不超过12人，我深深地感到这就是我人生最大的快乐和财富，离开了支持我的用户和追随我的人才，我将变得一钱不值。
为了保证企业的可持续发展所带来的人才困境，我与江西理工大学合作以五年为期开办了“3＋1”嵌入式系统应用开发特训班，与此同时还设立了每人3000 元共10人的“周立功奖学金”资助那些动手能力极强而成绩中等的学生，开展校企无缝联接，培养嵌入式系统创新性开发人才的有益尝试，即就是从7个班中选拔 30位爱好者用3年的时间修完所有课程，我们为每一位学生提供一台计算机、全套开发工具及其设计中所发生的一切费用，由我们组织著名专家开设专题讲座和课程，学校组织1位专职辅导员和2位指导教师，并由我们提供必要的津贴，然后用一年的时间专门做毕业设计，为此我们制定了严谨、细致的培训计划。
这些年我们还不断赞助各省电子大赛、毕业设计大赛、创新设计大赛，捐赠了50所大学单片机创新实验室，以求扩大企业的知名度和广泛寻求人才的来源。
最后的话
很多开发工程师以为这些都是老板或者经理们应该考虑的问题，与己无关，其实是大错而特错。作为一位优秀而卓越的开发人员，如果希望获得人生的完全成功和快乐，我们时刻需要明白，任何一个企业的可持续发展一定是群策群力的结果。
1981年我经历了高考失败之后上了技校，1999年我作为劳动模范被保送上了大学，创业至今十多年来，往事依然历历在目，用户给予我的回报很多，很难在此一一完全道来，谨以此文与同行、用户分享和交流。
这些年来，我陆续捐资资助教育、设立奖学金以及帮助家乡修建乡村水泥公路、祠堂等公益事业回馈社会。1990年的中秋节，我只身一人南下广东打工，不曾想到会有今天这样的成绩，我一直非常珍惜这来之不易的机会。
作为一个嵌入式技术爱好者，我的愿望就是：“生命不息、奋斗不止！”力争为发展中国的嵌入式系统应用技术贡献自己的一份力量。
2009年7月12日星期日
新加坡第二次车考记。
自己担心的parallel parking终于成了考试中的失败之笔，第一次车考后教我的private driving instructor萧文星（Siew oong sing）只给我安排了一次circuit练习，当时练习parallel parking的时候我明显感觉不熟练，要他再教我一下，他竟然还不肯。作为教练他不会看不出我的不足之处，明显是故意不让我过。上周六7月11日考试时他还多收了我30新币，并威胁说如果我不多交就不让我考。我一直以来都对他彬彬有礼，看来他是故意欺负老实人，把我的礼貌当作软弱。再跟着他学估计是继续花钱而无所获。上周六打电话找到另外一个私人教练，叫Mr. Tay.，约我7月21号找他学，我姑且试试。
2009年7月8日星期三
CPU与DSP的区别
从表面上来看，DSP与标准微处理器有许多共同的地方：一个以ALU为核心的处理器、地址和数据总线、RAM、ROM以及I/O端口，从广义上讲，DSP、微处理器和微控制器（单片机）等都属于处理器，可以说DSP是一种CPU。但DSP和一般的CPU又不同：
首先是体系结构：CPU是冯.诺伊曼结构的，而DSP有分开的代码和数据总线即“哈佛结构”，这样在同一个时钟周期内可以进行多次存储器访问——这是因为数据总线也往往有好几组。有了这种体系结构，DSP就可以在单个时钟周期内取出一条指令和一个或者两个（或者更多）的操作数。
标准化和通用性：CPU的标准化和通用性做得很好，支持操作系统，所以以CPU为核心的系统方便人机交互以及和标准接口设备通信，非常方便而且不需要硬件开发了；但这也使得CPU外设接口电路比较复杂，DSP主要还是用来开发嵌入式的信号处理系统了，不强调人机交互，一般不需要很多通信接口，因此结构也较为简单，便于开发。如果只是着眼于嵌入式应用的话，嵌入式CPU和DSP的区别应该只在于一个偏重控制一个偏重运算了。
流水线结构：大多数DSP都拥有流水结构，即每条指令都由片内多个功能单元分别完成取指、译码、取数、执行等步骤，这样可以大大提高系统的执行效率。但流水线的采用也增加了软件设计的难度，要求设计者在程序设计中考虑流水的需要。
快速乘法器：信号处理算法往往大量用到乘加（multiply-accumulate，MAC）运算。DSP有专用的硬件乘法器，它可以在一个时钟周期内完成MAC运算。硬件乘法器占用了DSP芯片面积的很大一部分。（与之相反，通用CPU采用一种较慢的、迭代的乘法技术，它可以在多个时钟周期内完成一次乘法运算，但是占用了较少了硅片资源）。
地址发生器：DSP有专用的硬件地址发生单元，这样它可以支持许多信号处理算法所要求的特定数据地址模式。这包括前（后）增（减）、环状数据缓冲的模地址以及FFT的比特倒置地址。地址发生器单元与主ALU和乘法器并行工作，这就进一步增加了DSP可以在一个时钟周期内可以完成的工作量。
硬件辅助循环：信号处理算法常常需要执行紧密的指令循环。对硬件辅助循环的支持，可以让DSP高效的循环执行代码块而无需让流水线停转或者让软件来测试循环终止条件。
低功耗：DSP的功耗较小，通常在0.5W到4W，采用低功耗的DSP甚至只有0.05W，可用电池供电，很适合嵌入式系统；而CPU的功耗通常在20W以上。
首先是体系结构：CPU是冯.诺伊曼结构的，而DSP有分开的代码和数据总线即“哈佛结构”，这样在同一个时钟周期内可以进行多次存储器访问——这是因为数据总线也往往有好几组。有了这种体系结构，DSP就可以在单个时钟周期内取出一条指令和一个或者两个（或者更多）的操作数。
标准化和通用性：CPU的标准化和通用性做得很好，支持操作系统，所以以CPU为核心的系统方便人机交互以及和标准接口设备通信，非常方便而且不需要硬件开发了；但这也使得CPU外设接口电路比较复杂，DSP主要还是用来开发嵌入式的信号处理系统了，不强调人机交互，一般不需要很多通信接口，因此结构也较为简单，便于开发。如果只是着眼于嵌入式应用的话，嵌入式CPU和DSP的区别应该只在于一个偏重控制一个偏重运算了。
流水线结构：大多数DSP都拥有流水结构，即每条指令都由片内多个功能单元分别完成取指、译码、取数、执行等步骤，这样可以大大提高系统的执行效率。但流水线的采用也增加了软件设计的难度，要求设计者在程序设计中考虑流水的需要。
快速乘法器：信号处理算法往往大量用到乘加（multiply-accumulate，MAC）运算。DSP有专用的硬件乘法器，它可以在一个时钟周期内完成MAC运算。硬件乘法器占用了DSP芯片面积的很大一部分。（与之相反，通用CPU采用一种较慢的、迭代的乘法技术，它可以在多个时钟周期内完成一次乘法运算，但是占用了较少了硅片资源）。
地址发生器：DSP有专用的硬件地址发生单元，这样它可以支持许多信号处理算法所要求的特定数据地址模式。这包括前（后）增（减）、环状数据缓冲的模地址以及FFT的比特倒置地址。地址发生器单元与主ALU和乘法器并行工作，这就进一步增加了DSP可以在一个时钟周期内可以完成的工作量。
硬件辅助循环：信号处理算法常常需要执行紧密的指令循环。对硬件辅助循环的支持，可以让DSP高效的循环执行代码块而无需让流水线停转或者让软件来测试循环终止条件。
低功耗：DSP的功耗较小，通常在0.5W到4W，采用低功耗的DSP甚至只有0.05W，可用电池供电，很适合嵌入式系统；而CPU的功耗通常在20W以上。
2009年7月7日星期二
新加坡第一次车考记。
考车时出现几种错误：Turn steering whilst vehicle is stationary（扣2分）, Fail to confirm safety（扣4分）, Fail to check blind spot（扣4分，前两次不扣）, speed too slow for the road（扣2分）, Cause other vehicles to slow down or take evasive action（扣8分）, Fail to cancel signal on road（扣2分，第一次没扣）, speed too slow for the traffic condition（扣2分）和Veer off course（扣4分）。其中cause other vehicles to slow down or take evasive action错误最严重，接下来是Fail to confirm safety, fail to check blind spot和Veer off course(突然转向，偏离轨道）。
2009年7月6日星期一
一只兔子吃掉了狼和野猪
一天，一只兔子在山洞前写文章，一只狼走了过来。
问：“兔子啊，你在干什么？”
答曰：“写文章。”问：“什么题目？”答曰：“《浅谈兔子是怎样吃掉狼的》。”
狼哈哈大笑，表示不信，于是兔子把狼领进山洞。过了一会，兔子独自走出山洞，继续写文章。
一只野猪走了过来，问：“兔子你在写什么？”答：“文章。”问：“题目是什么？”
答：“《浅谈兔子是如何把野猪吃掉的》。”野猪不信，于是同样的事情发生。
最后，在山洞里，一只狮子在一堆白骨之间，满意的剔着牙读着兔子交给它的文章。
题目：“《一只动物，能力大小关键要看你的老板是谁》。”
这只兔子有次不小心告诉了他的一个兔子朋友，这消息逐渐在森林中传播；
狮子知道后非常生气，他告诉兔子：“如果这个星期没有食物进洞，我就吃你。”
于是兔子继续在洞口写文章。
一只小鹿走过来，“兔子，你在干什么啊？”
“写文章”“什么题目”““《浅谈兔子是怎样吃掉狼的》”
“哈哈，这个事情全森林都知道啊，你别胡弄我了，我是不会进洞的”
“我马上要退休了，狮子说要找个人顶替我，难道你不想这篇文章的兔子变成小鹿么”
小鹿想了想，终于忍不住诱惑，跟随兔子走进洞里。过了一会，兔子独自走出山洞，继续写文章。
一只小马走过来，同样是事情发生了。
最后，在山洞里，一只狮子在一堆白骨之间，满意的剔着牙读着兔子交给它的文章。
题目是：如何发展下线动物为老板提供食物。
随着时间的推移，狮子越长越大，兔子的食物已远远不能填饱肚子。
一日，他告诉兔子：“我的食物量要加倍，例如：原来4天一只小鹿，现在要2天一只，如果一周之内改变不了局面，我就吃你。
于是，兔子离开洞口，跑进森林深处，他见到一只狼。
“你相信兔子能轻松吃掉狼吗”
狼哈哈大笑，表示不信，于是兔子把狼领进山洞。
过了一会，兔子独自走出山洞，继续进入森林深处。
这回他碰到一只野猪----“你相信兔子能轻松吃掉野猪吗”
野猪不信，于是同样的事情发生了。
原来森林深处的动物并不知道兔子和狮子的故事。
最后，在山洞里，一只狮子在一堆白骨之间，满意的剔着牙读着兔子交给它的文章
题目是：如何实现由坐商到行商的转型为老板提供更多的食物
时间飞快，转眼之间，兔子在森林里的名气越来越大，因为大家都知道它有一个很历害的老板， 这只小兔开始横行霸道，欺上欺下，没有动物敢惹，它时时想起和乌龟赛跑的羞辱。
它找到乌龟说：“三天之内，见我老板！”扬长而去。
乌龟难过的哭了
这时却碰到了一位猎人
乌龟把这事告诉了他
猎人哈哈大笑，
于是森林里发生了一件重大事情：
猎人披着狮子皮和乌龟一起在吃兔子火锅。
地下丢了半张纸片歪歪扭扭的写着：山外青山楼外楼，强中还有强中手啊！！
在很长一段时间里森林里恢复了往日的宁静，兔子吃狼的故事似乎快要被大家忘记了，不过一只年轻的老虎在听说了这个故事后，被激发了灵感。于是他抓住了一只羚羊，对羚羊说，如果你可以象以前的兔子那样为我带来食物，那我就不吃你。
于是，羚羊无奈的答应了老虎，而老虎也悠然自得的进了山洞。
可是三天过去了，也没有见羚羊领一只动物进洞。他实在憋不住了，想出来看看情况。
羚羊早已不在了，他异常愤怒。正在他暴跳如雷的时候突然发现了羚羊写的一篇文章：
题目是：《想要做好老板先要懂得怎样留住员工》。
问：“兔子啊，你在干什么？”
答曰：“写文章。”问：“什么题目？”答曰：“《浅谈兔子是怎样吃掉狼的》。”
狼哈哈大笑，表示不信，于是兔子把狼领进山洞。过了一会，兔子独自走出山洞，继续写文章。
一只野猪走了过来，问：“兔子你在写什么？”答：“文章。”问：“题目是什么？”
答：“《浅谈兔子是如何把野猪吃掉的》。”野猪不信，于是同样的事情发生。
最后，在山洞里，一只狮子在一堆白骨之间，满意的剔着牙读着兔子交给它的文章。
题目：“《一只动物，能力大小关键要看你的老板是谁》。”
这只兔子有次不小心告诉了他的一个兔子朋友，这消息逐渐在森林中传播；
狮子知道后非常生气，他告诉兔子：“如果这个星期没有食物进洞，我就吃你。”
于是兔子继续在洞口写文章。
一只小鹿走过来，“兔子，你在干什么啊？”
“写文章”“什么题目”““《浅谈兔子是怎样吃掉狼的》”
“哈哈，这个事情全森林都知道啊，你别胡弄我了，我是不会进洞的”
“我马上要退休了，狮子说要找个人顶替我，难道你不想这篇文章的兔子变成小鹿么”
小鹿想了想，终于忍不住诱惑，跟随兔子走进洞里。过了一会，兔子独自走出山洞，继续写文章。
一只小马走过来，同样是事情发生了。
最后，在山洞里，一只狮子在一堆白骨之间，满意的剔着牙读着兔子交给它的文章。
题目是：如何发展下线动物为老板提供食物。
随着时间的推移，狮子越长越大，兔子的食物已远远不能填饱肚子。
一日，他告诉兔子：“我的食物量要加倍，例如：原来4天一只小鹿，现在要2天一只，如果一周之内改变不了局面，我就吃你。
于是，兔子离开洞口，跑进森林深处，他见到一只狼。
“你相信兔子能轻松吃掉狼吗”
狼哈哈大笑，表示不信，于是兔子把狼领进山洞。
过了一会，兔子独自走出山洞，继续进入森林深处。
这回他碰到一只野猪----“你相信兔子能轻松吃掉野猪吗”
野猪不信，于是同样的事情发生了。
原来森林深处的动物并不知道兔子和狮子的故事。
最后，在山洞里，一只狮子在一堆白骨之间，满意的剔着牙读着兔子交给它的文章
题目是：如何实现由坐商到行商的转型为老板提供更多的食物
时间飞快，转眼之间，兔子在森林里的名气越来越大，因为大家都知道它有一个很历害的老板， 这只小兔开始横行霸道，欺上欺下，没有动物敢惹，它时时想起和乌龟赛跑的羞辱。
它找到乌龟说：“三天之内，见我老板！”扬长而去。
乌龟难过的哭了
这时却碰到了一位猎人
乌龟把这事告诉了他
猎人哈哈大笑，
于是森林里发生了一件重大事情：
猎人披着狮子皮和乌龟一起在吃兔子火锅。
地下丢了半张纸片歪歪扭扭的写着：山外青山楼外楼，强中还有强中手啊！！
在很长一段时间里森林里恢复了往日的宁静，兔子吃狼的故事似乎快要被大家忘记了，不过一只年轻的老虎在听说了这个故事后，被激发了灵感。于是他抓住了一只羚羊，对羚羊说，如果你可以象以前的兔子那样为我带来食物，那我就不吃你。
于是，羚羊无奈的答应了老虎，而老虎也悠然自得的进了山洞。
可是三天过去了，也没有见羚羊领一只动物进洞。他实在憋不住了，想出来看看情况。
羚羊早已不在了，他异常愤怒。正在他暴跳如雷的时候突然发现了羚羊写的一篇文章：
题目是：《想要做好老板先要懂得怎样留住员工》。
2009年7月5日星期日
2009年7月1日星期三
发明大王爱迪生
托马斯·阿尔瓦·爱迪生(ThomasAlvaEdison )
GE集团的首任总经理兼创始人。
爱迪生是位举世闻名的美利坚合众国电学家和发明家，他除了在留声机、电灯、电话、电报、电影等方面的发明和贡献以外，在矿业、建筑业、化工等领域也有不少著名的创造和真知灼见。爱迪生一生共有约两千项创造发明，为人类的文明和进步作出了巨大的贡献。
爱迪生同时也是一位伟大的企业家，他1890年组建的爱迪生通用电气公司（Edison General Electric Company），其两个主体业务组成了大名鼎鼎的通用电气公司（GE）。
生平
爱迪生于1847年 2月11日诞生于美利坚合众国中西部的俄亥俄州(Ohio)的米兰(Milan)小市镇。父亲是荷兰人的后裔，母亲曾当过小学教师，是苏格兰人的后裔。爱迪生7岁时，父亲经营屋瓦生意亏本，将全家搬到密歇根州(Michigan)休伦北郊的格拉蒂奥特堡定居下来。搬到这里不久，爱迪生就患了猩红热，病了很长时间，人们认为这种疾病是造成他耳聋的原因。爱迪生8岁上学，但仅仅读了三个月的书，就被老师斥为“低能儿”而撵出校门。从此以后，他的母亲是他的“家庭教师”。由于母亲的良好的教育方法，使得他对读书发生了浓厚的兴趣。“他不仅博览群书，而且一目十行，过目成诵”。8 岁时，他读了英国文艺复兴时期最重要的剧作家威廉·莎士比亚、狄更斯的著作和许多重要的历史书籍，到9 岁时，他能迅速读懂难度较大的书，如帕克的《自然与实验哲学》。10岁时酷爱化学。11岁那年，他实验了他的第一份电报。为了赚钱购买化学药品和设备，他开始了工作。12岁的时候，他获得列车上售报的工作，辗转于休伦港(Port Huron)和密歇根州的底特律(Detroit)之间。他一边卖报，一边兼做水果、蔬菜生意，只要有空他就到图书馆看书。他买了一架旧印刷机，开始出版自己的周刊——《先驱报》，第一期周刊就是在列车上印刷的。他用所挣得的钱在行李车上建立了一个化学实验室。不幸有一次化学药品着火，他连同他的设备全被扔出车外。另外有一次，当爱迪生正力图登上一列货运列车时，一个列车员抓住他的两只耳朵助他上车。这一行动导致了爱迪生成为终身聋子。
1862年8月，爱迪生以大无畏的英雄气魄救出了一个在火车轨道上即将遇难的男孩。孩子的父亲对此感恩戴德，但由于无钱可以酬报，愿意教他电报技术。从此，爱迪生便和这个神秘的电的新世界发生了关系，踏上了科学的征途。
1863年，爱迪生担任大干线铁路斯特拉福特枢纽站电信报务员。从1864年至1867年，在中西部各地担任报务员，过着类似流浪的生活。足迹所至，包括斯特拉福特、艾德里安、韦恩堡、印第安那波利斯(Indianapolis)、辛辛那提(Connecticut)、那什维尔(Nashville)、田纳西(Tennessee)、孟斐斯(Memphis)、路易斯维尔、休伦等地。
1868年，爱迪生以报务员的身份来到了波士顿(Boston)。同年，他获得了第一项发明专利权。这是一台自动记录投票数的装置。爱迪生认为这台装置会加快国会的工作，它会受到欢迎的。然而，一位国会议员告诉他说，他们无意加快议程，有的时候慢慢地投票是出于政治上的需要。从此以后，爱迪生决定，再也不搞人们不需要的任何发明。
1869年6月初，他来到纽约(New York)寻找工作。当他在一家经纪人办公室等候召见时，一台电报机坏了。爱迪生是那里唯一的一个能修好电报机的人，于是他谋得了一个比他预期的更好的工作。10月他与波普一起成立一个“波普——爱迪生公司”，专门经营电气工程的科学仪器。在这里，他发明了“爱迪生普用印刷机”。他把这台印刷机献给华尔街一家大公司的经理，本想索价5000美元，但又缺乏勇气说出口来。于是他让经理给个价钱，而经理给了4万美元。
爱迪生用这笔钱在新泽西州(New Jersey)纽瓦克市的沃德街建了一座工厂，专门制造各种电气机械。他通宵达旦地工作。他培养出许多能干的助手，同时，也巧遇了勤快的玛丽(Mary Stilwell)，他未来的第一个新娘。在纽瓦克，他做出了诸如蜡纸、油印机等的发明，从1872至1875年，爱迪生先后发明了二重、四重电报机，还协助别人搞成了世界上第一架英文打字机。
1876年春天，爱迪生又一次迁居，这次他迁到了新泽西州(New Jersey)的“门罗公园”。他在这里建造了第一所“发明工厂”，它“标志着集体研究的开端”。1877年，爱迪生改进了早期由贝尔发明的电话，并使之投入了实际使用。他还发明了他心爱的一个项目——留声机。电话和电报“是扩展人类感官功能的一次革命”；留声机是改变人们生活的三大发明之一，“从发明的想象力来看，这是他极为重大的发明成就”。到这个时候，人们都称他为“门罗公园的魔术师”。
爱迪生在发明留声机的同时，经历无数次失败后终于对电灯的研究取得了突破，1879年10月22日，爱迪生点燃了第一盏真正有广泛实用价值的电灯。为了延长灯丝的寿命，他又重新试验，大约试用了6000多种纤维材料，才找到了新的发光体——日本竹丝，可持续1000多小时，达到了耐用的目的。从某一方面来说，这一发明是爱迪生一生中达到的登峰造极的成就。接着，他又创造一种供电系统，使远处的灯具能从中心发电站配电，这是一项重大的工艺成就。
他在纯科学上第一个发现出现于1883年。试验电灯时，他观察到他称之为爱迪生效应的现象：在点亮的灯泡内有电荷从热灯丝经过空间到达冷板。爱迪生在1884年申请了这项发现的专利，但并未进一步研究。而旁的科学家利用爱迪生效应发展了电子工业，尤其是无线电和电视。
爱迪生又企图为眼睛做出留声机为耳朵做出的事，电影摄影机即产生于此。使用一条乔治伊斯曼新发明的赛璐珞胶片，他拍下一系列照片，将它们迅速地、连续地放映到幕布上，产生出运动的幻觉。他第一次在实验室里试验电影是在1889年，1891年申请了专利。1903年，他的公司摄制了第一部故事片“列车抢劫”。爱迪生为电影业的组建和标准化做了大量工作。
1887年爱迪生把他的实验室迁往西奥兰治以后，为了他的多种发明制成产品和推销，他创办了许多商业性公司；这些公司后来合并为爱迪生通用电气公司，后又称为通用电气公司。此后，他的兴趣又转到荧光学、矿石捣碎机、铁的磁离法、蓄电池和铁路信号装置上。
第一次世界大战期间，他研制出鱼雷机械装置、喷火器和水底潜望镜。
1929年10月21日，在电灯发明50周年的时候，人们为爱迪生举行了盛大的庆祝会，德意志联邦共和国的阿尔伯特·爱因斯坦和法兰西共和国的居里夫人等著名科学家纷纷向他祝贺。不幸的是，就在这次庆祝大会上，当爱迪生致答辞的时候，由于过分激动，他突然昏厥过去。从此，他的身体每况愈下。1931年10月18日，这位为人类作过伟大贡献的科学家因病逝世，终年84岁。
爱迪生的文化程度极低，对人类的贡献却这么巨大，这里的“秘诀”是什么呢？他除了有一颗好奇的心，一种亲自试验的本能，就是他具有超乎常人的艰苦工作的无穷精力和果敢精神。当有人称爱迪生是个“天才”时，他却解释说：“天才就是百分之二的灵感加上百分之九十八的汗水。”他在“发明工厂”，把许多不同专业的人组织起来，里面有科学家、工程师、技术人员、工人共100多人，爱迪生的许多重大发明就是靠这个集体的力量才获得成功的。他的成就主要归功于他的勤奋和创造性才能以及集体的力量，此外，他的妻子也曾起了相当重要的作用。
爱迪生发明创造年表：
1868年10月11日发明“投票计数器”，获得生平第一项专利权。
1869年10月与友人合设“波普——爱迪生公司”。
1870年发明普用印刷机，出让专利权，获4万美元。在纽约克自设制造厂。
1872—1876年发明电动画机电报，自动复记电报法，二重、四重电报法，制造蜡纸炭质电阻器等。
1875年发明声波分析谐振器。
1876年在新泽西州的门罗公园建立了一个实验室——第一个工业研究实验室。它是现代的“研究小组”这一概念的创始。发明碳精棒送话器。申请电报自动记录机专利。
1877年在门罗公园改进了早期由贝尔发明的电话，并使之投入了实际使用。获得三项专利：穿孔笔、气动铁笔和普通铁笔。 8月20日发明了被证实为爱迪生心爱的一个项目——留声机。
1878年爱迪生宣称要解决电照明的问题。英国皇家学会举办留声机展览。改良留声机，设计微音器，扩音器，空中扬声器，声音发动机，调音发动机，微热计，验味计等。2月19日获留声机专利。7月与宾夕法尼亚大学派克教授赴怀俄明观察日全蚀，并用他发明的气温计测量太阳周围全体的温度。8月返回门罗公园，重新投入科研实验当中。英国批准爱迪生“录放机”专利申请。9月访问康涅狄克州的威廉·华莱士。开始进行发明电灯的研究。10月5日提出等一份关于铂丝“电灯”的专利申请。
1879—1880年经数千次的挫折发明高阻力白炽灯。改良发电机。设计电流新分布法，电路的调准和计算法。发明电灯座和开关。发明磁力析矿法。
1879年8月30日爱迪生和贝尔在萨拉托加溪市的市政厅各自演示了电话装置，结果爱迪生的电话比贝尔的清晰。10月21日发明高阻力白炽灯，它连续点燃了40个小时。11月1日申请碳丝灯专利。12月21日《纽约快报》报道了爱迪生的白炽电灯。12月25日对来自纽约市的3000名参观者在门罗公园作公开电灯表演。
1880年研究直升机。获得电灯发明专利权。制成磁力筛矿器。1月28日提出“电力输配系统”专利书。2月18日《斯克立柏月刊》发表了《爱迪生的电灯》一文，正式发表了电灯的发明。5月第一艘由电灯照明的“哥伦比亚号”轮船试航成功。
12月成立纽约爱迪生电力照明公司。
1881纽约第五大街总部设立。成立一个白炽灯厂于纽约克。设立发电机，地下电线，电灯零件的制造厂。在门罗公园试验电车。
1882发明电流三线分布制。申请专利141项。9月4日成立第一所中央厂。 12月底美利坚合众国各地建立了150多个小电站。
1885年5月23日提出无线电报专利。
1887—1890年改良圆筒式留声机，取得关于留声机的专利权80余份。经营留声机，唱片，授语机等制造和发售事业。
1888年发明唱筒型留声机。
1889年参加巴黎百年博览会。发明电气铁道多种。完成活动电影机。
1890—1899年设计大型碎石机，研磨机。在奥格登矿地亲自指挥用新方法大规模开发铁矿。
1891年发明“爱迪生选矿机”，开始自行经营采矿事业。获得“活动电影放映机”专利。5月20日第一台成功的活动电影视镜在新泽西州西奥兰治的爱迪生实验室向公众展示。
1893年爱迪生实验室的庭院里建立起世界上第一座电影“摄影棚”。
1894年4月14日在纽约开辟第一家活动电影放映机影院。
1896年年4月23日第一次在纽约的科斯特—拜厄尔的音乐堂使用“维太放映机”放映影片，受到公众热烈欢迎。
1902年使用新型蓄电池作车辆动力的试验，行程为5000英里，每充一次电，可走100英里，获得成功。
1903年爱迪生的公司摄制了第一部故事片《列车抢劫》。
1909年费时十年，蓄电池的研究，终于成功。制成传真电报。获得原料机、加细碾机、长窑设计专利。
1910—1914年完成圆盘式留声机，不损唱片和金钢石唱片。完成有声电影机。
1910年发明“圆盘唱片”。
1912年发明“有声电影”。研制成传语留声机。
1914—1915年发明石碳酸综合制造法，并合留声机和授语机为远写机，一方电话机可自动纪录对方说话。自行制造苯、靛油等。
1915—1918年完成发明39件之多，其中最著名的是鱼雷机械装置，喷火器和水底潜望镜等。
1927年完成长时间唱片。
1928年从野草中提炼橡胶成功。
有人作过统计：爱迪生一生中的发明，在专利局正式登记的有1300种左右。1881年是他发明的最高纪录年。这一年，他申请立案的发明就有141种，平均每三天就有一种新发明。
伟大发明家爱迪生的一生告诉我们：巨大的成就，出于艰巨的劳动。
爱迪生不会随着时光流走而被人们遗忘,他的一生是光荣的,他的一切是为人类的。
GE集团的首任总经理兼创始人。
爱迪生是位举世闻名的美利坚合众国电学家和发明家，他除了在留声机、电灯、电话、电报、电影等方面的发明和贡献以外，在矿业、建筑业、化工等领域也有不少著名的创造和真知灼见。爱迪生一生共有约两千项创造发明，为人类的文明和进步作出了巨大的贡献。
爱迪生同时也是一位伟大的企业家，他1890年组建的爱迪生通用电气公司（Edison General Electric Company），其两个主体业务组成了大名鼎鼎的通用电气公司（GE）。
生平
爱迪生于1847年 2月11日诞生于美利坚合众国中西部的俄亥俄州(Ohio)的米兰(Milan)小市镇。父亲是荷兰人的后裔，母亲曾当过小学教师，是苏格兰人的后裔。爱迪生7岁时，父亲经营屋瓦生意亏本，将全家搬到密歇根州(Michigan)休伦北郊的格拉蒂奥特堡定居下来。搬到这里不久，爱迪生就患了猩红热，病了很长时间，人们认为这种疾病是造成他耳聋的原因。爱迪生8岁上学，但仅仅读了三个月的书，就被老师斥为“低能儿”而撵出校门。从此以后，他的母亲是他的“家庭教师”。由于母亲的良好的教育方法，使得他对读书发生了浓厚的兴趣。“他不仅博览群书，而且一目十行，过目成诵”。8 岁时，他读了英国文艺复兴时期最重要的剧作家威廉·莎士比亚、狄更斯的著作和许多重要的历史书籍，到9 岁时，他能迅速读懂难度较大的书，如帕克的《自然与实验哲学》。10岁时酷爱化学。11岁那年，他实验了他的第一份电报。为了赚钱购买化学药品和设备，他开始了工作。12岁的时候，他获得列车上售报的工作，辗转于休伦港(Port Huron)和密歇根州的底特律(Detroit)之间。他一边卖报，一边兼做水果、蔬菜生意，只要有空他就到图书馆看书。他买了一架旧印刷机，开始出版自己的周刊——《先驱报》，第一期周刊就是在列车上印刷的。他用所挣得的钱在行李车上建立了一个化学实验室。不幸有一次化学药品着火，他连同他的设备全被扔出车外。另外有一次，当爱迪生正力图登上一列货运列车时，一个列车员抓住他的两只耳朵助他上车。这一行动导致了爱迪生成为终身聋子。
1862年8月，爱迪生以大无畏的英雄气魄救出了一个在火车轨道上即将遇难的男孩。孩子的父亲对此感恩戴德，但由于无钱可以酬报，愿意教他电报技术。从此，爱迪生便和这个神秘的电的新世界发生了关系，踏上了科学的征途。
1863年，爱迪生担任大干线铁路斯特拉福特枢纽站电信报务员。从1864年至1867年，在中西部各地担任报务员，过着类似流浪的生活。足迹所至，包括斯特拉福特、艾德里安、韦恩堡、印第安那波利斯(Indianapolis)、辛辛那提(Connecticut)、那什维尔(Nashville)、田纳西(Tennessee)、孟斐斯(Memphis)、路易斯维尔、休伦等地。
1868年，爱迪生以报务员的身份来到了波士顿(Boston)。同年，他获得了第一项发明专利权。这是一台自动记录投票数的装置。爱迪生认为这台装置会加快国会的工作，它会受到欢迎的。然而，一位国会议员告诉他说，他们无意加快议程，有的时候慢慢地投票是出于政治上的需要。从此以后，爱迪生决定，再也不搞人们不需要的任何发明。
1869年6月初，他来到纽约(New York)寻找工作。当他在一家经纪人办公室等候召见时，一台电报机坏了。爱迪生是那里唯一的一个能修好电报机的人，于是他谋得了一个比他预期的更好的工作。10月他与波普一起成立一个“波普——爱迪生公司”，专门经营电气工程的科学仪器。在这里，他发明了“爱迪生普用印刷机”。他把这台印刷机献给华尔街一家大公司的经理，本想索价5000美元，但又缺乏勇气说出口来。于是他让经理给个价钱，而经理给了4万美元。
爱迪生用这笔钱在新泽西州(New Jersey)纽瓦克市的沃德街建了一座工厂，专门制造各种电气机械。他通宵达旦地工作。他培养出许多能干的助手，同时，也巧遇了勤快的玛丽(Mary Stilwell)，他未来的第一个新娘。在纽瓦克，他做出了诸如蜡纸、油印机等的发明，从1872至1875年，爱迪生先后发明了二重、四重电报机，还协助别人搞成了世界上第一架英文打字机。
1876年春天，爱迪生又一次迁居，这次他迁到了新泽西州(New Jersey)的“门罗公园”。他在这里建造了第一所“发明工厂”，它“标志着集体研究的开端”。1877年，爱迪生改进了早期由贝尔发明的电话，并使之投入了实际使用。他还发明了他心爱的一个项目——留声机。电话和电报“是扩展人类感官功能的一次革命”；留声机是改变人们生活的三大发明之一，“从发明的想象力来看，这是他极为重大的发明成就”。到这个时候，人们都称他为“门罗公园的魔术师”。
爱迪生在发明留声机的同时，经历无数次失败后终于对电灯的研究取得了突破，1879年10月22日，爱迪生点燃了第一盏真正有广泛实用价值的电灯。为了延长灯丝的寿命，他又重新试验，大约试用了6000多种纤维材料，才找到了新的发光体——日本竹丝，可持续1000多小时，达到了耐用的目的。从某一方面来说，这一发明是爱迪生一生中达到的登峰造极的成就。接着，他又创造一种供电系统，使远处的灯具能从中心发电站配电，这是一项重大的工艺成就。
他在纯科学上第一个发现出现于1883年。试验电灯时，他观察到他称之为爱迪生效应的现象：在点亮的灯泡内有电荷从热灯丝经过空间到达冷板。爱迪生在1884年申请了这项发现的专利，但并未进一步研究。而旁的科学家利用爱迪生效应发展了电子工业，尤其是无线电和电视。
爱迪生又企图为眼睛做出留声机为耳朵做出的事，电影摄影机即产生于此。使用一条乔治伊斯曼新发明的赛璐珞胶片，他拍下一系列照片，将它们迅速地、连续地放映到幕布上，产生出运动的幻觉。他第一次在实验室里试验电影是在1889年，1891年申请了专利。1903年，他的公司摄制了第一部故事片“列车抢劫”。爱迪生为电影业的组建和标准化做了大量工作。
1887年爱迪生把他的实验室迁往西奥兰治以后，为了他的多种发明制成产品和推销，他创办了许多商业性公司；这些公司后来合并为爱迪生通用电气公司，后又称为通用电气公司。此后，他的兴趣又转到荧光学、矿石捣碎机、铁的磁离法、蓄电池和铁路信号装置上。
第一次世界大战期间，他研制出鱼雷机械装置、喷火器和水底潜望镜。
1929年10月21日，在电灯发明50周年的时候，人们为爱迪生举行了盛大的庆祝会，德意志联邦共和国的阿尔伯特·爱因斯坦和法兰西共和国的居里夫人等著名科学家纷纷向他祝贺。不幸的是，就在这次庆祝大会上，当爱迪生致答辞的时候，由于过分激动，他突然昏厥过去。从此，他的身体每况愈下。1931年10月18日，这位为人类作过伟大贡献的科学家因病逝世，终年84岁。
爱迪生的文化程度极低，对人类的贡献却这么巨大，这里的“秘诀”是什么呢？他除了有一颗好奇的心，一种亲自试验的本能，就是他具有超乎常人的艰苦工作的无穷精力和果敢精神。当有人称爱迪生是个“天才”时，他却解释说：“天才就是百分之二的灵感加上百分之九十八的汗水。”他在“发明工厂”，把许多不同专业的人组织起来，里面有科学家、工程师、技术人员、工人共100多人，爱迪生的许多重大发明就是靠这个集体的力量才获得成功的。他的成就主要归功于他的勤奋和创造性才能以及集体的力量，此外，他的妻子也曾起了相当重要的作用。
爱迪生发明创造年表：
1868年10月11日发明“投票计数器”，获得生平第一项专利权。
1869年10月与友人合设“波普——爱迪生公司”。
1870年发明普用印刷机，出让专利权，获4万美元。在纽约克自设制造厂。
1872—1876年发明电动画机电报，自动复记电报法，二重、四重电报法，制造蜡纸炭质电阻器等。
1875年发明声波分析谐振器。
1876年在新泽西州的门罗公园建立了一个实验室——第一个工业研究实验室。它是现代的“研究小组”这一概念的创始。发明碳精棒送话器。申请电报自动记录机专利。
1877年在门罗公园改进了早期由贝尔发明的电话，并使之投入了实际使用。获得三项专利：穿孔笔、气动铁笔和普通铁笔。 8月20日发明了被证实为爱迪生心爱的一个项目——留声机。
1878年爱迪生宣称要解决电照明的问题。英国皇家学会举办留声机展览。改良留声机，设计微音器，扩音器，空中扬声器，声音发动机，调音发动机，微热计，验味计等。2月19日获留声机专利。7月与宾夕法尼亚大学派克教授赴怀俄明观察日全蚀，并用他发明的气温计测量太阳周围全体的温度。8月返回门罗公园，重新投入科研实验当中。英国批准爱迪生“录放机”专利申请。9月访问康涅狄克州的威廉·华莱士。开始进行发明电灯的研究。10月5日提出等一份关于铂丝“电灯”的专利申请。
1879—1880年经数千次的挫折发明高阻力白炽灯。改良发电机。设计电流新分布法，电路的调准和计算法。发明电灯座和开关。发明磁力析矿法。
1879年8月30日爱迪生和贝尔在萨拉托加溪市的市政厅各自演示了电话装置，结果爱迪生的电话比贝尔的清晰。10月21日发明高阻力白炽灯，它连续点燃了40个小时。11月1日申请碳丝灯专利。12月21日《纽约快报》报道了爱迪生的白炽电灯。12月25日对来自纽约市的3000名参观者在门罗公园作公开电灯表演。
1880年研究直升机。获得电灯发明专利权。制成磁力筛矿器。1月28日提出“电力输配系统”专利书。2月18日《斯克立柏月刊》发表了《爱迪生的电灯》一文，正式发表了电灯的发明。5月第一艘由电灯照明的“哥伦比亚号”轮船试航成功。
12月成立纽约爱迪生电力照明公司。
1881纽约第五大街总部设立。成立一个白炽灯厂于纽约克。设立发电机，地下电线，电灯零件的制造厂。在门罗公园试验电车。
1882发明电流三线分布制。申请专利141项。9月4日成立第一所中央厂。 12月底美利坚合众国各地建立了150多个小电站。
1885年5月23日提出无线电报专利。
1887—1890年改良圆筒式留声机，取得关于留声机的专利权80余份。经营留声机，唱片，授语机等制造和发售事业。
1888年发明唱筒型留声机。
1889年参加巴黎百年博览会。发明电气铁道多种。完成活动电影机。
1890—1899年设计大型碎石机，研磨机。在奥格登矿地亲自指挥用新方法大规模开发铁矿。
1891年发明“爱迪生选矿机”，开始自行经营采矿事业。获得“活动电影放映机”专利。5月20日第一台成功的活动电影视镜在新泽西州西奥兰治的爱迪生实验室向公众展示。
1893年爱迪生实验室的庭院里建立起世界上第一座电影“摄影棚”。
1894年4月14日在纽约开辟第一家活动电影放映机影院。
1896年年4月23日第一次在纽约的科斯特—拜厄尔的音乐堂使用“维太放映机”放映影片，受到公众热烈欢迎。
1902年使用新型蓄电池作车辆动力的试验，行程为5000英里，每充一次电，可走100英里，获得成功。
1903年爱迪生的公司摄制了第一部故事片《列车抢劫》。
1909年费时十年，蓄电池的研究，终于成功。制成传真电报。获得原料机、加细碾机、长窑设计专利。
1910—1914年完成圆盘式留声机，不损唱片和金钢石唱片。完成有声电影机。
1910年发明“圆盘唱片”。
1912年发明“有声电影”。研制成传语留声机。
1914—1915年发明石碳酸综合制造法，并合留声机和授语机为远写机，一方电话机可自动纪录对方说话。自行制造苯、靛油等。
1915—1918年完成发明39件之多，其中最著名的是鱼雷机械装置，喷火器和水底潜望镜等。
1927年完成长时间唱片。
1928年从野草中提炼橡胶成功。
有人作过统计：爱迪生一生中的发明，在专利局正式登记的有1300种左右。1881年是他发明的最高纪录年。这一年，他申请立案的发明就有141种，平均每三天就有一种新发明。
伟大发明家爱迪生的一生告诉我们：巨大的成就，出于艰巨的劳动。
爱迪生不会随着时光流走而被人们遗忘,他的一生是光荣的,他的一切是为人类的。
2009年6月28日星期日
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识
1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。
8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。
10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如 SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。
14 AS75 砷 自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。
15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
16 ASSEMBLY 晶粒封装以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架，即Lead frame）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil～30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，软烤，预烤烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。
19 BF2 二氟化硼 ·一种供做离子植入用之离子。·BF2 ＋是由BF3 ＋气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。·是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。
20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat用在温度较高（大于300℃）的场合。而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。
22 BONDING PAD 焊垫焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding Diagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j 微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。
23 BORON 硼自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B 11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入。
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后，造成断线。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定义反向P＋ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压，在P＋ - N或 N＋-P之接回组件中崩溃电压，随着N（或者P）之浓度之增加而减小。
26 BURN IN 预烧试验 「预烧」（Burn in）为可靠性测试的一种，旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。预烧试验的作法，乃是将组件（产品）至于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际状况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，馾由于成本及交货其等因素，有些产品旧祇作抽样（部分）的预烧试验，通过后才出货。另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行，当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验。
27 CAD 计算机辅助设计 CAD：Computer Aided Design计算机辅助设计，此名词所包含的范围很广，可泛称一切计算机为工具，所进行之设计；因此不仅在IC设计上用得到，建筑上之设计，飞机、船体之设计，都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时，设计者必须以有限之记忆、经验来进行设计，可是有了所谓CAD后，我们把一些常用之规则、经验存入计算机后，后面的设计者，变可节省不少从头摸索的工作，如此不仅大幅地提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地。
28 CD MEASUREMENT 微距测试 CD: Critical Dimension之简称。通常于某一个层次中，为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于晶方之边缘。简言之，微距测量长当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。量测CD之层次通常是对线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前较常用于测量之图形有品字型，L-BAR等。
29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、无色液体、有刺激性气味、熔点16.63℃、沸点118℃。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上之纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。
30 CHAMBER 真空室,反应室 专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等。针对此特殊空间之种种外在或内在环境：例如外在粒子数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件。
31 CHANNEL 信道当在MOS晶体管的闸极上加上电压（PMOS为负，NMOS为正），则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下之区域形成一反转层（Inversion Layer），也就是其下之半导体P-type变成N-type Si，N-type变成P-type Si，而与源极和汲极，我们旧称此反转层为“信道”。信道的长度“Channel Length”对MOS组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLY CD的控制需要非常谨慎。
32 CHIP ,DIE 晶粒一片芯片（OR晶圆，即Wafer）上有许多相同的方形小单位，这些小单位及称为晶粒。同一芯片上每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的，从几百个到几千个不等。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往往就会波及成百成千个产品。
33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命周期 一、定义少数戴子再温度平均时电子被束缚在原子格内，当外加能量时，电子获得能量，脱离原子格束缚，形成自由状态而参与电流岛通的的工作，但能量消失后，这些电子/电洞将因在结合因素回复至平衡状态，因子当这些载子由被激发后回复平衡期间，称之为少数载子“LIFE TIME“二、应用范围1.评估卢管和清洗槽的干净度2.针对芯片之清洁度及损伤程度对CLT值有影响为A.芯片中离子污染浓度及污染之金属种类B.芯片中结晶缺陷浓度
34 CMOS 互补式金氧半导体 金属氧化膜半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅（或金属）作为闸极，利用家到闸极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由电洞导电）。而互补式金氧半导体（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强、α-PARTICLE免疫力好等许多优点，是超大规模集成电路（VLSI）的主流。
35 COATING 光阻覆盖将光阻剂以浸泡、喷雾、刷怖、或滚压等方法加于芯片上，称为光阻覆盖。目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转的芯片支持器上，适量的光阻剂加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光阻剂向外流开，很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜，旋转速度必须适中稳定。而旋转速度和光阻剂黏滞性绝应所镀光阻剂的厚度。光阻剂加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光阻剂中过多的溶剂，进而使光阻膜较为坚硬，同时增加光阻膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光阻膜即软烤过程，也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。
36 CROSS SECTION 横截面 IC的制造基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的构造，以改善制程或解决制程问题，经常会利用破坏性切割方式以电子显微镜（SEM）来观察，而切割横截面、观察横截面的方式是其中较为普遍之一种。
37 C-V PLOT 电容,电压圆译意为电容、电压图：也就是说当组件在不同状况下，在闸极上施以某一电压时，会产生不同之电容值（此电压可为正或负），如此组件为理想的组件；也就是闸极和汲极间几乎没有杂质在里面（COMTAMINATION）。当外界环境改变时（温度或压力），并不太会影响它的电容值，利用此可MONITOR MOS 组件之好坏，一般△V＜0.2为正常。
38 CWQC 全公司品质管制以往有些经营者或老板，一直都认为品质管制是品管部门或品管主管的责任，遇到品质管制做不好时，即立即指责品质主管，这是不对的。品质管制不是品质部门或某一单位就可以做好的，而是全公司每一部门全体人员都参与才能做好。固品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制（Company Wide Quality Control）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体质；即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质，以及全员有体系导向的体质。
39 CYCLE TIME 生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需之生产/制造时间。在TI-ACER，生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期时间”（WAFER-OUT CYCLE TIME ），一为“制程周期时间”（PROCESS CYCLE TIME）“芯片产出周期时间”乃指单一批号之芯片由投入到产出所需之生产/制造时间。“制程周期时间”则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间，而各工站（从头至尾）平均生产/制造之加总极为该制程之制程周期时间。目前TI-ACER LINE REPORT 之生产周期时间乃采用“制程周期时间”。一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）
40 CYCLE TIME 生产周期 IC制造流程复杂，且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成，谓之Cycle Time。由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效，故Cycle Time越短，竞争能力就越高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。由于Cycle Time 长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利，早日出FIB上市销售。
41 DEFECT DENSITY 缺点密度〝缺点密度〞系指芯片单位面积上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少〝缺点数〞之意，此缺点数一般可分为两大类：A.可视性缺点B.不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来（如桥接、断线），由于芯片制造过程甚为复杂漫长，芯片上缺点数越少，产品量率品质必然越佳，故〝缺点密度〞常备用来当作一个工厂制造的产品品质好坏的指针。
42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光阻附着力。以免芯片表面曝光显影后光阻掀起。方法：在光阻覆盖之前，利用高温（120℃或150℃）加热方式为之。
43 DENSIFY 密化 CVD沉积后，由于所沈积之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高温步骤使薄膜中之分子重新结合，以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。
44 DESCUM 电浆预处理 1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的时间，较一般电浆光阻去除（Stripping）为短。其目的只是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑（Scum）加以去除，以使图形不失真，蚀刻出来之图案不会有残余。2. 有关电浆去除光阻之原理，请参阅「电浆光阻去除」（Ashing）。3. 通常作电浆预处理，均以较低之力，及小之功率为之，也就是使光阻之蚀刻率降低得很低，使得均匀度能提高，以保持完整的图形，达到电浆预处理的目的。
45 DESIGN RULE 设计规范由于半导体制程技术，系一们专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法（RECIPE）的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善，成功地制造出来时，需有一套规范来做有关技术上之规定，此即“DESIGN RULE”，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力、各项相关电性参数规格等之考虑，订正了如：1. 各制程层次、线路之间距离、线宽等之规格。2. 各制程层次厚度、深度等之规格。3. 各项电性参数等之规格。以供产品设计者及制程技术工程师等人之遵循、参考。
46 EDSIGN RULE 设计准则设计准则EDSIGN RULE：反应制程能力及制程组件参数，以供IC设计者设计IC时的参考准则。一份完整的Design Rule包括有下列各部分：A.制程参数：如氧化层厚度、复晶、金属层厚度等，其它如流程、ADI、AEI 参数。主要为扩散与黄光两方面的参数。B.电气参数：提供给设计者做仿真电路时之参考。C.布局参数：及一般所谓的3μm、2μm、1.5μm…等等之 Rules，提供布局原布局之依据。D.光罩制作资料：提供给光罩公司做光罩时之计算机资料，如CD BAR、测试键之摆放位置，各层次之相对位置之摆放等。
47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均对准 每个Field再曝光前均针对此单一Field对准之方法称之；也就是说每个Field均要对准。
48 DIFFUSION 扩散在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子布植的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
49 DI WATER 去离子水 IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤之后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC。工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离子级PARTICLE，经厂务的设备将之杀菌、过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞，专供IC制造之用。
50 DOPING 参入杂质 为使组件运作，芯片必须参以杂质，一般常用的有：1.预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸气，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱入扩散；或利用沉积时同时进行预置。2.离子植入：先使杂质游离，然后加速植入芯片。
51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM），在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失，故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个 Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类：A.需要六个Transistor（晶体管），B.四个Transistor（晶体管）加两个Load resistor（负载电阻）。由于上述之优缺点，DRAM一般皆用在PC（个人计算机）或其它不需高速且记忆容量大之记忆器，而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量。如监视器（Monitor）、打印机（Printer）等外围控制或工业控制上。
52 DRIVE IN 驱入 离子植入（ion implantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散道教深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称之驱入。在驱入时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入世界原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。
53 E-BEAM LITHOGRAPHY 电子束微影技术目前芯片制作中所使用之对准机，其曝光光源波长约为（365nm～436nm），其可制作线宽约1μ之IC图形。但当需制作更细之图形时，则目前之对准机，受曝光光源波长之限制，而无法达成，因此在次微米之微影技术中，及有用以电子数为曝光光源者，由于电子束波长甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更细之IC图型，此种技术即称之电子束微影技术。电子束微影技术，目前已应用于光罩制作上，至于应用于光芯片制作中，则仍在发展中。
54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 Early Failure Rate是产品可靠度指针，意谓IC到客户手中使用其可能发生故障的机率。当DRAM生产测试流程中经过BURN-IN高温高压测试后，体质不佳的产品便被淘汰。为了确定好的产品其考靠度达到要求，所以从母批中取样本做可靠度测试，试验中对产品加高压高温，催使不耐久的产品故障，因而得知产品的可靠度。故障机率与产品生命周期之关系类似浴缸，称为Bathtub Curve.
55 ELECTROMIGRATION 电子迁移所谓电子迁移，乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电之金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中之薄金属层时，某些地方之金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近之导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移之抗力，例如：与铜形成合金，沉积时加氧等方式。
56 ELECTRON/HOLE 电子/ 电洞电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周形成原子。垫洞是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。
57 ELLIPSOMETER 椭圆测厚仪 将已知波长之射入光分成线性偏极或圆偏极，照射在待射芯片，利用所得之不同椭圆偏极光之强度讯号，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片模厚度
58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 电子迁移可靠度测试当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块边界（GRAIN Bounderies）扩散（Diffusion），使金属线产生空洞（Void），甚至断裂，形成失效。其对可靠度评估可用电流密度线性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n×exp【Ea/Kb （1/T（op）- 1/T（stress））】TF=AF×T（stress）
59 END POINT DETECTOR 终点侦测器在电浆蚀刻中，利用其反应特性，特别设计用以侦测反应何时完成的一种装置。一般终点侦测可分为下列三种：A.雷射终点侦测器（Laser Endpoint Detector）： 利用雷射光入射反应物（即芯片）表面，当时颗发生时，反应层之厚度会逐渐减少，因而反射光会有干扰讯号产生，当蚀刻完成时，所接收之讯号亦已停止变化，即可测得终点。B.激发光终点侦测器（Optical Emission End Point Detector）用一光谱接受器，接受蚀刻反应中某一反应副产物（Byproduct）所激发之光谱，当蚀刻反应逐渐完成，此副产物减少，光谱也渐渐变弱，即可侦测得其终点。C.时间侦测器：直接设定反应时间，当时间终了，即结束其反应。
60 ENERGY 能量 能量是物理学之专有名词。例如：B比A之电压正100伏，若在A板上有一电子受B版正电吸引而加速跑到B版，这时电子在B版就比在A版多了100电子伏特的能量。
61 EPI WAFER 磊晶芯片 磊晶系在晶体表面成长一层晶体。
62 EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 电子可程序只读存储器 MASK ROM内所存的资料，是在 FAB 内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变，就像任天堂游戏卡内的MASK ROM，存的是金牌玛丽就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一个特殊结构叫A FAMDS，它可使ROM内的资料保存，但当紫外光照到它时，它会使 ROM内的资料消失。每一个晶忆单位都归口。然后工程人员再依程序的规范，用30瓦左右的电压将0101….资料灌入每一个记忆单位。如此就可灌电压、紫外光重复使用，存入不同的资料。也就是说如果任天堂卡内使用的是EPROM，那么你打腻了金牌玛丽，然后灌双截龙的程序进去，卡匣就变成双截龙卡，不用去交换店交换了。
63 ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE 静电破坏静电放电 1自然界之物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成。在正常状态下，物质成中性，而在日常活动中，会使物质失去电子，或得到电子，此即产生一静电，得到电子之物质为带负静电，失去电子即带正静电。静电大小会随着日常的工作环境而有所不同。如下表所示。活动情形 静 电 强 度 （Volt）
10－20﹪相对湿度 65-95﹪相对湿度
走过地毯走过塑料地板在以子上工作拿起塑料活页夹，袋拿起塑料带工作椅垫摩擦 35,00012,0006,0007,00020,00018,000 1,5002501006001,00015,000
表1 日常工作所产生的静电强度表2.当物质产生静电后，随时会放电，弱放到子组件上，例如IC，则会将组件破坏而使不能正常工作，此即为静电破坏或静电放电。 3.防止静电破坏方法有二：A.在组件设计上加上静电保护电路。B.在工作环境上减少静电，例如工作桌之接地线，测试员之静电环。载运送上使用防静电胶套及海绵等等。
64 ETCH 蚀刻在集成电路的制程中，常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要之薄膜，在利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造之电路图案，再利用化学或物理方式将不需要之部分去除，此种去除步骤便称为蚀刻（ETCH）一般蚀刻可分为湿性蚀刻（WET ETCH）及干性蚀刻（DRY ETCH）两种。所谓干性蚀刻乃是利用化学品（通常是盐酸）与所欲蚀刻之薄膜起化学反应，产生气体或可溶性生成物，达到图案定义之目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆，将所欲蚀刻之薄膜反映产生气体由PUMP抽走，达到图案定义之目的。
65 EXPOSURE 曝光其意义略同于照相机底片之感光在集成电路之制造过程中，定义出精细之光组图形为其中重要的步骤，以运用最广之5X STEPPER为例，其方式为以对紫外线敏感之光阻膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计之各种图形，以特殊波长之光线（G-LINE 436NM）照射光罩后，经过缩小镜片（REDUCTION LENS）光罩上之图形则成5倍缩小，精确地定义在底片上（芯片上之光阻膜）经过显影后，即可将照到光（正光阻）之光阻显掉，而得到我们想要之各种精细图形，以作为蚀刻或离子植入用。因光阻对于某特定波长之光线特别敏感，故在黄光室中早将一切照明用光元过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力之波长成分在，这一点各相关人员应特别注意，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细之光阻图。
66 FABRICATION（FAB）制造 Fabrication为“装配”或“制造”之意，与Manufacture意思一样，半导体制造程序，其步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到吴缺点的品质。FAB系Fabrication之缩写，指的是“工厂”之意。我们常称FIB为“晶圆区”，例如：进去“FAB”之前需穿上防尘衣。
67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能芯片由于产品上会有缺陷，所以有些芯片无法全功能工作。因此须要雷射修补前测试，以便找到缺陷位置及多寡，接着就能利用雷射修补，将有缺陷的芯片修补成全功能的芯片。《当缺陷超过一定限度时，无法修补成全功能芯片》
68 FIELD/MOAT 场区 FIELD直译的意思是〝场〞，足球场和武道场等的场都叫做FIELD。它的含意就是一个有专门用途的区域。在IC内部结构中，有一区域是隔离电场的地方，通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部分会长一层厚的氧化层。
69 FILTRATION 过滤用过滤器（FILTER，为一半透膜折叠而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为FILTRATION【过滤】因IC制造业对洁净式的要求是非常严格的，故各种使用的液体或气体，必须借着一个PUMP制造压差来完成，如何炫则一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。
70 FIT（FAILURE IN TIME） FIT适用以表示产品可靠度的单位FIT=1Eailure in 10 9 Device-Hours例如1000 Device 工作1000Hours后1 Device故障，则该产品的可靠度为：（1Failure）/（1000 Devices*1000 Hours）=1000 FITs
71 FOUNDRY 客户委托加工客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由SMIC来生产制造，在将成品出售给客户，指收取代工过程费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就是硅代工（Silicon Foundry）。
72 FOUR POINT PROBE 四点侦测 ·是量测芯片片阻值（Sheet Resistance）RS的仪器。·原理如下：有ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差（△V），则RS=K. △V/I K是常数比例和机台及针尖距离有关
73 F/S（FINESONIC CLEAN） 超音波清洗 超音波清洗的主要目的是用来去除附着在芯片表面的灰尘，其反应机构有二：1. 化学作用：利用SC-1中的NH4OH，H2O2与Silicon表面反应，将灰尘剥除。2. 2.物理作用：利用频率800KHz，功率450W×2的超音波震荡去除灰尘。
74 FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪 FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。目的：·已发展成熟，可Routine应用者，计 有： A.BPSG/PSG之含磷、含硼量预测。 B.芯片之含氧、含碳量预测。 C.磊晶之厚度量测。·发展中需进一步Setup者有： A.氮化硅中氢含量预测。 B.复晶硅中含氧量预测。 C.光阻特性分析。FTIR为一极便利之分析仪器，STD的建立为整个量测之重点，由于其中多利用光学原理、芯片状况（i.e.晶背处理状况）对量测结果影响至钜。
75 FTY（FINAL TEST YIELD） 在晶圆出厂后，必须经过包装及T1（断/短路测试），Burn -in（烧结），T3（高温功能测试），T4（低温功能测试），QA测试，方能销售、出货至客户手中。在这段漫长而繁杂的测试过程中，吾人定义Final Test Yield 为：T1 Yield* Burn –in Yield*T3 Yield*T4 Yield
76 FUKE DEFECT 成因为硅化物之氧化，尤其是以水蒸气去致密化PBSG时会发生，造成闸极（Poly Gate）与金属间的短路。硅化物之氧化可分为二类型：（以TiSi2）1. 热力学观点SiO2是最稳定，故Si 扩散至TiSi2之表面时会与水反应成SiO2而非TiO2。2. 动力学观点而言，当Si不足时则会形成TiO2而将TiSi2分解。
77 GATE OXIDE 闸极氧化层 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半场效晶体管）中相当重要的闸极之下的氧化层。此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格。
78 GATE VALVE 闸阀 用来控制气体压力之控制装置。通常闸阀开启越大，气体于反应室内呈现之压力较低；反之，开启越小，压力较高。
79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP） 优良电器特性芯片 能够合于规格书（Data Book）上所定义电器特性的芯片。这些芯片才能被送往芯片包装工厂制成成品销售给客户。
80 GETTERING 吸附 “Gettering”系于半导体制程中，由于可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金属类杂质污染等之影响，造成组件接口之间可能有漏电流（Junction Leakage）存在，而影响组件特性；如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上作法，就叫做 ”Gettering”吸附。吸附一般又可分 “内部的吸附”---Intrinsic Gettering 及 “外部的吸附”---Extrinsic Gettering。前者系在下线制造之前先利用特殊高温步骤让晶圆表面的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低。后者系利用外在方法如：晶背伤言、磷化物（POCl3）预置ETC将晶圆表面的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆背面。两者均可有效改善上述问题。
81 G-LINE G-光线 G-line系指一种光波的波长，多系水银灯所发出之光波波长之一，其波长为436nm。G-line之光源，最常作为Stepper所用之水银灯，本来系由许多不同之波长的光组成，利用一些Mirror和Filter反射、过滤的结果，会将其它波长之光过滤掉，仅余G-line作为曝光用。使用单一波长作为曝光光源可以得到较佳的能量控制和解吸力，但由于其为单色波故产生之驻波效应（Standing Wave）对光阻图案产生很大的影响。在选择最佳光阻厚度，以府合驻波效应，成为G-line Standing最要的工作之一。
82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性对准与计算 Global Alignment系指整片芯片在曝光前，先作整片性之对准与计算，然后接着可做整片芯片之曝光。·GLOBAL ALIGNMENT分为两种：1普通的Global Alignment：每片芯片共对准左右两点。2 Advance Global Alignment：每片芯片对准预先设定好之指定数个Field的对准键，连续对准完毕并晶计算机计算后，才整片曝光。
83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY） 闸极氧化层完整性半导体组件中，闸极氧化层的完整与否关系着电容上电荷的存放能力，故需设计一适当流程，其主要目的在侧闸极氧化层之崩溃电压（breakdown voltage）、有效氧化层厚度等，以仿真闸极氧化层的品质及可信赖度，通常即以此崩溃电压值表示GOI的优劣程度。
84 GRAIN SIZE 颗粒大小 一种晶体材料形成后，从微观的角度来看，材料都是一大堆颗粒垒叠在一起而成。这些颗粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化，故常要注意其大小变化。
85 GRR STUDY（GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY） 测量仪器重复性与再现性之研究将良策仪器的重复性—一其本身的变异，再现性—操作人本身的变异，用统计的方法算出，以判断量测仪器是否符合制程参数控制之需要。
86 H2SO4 硫酸 Suifuric Acid硫酸，为目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性、浓稠、油状液体，依纯度不同，由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶，甚具活性。溶解大部分的金属。浓硫酸具氧化、脱水、磺化大部分的有机化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸点315℃。与水混合时需格外小心，由于放热引起爆炸性的溅泼，永远是将酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前在线上，主要用于SO清洗及光阻去除。
87 H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸无色无谓起泡液体或透明晶形固体。依温度、浓度而定。在20℃50﹪及75﹪强度为易流动液体，85﹪为似糖浆，100﹪酸为晶体。比重1.834，熔点42.35℃。在213℃失去Y2 H2O，形成焦磷酸。溶于水、乙醚，能腐蚀铁及合金。对皮肤、眼睛有刺激性，不小心溅到，可用水冲洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，浓度是85﹪，沸点 156℃，SI3N4与SIO2的蚀刻比约为30：1。
88 HCL 氯化氢（盐酸） Hydrochloric Acid盐酸，为无色或淡黄色，发烟，刺激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。市面出售之”浓”或发烟酸含有氯化氢38%，比重 1.19。氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水、酒精、苯、不可燃。用途广泛。可用于食品加工、金属之酸洗与清洁、工业酸化、一般之清洗、实验试药。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前线上，主要用于RCA清洗。
89 HEPA 高效率过滤器 HEPA（High Efficiency Particulate Air Filter）为洁净室内用以滤去微粒之装置，一般以玻璃纤维制成，可将0.1μm 或0.3μm以上之微粒滤去99.97﹪，压力损失约12.5㎜H2O。层流台能保持Class100以下之洁净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了达到控制Particle的效果，也都装有HEPA之设计。
90 HILLOCK 凸起物金属溅镀后为使金属与硅基（Si-Substrate）有良好的欧姆式接触需先经融合过程，在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同（铝将会膨胀较快），而造成部分的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的 ”凸起物”--Hillock。
91 HMDS HMDS蒸镀 HMD原为化学药品HexaMethylDiSilazane的缩写，在此则是指芯片在上光阻前的一个预先处理步骤。HMDS蒸镀就是利用惰性气体（例如氮气）带着HMDS的蒸汽通过芯片表面，而在芯片表面形成一层薄膜。其目的在于：A.消除芯片表面的微量水分。B.防止空气中的水汽再次吸附于晶面C.增加光阻剂（尤其是正光阻）对于晶 面的附着能力，进而减少在尔后之显 影过程中产生掀起，或是在蚀刻时产生了”Undercutting”的现象。目前在规范中规定于HMDS蒸镀完4小时内需上光阻以确保其功能。
92 HNO3 硝酸 NITRIC ACID硝酸透明、无色或微黄色、发烟、易吸湿之腐蚀性液体，能腐蚀大部分金属。歧黄色是由于曝光所产生之二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点 78℃，比重1.504。IC产业中硝酸用于清洗炉管，但对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。清洗炉管用。
93 HOT ELECTRON EFFECT 热电子效应 在VLST的时代，Short Channel Devices势在必行，而目前一般Circuit 应用上又未打算更改Supply Voltage；如此一来，VG=VD S=5V情况下，将造成Impact Ionization（撞击游离化）现象发生于Drain邻近区域。伴随而生之Electron-Hole pairs（电子电洞对），绝大部分经由Drain（Electrons）or Sub.（Holes）导流掉。但基于统计观点，总会有少部分Electrons（i.e. Hot-Electrons）所具Energy，足以克服Si-SiO2之Barrier Height（能障），而射入SiO2且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结，而形成 Interface Trap 于Si-SiO2接口。不论遵循上述二者之任一，均将导致NMOS Performance的退化（Degradation）现象。
94 I-LINE STEPPER I-LINE步进对准曝光机 当光罩与芯片对准后，利用365nm之波长为光源，将预坐在光罩上图形以M：1之比例，一步一步的重复曝光至芯片上之机器。
95 IMPURITY 杂质 纯粹的硅市金刚石结构，在室温下不易导电。这时如加一些B11或As 7 5取代硅的位置，就会产生“电洞”或“载子”，加以偏压后就可轻易导电。加入的东西即称为杂质。
96 INTEGRATED CIRCUIT（IC） 集成电路集成电路是一九五八年由美国德州仪器公司所发明的。他是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上，然后再以金属联机与外在引线相接，外加陶瓷或塑料包装的装置，由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小，因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性：体积小、廉价、可靠。依照其集积化的程度可区分为小型（SSI）、中型（MSI）、大型（LSI）、超大型（VLSI）集成电路。
97 ION IMPLANTER 离子植入机在IC制程中有时需要精确地控制杂质的浓度及深度，此时即不宜由扩散之方式为之，故以”离子植入机”解离特定气体后调整离子束电流（Beam Current），计算电流X时间得到所植入杂质的浓度并利用加速电压控制植入的深度。
98 ION IMPLANTATION 离子植入 1. 由于加速器集真空技术的发展，离子布植机成为本世纪高科技产品之一，取代了早先的预置制程。2. 其好处有：2-1可精确控制剂量。2-2在真空下操作，可免除杂质污染。2-3可精确控制植入的深度。2-4是一种低温的制程。2-5 只要能游离，任何离子皆可植入
99 ISOTROPIC ETCHING 等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外，横向反应亦同时发生，此总蚀刻即称之为等向性蚀刻。一般化学湿蚀刻多发生此种现象。干式蚀刻，其实刻后的横截面具有异向性蚀刻特性（Anisotropic），即可得到较陡的图形。
100 ITY（INTEGRATED TEST YIELD）为界定产品从wafer fab至组装、测试所有流程的良率，其定义为：INTEGRATED TEST YIELD=Wafer Yield*MPY*ATYNote：MPY:Multi-Probe Yield ATY:Assembly Test Yield
101 LATCH UP 栓锁效应 当VLSI线路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中将愈来愈严重，且仅发生于 CMOS电路，所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径，有如一个垂直的P+-N-P与一个水平 N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器，如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时，将造成两个晶体管互相导过而短路，严重的话将使IC烧毁，故设计CMOS路防止LATCH-UP的发生是当前IC界最重要的课题。
102 LAYOUT 布局此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计之线路，经由CAD（计算机辅助设计），转换成实际制作IC时，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，关系到光罩制作出后是和原设计者之要求符何，因此必须根据一定之规则，好比一场游戏一样，必须循一定之规则，才能顺利完成，而布局完成后之图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。
103 LOAD LOCK 传送室 用来隔绝反应室与外界大器直接接触，以确保反应室内之洁净，降低反应是受污染之程度。一般用于电浆蚀刻及金属溅度等具有真空反应室之设备。
104 LOT NUMBER 批号 批号乃是为线上所有材料之身份证，KEY IN批号如同申报流动户口，经由COMAX系统藉以管制追踪每批材料之所在站别，并得以查出每批材料之详细相关资料，固为生产过程中之重要步骤。批号为 7，其编排方法如下： X X X X X 年码 流水序号92 0000193 0000294 00003以下类推※批号之产生乃于最投片时由SMS系统自动产生。
105 LPCVD（LOW PRESSURE）低压化学气相沉积 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、复晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
106 LP SINTER 低压烧结 低压烧结（Low Pressure Sinter, LP Sinter），指在低于大气压力下（一般为50 Pa或更地），加热组件。目地在使金属膜内之原子，籍由热运动重新排列，以减少原有之晶格缺陷，形成较佳之金属结晶颗粒以增加膜之品质。由于在低压下热传导之途径主要为辐射（Radiation）而非对流（Convection）或传导（Conduction），因此控温之方式须选以加热线圈为监控温度（Spike Control）而非实际芯片或管内之温度（Profile Control），以避免过热（Over-Shooting）之现象。
107 LPY（LASER PROBE YIELD） 雷射修补前测试良率针测出能够被雷射修补后，产生出全功能的芯片，比便送入雷射修补机，完成雷射修补的动作。此测试时由全功能芯片一开始就是全功能芯片，须要经过雷射修补前测试，计算出缺陷多寡及位置，以便进行雷射修补，将缺陷较少的芯片修补成全功能芯片。（缺陷超过一定限度时无法修补成全功能芯片）
108 MASK 光罩 MASK原意为面具，而事实上光罩在整个IC制作流程上，所扮演之角色艺有几分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程，将我们所需要之图形一直复印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩所用只对准机台，也分为1X，5X，10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根据其制作之材质又可分为石英光罩（QUARTY），绿玻璃光罩等。
109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微，微米 1.定义：Micro为10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我们说1μ即为10-6 m又因为1?=10-8㎝=10-10m（原子大小）故1μ=10，000?约唯一万个原子堆积而成的厚度或长度。
110 MISALIGN 对准不良 1.定义：这层光阻图案和上层【即留在芯片上者】图案叠对不好，超出规格。可依照不同层次的规格决定要不要修改。原因：人为、机台、芯片弯曲、光罩
111 MOS 金氧半导体 1.定义：构成IC的晶体管结构可分为两型－双载子型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。双载子型 IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流，而MOS型是由电厂效应晶体管（FET）集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极（金属或复晶硅）加入电场来控制其动作，制程上比较简单，，。也较不耗电，最早成为实用化的是P-MOS，但其动作速度较慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域之后，NMOS的功率消耗还是太大了于是由P-MOS及 N_MOS组合而成速度更高，电力消耗更少的互补式金氧半导体（CMOS，Complementary MOS）遂成为主流。
112 MPY（MULTI PROBE YIELD） 多功能侦测良率 针测出符合电路特性要求的芯片，以便送刀封包工厂制成内存成品；此测试时得到的良品率称之。每片晶圆上并不是每一个芯片都能符合电路特性的要求，因此须要多功能针测以找出符合要求的芯片。
113 MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE） MTBF为设备可靠度的评估标准之一，其意指设备前后发生故障的平均时间。MTBF时间愈短表示设备的可靠度愈佳，另外MTTR为Mean Time to Repair为评估设备修复的能力。
114 N2,NITROGEN 氮气定义：空气中约4/5是氮气。氮气势一安定之惰性气体，由于取得不难且安定，故Fib内常用以当作Purge管路，除去脏污、保护气氛、传送气体（Carrier Gas）、及稀释（Dilute）用途。另外，氮气在零下196℃（77F）以下即以液态存在，故常被用作真空冷却源。现在Fab内Clean House用之氮气为厂务提供99.999﹪纯度者，生产线路所用之氮气为瓶装更高纯度者。因氮气之用量可局部反应生产成本，故应节约使用以降低成本。
115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半导体 1. 定义：一般金属由于阻值相当低（10-2Ω－㎝以下），因此称之为良导体，而氧化物阻值高至105Ω－㎝以上，称之非导体或绝缘体。若阻值在 10-2～105Ω－㎝之间，则名为半导体。IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si（硅）是四价键结（共价键）的结构，若参杂有如砷（As）磷（P）等五价元素，且占据硅原子的地位（Substitutional Sites），则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。若参杂硼（B）等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键结少了一个电子，因此其它键结电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称之为电洞传导，亦使硅之导电性增加，称之为P型半导体。因此N型半导体中，其主要带电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为带正电的电洞。在平衡状况下（室温）不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。
116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 无参入杂质硅酸盐玻璃 NSG为半导体集成电路中之绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式声称，具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。主要应用于闸极与金属或金属与金属间高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘，并且有助于后绩平坦化制程薄膜的生成。
117 NUMERICAL APERTURE（N.A.） 数值孔径 1. 定义：NA是投影式对准机，其光学系统之解析力（Resolution）好坏的一项指针。NA值越大，则其解析力也越佳。依照定义，数值孔径 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f换算成照相机光圈值f-number（f/#）可得f/#=f/d=1/2NA（D：镜面直径。f：镜头焦距。n：镜头折射率。f/#即我们在照相机镜头之光圈值上常见的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是）亦即，镜片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但镜片的制作也就越困难，因为易产生色差（Chromatic Aberration）及像畸变（Distorsion），以CANON Stepper为例，其NA=0.42，换算成照相机光圈,Stepper镜片之昂贵也就不足为奇了。
118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化层平坦化蚀刻 将Poly-1上之多余氧化层（Filling OX）除去，以达到平坦化之目的。
119 OHMIC CONTACT 欧姆接触 1. 定义：欧姆接触试纸金属与半导体之接触，而其接触面之电阻值远小于半导体本身之电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区（Active region）而不在接触面。欲形成好的欧姆接触，有两个先决条件：A.金属与半导体间有低的接口能障（Barrier Height）B.半导体有高浓度的杂质渗入（ND>=1018 ㎝-3）前者可使接口电流中热激发部分（Thermionic Emission）增加；后者则使接口空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透（Tunneling），而同时Rc阻值降低。若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙（Energy Gap）较大的半导体（如GaAs），则较难形成欧姆接触（无适当的金属可用），必须于半导体表面参杂高浓度杂质，形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等结构。
120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化层-氮化层-氧化层半导体组件，常以ONO三层结构做为介电质（类似电容器），以储存电荷，使得资料得以在此存取。在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构，其中氧化层与基晶的结合较氮化层好，而氮化层居中，则可阻挡缺陷（如pinhole）的延展，故此三层结构可互补所缺。
121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（寿命）任何对象从开始使用到失效所花时间为失败时间（Time of Failure: TF），对产品而言，针对其工作使用环境（Operation），所找出的TF，即为其使用期限（Operation Life Time）。其方法为：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
122 OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在－183℃液化成浅蓝色的液体，在218℃固化。在海平面上，空气中约占20﹪体积的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在电浆光阻去除中，氧气主要用来去除光阻用。在电浆干蚀刻中，氧混入CF4气体中，可增加CF4气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于电浆光阻去除；利用氧气在电浆中产生氧的自由基（RADICAL）与光阻中的有机物反应，产生二氧化碳和水气体蒸发，达到去除光阻的效果。
123 P31 磷 ·自然界元素之一。由15个质子及16个中子所组成。·离子植入的磷离子，是由气体PH3经灯丝加热分解得到的3 L P+离子，借着Extraction 抽出气源室经加速管加速后，布植在芯片上。·是一种N-type离子，用做磷植入，S/D植入等。
124 PARTICLE CONTAMINATION 尘粒污染尘粒污染：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为处理操作过程甚为繁杂，但因机器、人为均获多或少会产生一些尘粒，这些尘粒一但沾附到芯片上，集会造成污染影响，而伤害到产品品质与良率，此即『尘粒污染』，我们在操作过程中应时时防着各项尘粒污染来源。
125 PARTICLE COUNTER 尘粒计数器 1.定义：快捷方式市之等即是以每立方呎内之为例数为分类标准，而计算微粒数的仪器即称尘粒计数器。
126 PASSIVATION OXIDE（P/O） 护层 1. 定义：为IC最后的制程，用以隔绝Device和大气2. 目的：因与大气接触，故着重在Corrosion（铝腐蚀）、Crack（龟裂）、Pin Hole（针孔）之防治。除了防止组件为大气中污染之隔绝外，护层也可当作Metal层之保护，避免Metal被刮伤。3. 方法：护层可分两种材料： A.大部分产品以PSG当护层（P Content 2-4﹪）。 B.少部份以PECVD沉积之氮化硅为之。
127 P/D（PARTICLE DEFECT） 尘粒缺陷 Particle Defect颗粒缺陷为当今影响4M DRAM制程良率的最大主因，一般而言，particle size如大于design rule的二分之一，足以造成组件的损坏。故在clean room的洁净度要求，操作人员的洁净纪律、设备本身的结构以及制程的条件和设备维修的能力，无一不为了降低particle和提升良率而做最大的努力。
128 PECVD 电浆CVD 1.定义：CVD化学反应所须知能量可以是热能、光能或电浆。以电浆催化之CVD称作PECVD。PECVD的好处是反应速度快、较低的基版温度及 Step Coverage；缺点是产生较大的应力，现Fib内仅利用PECVD做氮化硅护层。PECVD英文全名为Plasma Enhancement CVD。
129 PELLICLE 光罩护膜一般在光罩过程中，易有微尘掉落光罩上，而使chip有重复性缺陷，故在光罩上下面包围一层膜，称之为Pellicle。好处如下：1. 微层仅只掉落在膜上，光绕射结果对于此微尘影响图按程度将降至最低。2. 无须经清洗过程而只须用空气枪吹去膜上异物即可将异物（微层）去除。
130 PELLICLE 光罩保护膜顾名思义，光罩保护膜之最大功能，即在保护光罩，使之不受外来赃污物之污染，而保持光罩之洁净；一般使用之材料为硝化织微素，而厚度较常用的有 0.28U，0.86U两种。一般而言，可将PELLICLE分为两部分：（I）FRAME：骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度称为STAND- OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高，但须配合机台之设计使用，（II）FILM：透明之薄膜，其厚度之均匀度，透光率是使用时重要之参数。PELLICLE之寿命，除了人为损伤外，一般均可曝光数十万次，透光率衰减后才停用并更换。光罩PELLICLE膜 PARTICLE LENS SYSTEMWAFERPELLICLE面之成像
131 PH3 氢化磷 1.定义：一种半导体工业之气体，经灯丝加热供给能量后，可分解成P4，PH4、PH2（及H4）。通常31P4最大。可由质谱谱场分析出来，做N-type离子布植用
132 PHOTORESIST 光阻光阻为有机材料，系利用光线照射始有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化，在使用溶剂使之显像。目前一般商用光阻主要含有二部分（1）高分子树酯（2）光活性物质，一工作原理不同可分为正，负两类：（1）正型：光活性物质为 DIAZOQUINOUE类，照光前难溶于碱液中，有抑制溶解树酯功能， 照光后产生羧酸，反有利于碱液 溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。（2）负型：光活性物质为DIAZIDE类，照后生成及不安定之双电子自由 基，能与高分子树酯键结，而增加 分子量，选择适当溶剂便可区分曝光区与非曝光区。目前SMIC使用之正、负光阻，皆为适用于G-LINE（436NM）制程之光阻。
133 PILOT WAFER 试作芯片 Pilot Wafer为试作芯片，并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前，为了确定机器是否正常所作的试片，或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出来的结果将决定该批的制程条件。故处理Pilot Wafer时，所抱持的态度必须和处理Prime Wafere一样慎重。
134 PINHOLE 针孔在光阻制程所谓的针孔，就是在光阻覆盖时，光阻薄膜无法完全盖住芯片表面，而刘有细小如针孔般的缺陷，再蚀刻制程时，很可能就被蚀刻制程穿透而致芯片的报废。在以往使用负光阻制程时，由于负光阻粘稠性较大，覆盖较薄，因此容易出现针孔，固有些层次（如CONTACT）必须覆盖两次，才能避免针孔的发生。目前制程大多使用正光阻，覆盖较厚，已无针孔的问题存在，QC亦不作针孔测试。
135 PIRANHA CLEAN 过氧硫酸清洗过氧硫酸（peroxymonosulfuric acid）又称为CARO’s acid，主要由硫酸加双氧水反应声称，反应式如下：H2SO4 + H2O2 ﹤＝﹥H2SO5 + H2OH2SO5为一强氧化剂，可将有机物氧化分解为CO2 + H2O，因此在IC制程中常用来去除残留之光阻，另外对金属污染及微尘污染也有相当好的清洗效果。Piranha原意为食人鱼，在这里则是用来形容过氧硫酸与光阻之间的剧烈反应。
136 PIX 聚醯胺膜 PIX作用为缓冲护层，可保护CELL于封装时缓冲封装所造成之应力，且可隔绝α – Particle，PIX本身为一负光阻。
137 PLASMA ETCHING 电将蚀刻 1.定义：在干蚀刻技术中，一班多采用电浆蚀刻与活性离子蚀刻，通常电浆蚀刻使用较高之压力（大于200mT）及较小之RF功率，当芯片浸在电浆之中，暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子（正、负电荷）、电子及中性基（Radical）等，在纯化学反应中，吾人取中性基为蚀刻因子，在R.I.E时，取活性离子作为中性因子。
138 PM（PREVENTIVE MAINTENANCE） 定期保养 设备正常运转期间停机，实施定期（每天、每周、每月或每季等）的设备保养。例如：检修，上油，润滑，更换消耗材等。有良好的PM才能发挥高的设备运转效率，发挥设备最高的使用率。
139 POCL3 三氯氧化磷 1.定义：一种用作N4扩散之化合物。通常以N2为“载气”（Carrier Gas），带着POCl3和O2（氧气）一起进入高温炉管，然后产生下列反应：4POCl3+3O2 2P2 O5+6Cl25 P2 O5+5Si 4P+5SiO2在反应过程中，磷沉淀于硅表面，同时硅表面亦行成一氧化层。
140 POLY SILICON 复晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。通常其结构都是单晶（单一方向的晶体）。而本名词也是SILICON，只是其结构是复晶结构。及其结晶的结构是多方向的，而非单一方向。POLY SILICON通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极极单元的接连。
141 POX 聚醯胺膜含光罩功能 POX为PIX / PO Reticle Combine之略写，即PIX除具缓冲护层之作用外，同时可做PO Pattern用之光阻。PIX本身为一负光阻。
142 PREHEAT 预热 1.定义：在3190作金属溅镀时，第一个Station适用来预热芯片。2.目的：2-1使芯片在大气中吸附的气体，藉加热加速其在真空中之排除，溅镀时可以有较干净之接口。2-2芯片温度高，溅镀之金属原子可以有较高之移动率，而使表面扩散较完全，有较好的表面覆盖性。※但预热的温度有其限制，高的建度温度使得金属与硅之接触电阻升高，也使得金属突起（Hillock）变的严重，而让表面反射率变差，在金属闸产品，也发现温度不同会造成其临界电压的改变。
143 PRESSURE 压力 1. .定义：气体分子撞击反应室之器璧所产生之力量。气体分子越少、压力越低。反之气体分子越多、压力越高。·如压力<大气压力时，表示真空，其压力单位即为真空度。1大气压=1atm=760mmHg水银柱压力1Torr（扥）=1/760atm=1mmHg·如压力>大气压力时，即用单位面积所受的重量表示，如㎏/㎝2 或psi（1b（磅）/in2（吋））。一般电浆蚀刻机之压力为50millitorr～0.5Torr。一般使用之气瓶之压力约为 500psi～2000PSI。
144 REACTIVE ION ETCHING（R.I.E.） 活性离子蚀刻 1. 定义：在电浆蚀刻时，电浆里包含了活性原子、活性离子（正离子）及电子，当压力较低（小于100mT）且气体两端所加之电压购高时，活性离子即被迅速加速冲向电极上之芯片，而撞击晶面上暴露在电浆中的表层，将表层之原子击出，再与活性原子反应因而造成蚀刻，此类之蚀刻即称之为活性离子蚀刻。目前我们已有的 R.I.E蚀刻机台为8110、8130、8330等。
145 RECIPE 程序 PECIPE在字典的解释是医生的处方、厨师的食谱。在IC制程中则意指制程的程序。IC制造中各个步骤都有不同的要求：如温度要多少？某气体流量多少？反应室的压力多少？等等甚多的参数都是PECIPE内容的一部份。
146 REFLOW 回流回流是IC制造中医种特殊技术。做法是将磷或硼或两者合一，参入二氧化硅中（常用CVD方式）。之后将芯片推入高温炉管一段时间，该二氧化硅层（PSG BPSG或BSG）即会『流动』，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层『重新流动』之意。
147 REGISTRATION ERROR 注记差 1. 定义：IC芯片的两个层次之间，必须要正确地叠在一起，此二层次图案完全正确对准之差距，即称为Registration Error。
148 RELIABILITY 可靠性可靠性实在有很多方法来描述，但我们指针对两个观点来讨论。一般来说，可靠性就是客户对我们SMIC的产品，再他们使用一段很长的时间之后，仍能符合他们的信赖与期待。更精确的描述就是我们SMIC的产品在我们所要求的特殊环境的测试，经过一段很长的时间之后，仍能确保IC功能、函数的正常操作及称为可靠性合格产品。测试的项目很多，半总离不开电压、温度、湿度、机械应力及压力等。
149 REPEAT DEFECT 重复性缺点 1. 定义：重复性缺点系指同一芯片内每一个曝光区的相同位置均出现相同之缺点。重复性缺点仅发生于Stepper曝光之产品。重复性缺点所产生的现象可分为两种：A.光罩图案缺失：造成芯片图案缺失。B.光罩表面或Pellicle表面污染：造成重复性显影不良。重复性缺点对产品良率有很大的杀伤力，例如一个曝光区内有八个晶方，若有一个晶方图案有缺失，就会造成产品良率1/8之损失。因此重复性缺点是VLSI的头号杀手
150 RESISTIVITY 阻值 1. 定义：物理学上定义阻值（Ω，即欧姆）为R=△V/I在物体两截面上通以定电流V，量得电压降△V，则 △V/I即为这物体的阻值。但在半导体工业上，这样地易阻值并无太大实用价值。我们只关心芯片表面薄薄一层“动作区”的阻值。于是另外定义一“薄层阻值 ”，以四点针测的方法量取△V及I。Rs=△V/I（Ω/□）定义为芯片的阻值。
151 RESOLUTION 解析力 1. 定义：解析力在IC制程的对准及印刷（Align & Print）过程中站着相当重要的地位，尤其演进到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是对光学系统（如对准机、显微镜、望远镜等）好坏的评估标准之一，现今多以法国人雷莱（Rayleigh）所制定的标准遵循之。物面上两光点经光学系统头于成像面上不会模糊到只被看成一点时，物面上两点间之最短距离。若此距离越小，则解析力越大。（通常镜面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳时，例如对准机对焦不清时，就会造成CD控制不良，Metal 桥接，Contact瞎窗或开窗过大等。
152 RETICLE 光罩 为使IC各个线路在芯片上成形（PATTERN），则必须有规范露光及遮光区域（规范曝光成形）的赵子，此称为光罩。
153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /报废/签过修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：将光阻去除，重新上新光阻，已定义新的或精确的图形。AEI修改：将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除，重新沉积或氧化。报废：芯片受污染或流程不合规范上之规定，造成芯片有无良率之可能，则停止流程不继续生产谓之。签过：当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内之规定，但其影响不致使芯片达报废之程度，可由工程师签署，继续流程。
154 RUN IN/OUT 挤进/挤出 1. 定义：对准不良的一种；挤进（Run in）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近对准良好，而两边图案向中央挤进。挤出（Run out）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近对准良好， 而两边图案向中央挤出。
155 SCRUBBER 刷洗机 1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面，此种P/D可刷洗去除，避免对良率的伤害。2. 依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5种不同刷洗方式：- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗
156 SAD（SOFTWARE DEFECT ANALYSIS） 缺陷分析软件将每片晶圆及芯片上的缺陷送入计算机中，利用缺陷分析软件，将缺陷分类，一便利统计及分析的工作。目前89%微缩型产品分类如下：SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL目前HYDRA产品分类如下：SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR（以上均为分类时使用之表示名称）
157 SEM（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE） 电子显微镜 EM最常用之运作方式为发射电子束方式（EMISSIVE MODE），电子油灯丝放出，而由5~30KV之电压加速，再经过电磁透镜使电子束聚集照射至试片表面。一般使通过扫描线圈之电流同时通过相对应之阴极射线管偏折电子束，而在萤光幕上产生相似而较大之扫描动作，达到放大之作用。扫描式电子显微镜的解像能介于光学显微镜与穿透式电子显微镜之间，可用于检验固体试片，由于视野纵深长，可显示清晰三度空间像。
158 SELECTIVITY 选择性 1. 定义：两种材料，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻，其两种蚀刻率之比值谓之。例如复晶电浆蚀刻：对复晶之蚀刻率为2000?/min对氧化层之蚀刻率为 200 ?/min则复晶对氧化层之选择性：SS=2000?/min/200 ?/min=10选择性越高表示蚀刻特性越好。一般干事实刻选择性较化学湿蚀刻为差，吾人取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层，而不会商道上层光阻或下层氧化层，以确保蚀刻之完整性。
159 SILICIDE 硅化物一般称为硅化物（Silicide），指耐火金属（Refratory Metal）之硅化物，如钛（Ti）、钨（W）、钼（Mo）等与元素硅（Si）结合而成之化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物应用在组件之目的，主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联之阻抗，以增加组件之性能。以钛之硅化物为例。
160 SILICIDE 金属硅化物 1. 定义：Silicide通常指金属硅化物，为金属与硅之化合物。2. 目的：在微电子工业硅晶集成电路中主要用为2-1导体接触（Ohmic Contact）2-2单向能阻接触（Schottky Barrier Contact）2-3低阻闸极（Gate Electrode）2-4组件间通路（Interconnect）在VLSI（超大规模集成电路）时代中，接面深度及接口接触面积分别降至次微米及 1～2平方毫米，以往广泛应用为金属接触的Al，由于严重的川入半导体问题，在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日亦受到重视。由于集成电路中之金属硅化物限于近贵重（Pt，Pd、Co、Ni、…）及高温金属（Ti、W、Mo、Ta）硅化物。
161 SILICON 硅硅－SI（全文SILICON）为自然界元素之一种，意即我们所使用的硅芯片组成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在（重复性单位细胞组成），每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成之四面体（称为钻石结构）如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近之原子其原型或其价件之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间（故称为半导体材料），人类可经由温度之变化、能量之激发及杂质参入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。
162 SILICON NITRIDE 氯化硅氮化硅是SixNY的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质较差，但因其沉积时温度甚低可以作IC完成主结构后的保护层。
163 SMS （SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS） 半导体制造系统 此SMS – 半导体制造系统为德州仪器公司（TI）为辅助半导体的生产制造而发展出的——计算机软件系统，其主要功能包含有：1） 制程变更控制2）制程数据搜集与统计图表3） 制程与操作规格制定4） 机台维护追踪5） 生产计划制定6） 线上统计报表7） 在制品操作与追踪8） 自动化系统接口
164 SOFT WARE, HARD WARE 软件 ,硬件 1. 定义：大略而言，所谓硬件可泛指像PC-BOARD，机台外壳等一些零组件；而软件一般指运用程序，指令一套完整之控制系统，可经由程序、指令之修改而修改，以人为例子，软件就好比脑中之记忆、思想，可控制整个身体各部分之动作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，可知道软件、硬件是相辅相成，缺一不可。近来尚有一种介于Software、Hardware之间，称为Firm-Ware，他的功用，，就相当于把软件写入硬件(比如 PROM)，以加快速度，因此软、硬件间的区分也变得较不明显了。
165 S.O.G.（SPIN ON GLASS） 旋制氧化硅旋制氧化硅（Spin on Glass）是利用旋制芯片，将含有硅化物之溶液均匀地平涂与芯片上，在利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化程稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如下：旋转平涂→加热烧烤→高温硬化（~450℃）旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间之平坦化（Planization）。以增加层与层之间的结合特性，避免空洞之形成及膜之剥裂。
166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE） 缩小型J形脚包装IC 因外脚弯成“J”字形，且外伸长度较一般I.C.为小儿得名。是记忆I.C.的普遍化包装形态，为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。
167 SOLVENT 溶剂 1. 两种物质相互溶解成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质被称为溶剂。例如：堂溶解于水中，变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，缓和的结果称为溶液。2. 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种： 2-1有机溶剂：分子内含有碳原子的称为有机溶剂，例如丙酮（CH3COCH3）、IPA（CH3CHOHCH3）。2-2无机溶剂：分子内不含有碳原子的称为无机溶剂，例如硫酸（H2SO4），氢氟酸（HF）3. 在FIB内所通称的溶剂，一般是只有机溶液而言。
168 SPECIFICATION（SPEC） 规范规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试…等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚并确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，已达自主管理及全员参与标准化之目的。
169 SPICE PARAMETER SPIC参数 1. 定义：SPICE是一个分析非线性DC、非线性瞬间AC和线性AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之，有DIODES、 BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等，利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称「SPICE参数」。目前由于公司使用之模式为HSPICE Level 2，故一般常说之SPICE参数，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的参数。
170 S.R.A（SPREADING RESISTENCE ANALYSIS） 展布电阻分析在下列一些情况，可利用S.R.A.方法来得到其Resisitivity：(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在测量Resistivity的方式有很多，但若要降低校正，则一定要使用到Point-Contact Probe的展布电阻。
171 SPUTTERING 溅镀溅镀乃是带能量的离子撞击物体，致使表面的原子飞散出来，附着于基板上形成薄膜之现象。当所加电流为直流时，称为直流溅镀（D.C SPUTTERING）：所加电流为射频时，称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING）。基于经济及效率观点，氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子，此时电子数目增加并且同时受电场再加速，以便再次进行游离反应，如此不去如同雪崩（AVALANCHE）一样产生辉光放电（GLOW DIS CHARGE），氩气离子受阴极（靶材）吸引，加速碰撞靶材，将表面原子打出而吸附在基本上。由于溅镀有薄膜厚度容易控制、组织均匀、表面相当平滑等优点，因此被电子工业广泛地使用。
172 SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST）系统暂时性失效比率测试 Soft Error为所有发挥性组件之共有特性。对DRAM而言，每记忆细胞（Memory Cell）所存电荷（charge-to-sense）存在一刻开关的接面（junction），以空乏（depleted）的状态存在。当该细胞有高能粒子源（e.g. α-particle From molding compound），使所存电荷消失或减少到无法侦测时，该细胞便暂时消失。
173 STEP COVERAGE 阶梯覆盖 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各层次间各项薄膜、沉积材料等，当覆盖、跨越过底下层次时，由于底下层次高低起伏不一及有线条粗细变化，会造成此薄膜、沉积材料在产品部分区域（如高低起伏交界处）覆盖度会变差，此变差的程度，即为『STEP COVERAGE』一般系以厚度变化比表示： STEP COVERAGE =厚度最薄处/厚度 最厚处此比例越接近1越佳，反之越差，正常言均应达50﹪以上。
174 STEPPER 步进式对准机 1. 定义：Stepper（步进式对准机）系Stepprojection aligner 之简称。Stepper与Project aligner原理类似，只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。Stepper使用自动对准，不但迅速、精确，且可使用计算机计算、补偿。对准方式可分为Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良（如Run in/Run out）。Stepper亦可按缩影比例，分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例，光罩上一条5u之直线，曝在芯片上，仅1μ而已。
175 SURFACE STATES 表面状态 1.定义：表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷，也叫做Interface States。形成表面状态的原因，是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时，有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素：氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在｛111｝表面，良好的氧化步骤下，其表面状态密度约为5×10 10 charges/㎝2（i.e.Qs s＝5×1010q）。而对于｛100｝的表面状态密度约为｛111｝表面的1/3。
176 SWR（SPECIAL WORK REQUEST） SWR为特殊工作要求单。生产线为了区划正常流程芯片和工程实验芯片，将工程师依规定申请实验的芯片批称为SWR Lot，通常SWR Lot是用来解决制程问题，或评估新机器、制程而试作的芯片。
177 TARGET 靶 一般用在金属溅镀（SPUTTERING）也就是以某种材料致造成各种形状，因此『靶』当作金属薄膜溅镀之来源。
178 TDDB（TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN） 介电质层崩贵的时间依存性利用介电质崩溃时间（Time to Breakdown）TBD与外加电场（电压）的线性模型，作加速测试（Accelerated Test），对产品（介电质）寿命（Life Time）作一估算。TBD α e – β Eox ……….(1)AF = e – β (Eext – Eop) ……(2)Life Time = T-50 * AF …(3)
179 TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE） 临时性制程变更通知 随时工程变更通知（ECN）为工程师为了广泛收集资料，或暂时解决制程问题，而做的制程变更，此一临时性的变更将注明有效期限，以利生产作业。
180 TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE） 四乙基氧化硅 1. 化学式：Si (OC2 H5)4，与常温下伟业体态。2. 用途：与经化学反应后，可生成一层二氧化硅，在IC里通常被当作绝缘层使用。3. 反应方式：- 高温低压分解反应- 高温加入触某媒分解反应- 电浆促进分解反应
181 THRESHOLD VILTAGE 临界电压定义：当我们在MOS晶体管之源极（Source）和汲极（Drain）加一个固定偏压后，再开始调整闸极（Gate）对基质（Substrate）的电压，当闸极电压超过某一个值之后，源极和汲极就会产生电流而导通，则我们就称此时的闸极电压称为临界电压（Threshold Voltage）。NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二：A闸极氧化层厚度：Gate Oxide越厚，则VT（绝对值）越高。B基质渗杂的浓度：VT值入Dose越高，则VT越高。
182 THROUGH PUT 产量 1. 定义：Through Put为单位工时之产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through Put为100片/每小时。如果每天运作21小时，则每天的Through Put为2100片/天。IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through Put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量：如流程安排、故障排除、…等，亦即必须“人机一体 ”才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力。
183 TMP（TI MEMORY PROTOTYPE，TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT） TI 记忆产品样品（原型），TI内存标准产品 在TI的产品出货控制（Productor Outgoing Control）中，以Qualification（资格审定）为期里程碑：(1) Qual以前：均为TMP产品。(2) Qual以后：分为TMS-A，TMS-B，TMS-C及Special，其可靠度保证。
184 TOX 氧化层厚度 TOX系THICKNESS OF OXIDE之缩写，即一般所谓氧化层厚度。通常于氮化硅蚀刻、复晶及接触窗蚀刻完，均需作TOX之测量。藉以确认该层次蚀刻完是否有过蚀刻或蚀刻不足之现象。
185 TROUBLE SHOOTING 故障排除 1. 定义：在生产过程，因为4M ，即设备、材料、人为、方法等，造成之一切问题而阻碍生产，例如：机器当机、制程异常…等。工程人员解决以上发生的问题，使这些“障碍”消弭于无形谓之 Trouble Shooting，故障排除。
186 UNDERCUT 底切度 1. 定义：所谓“底切度”（Undercut），乃是蚀刻时的专用术语，简单的说，Undercut便是原来所定义出来的图形间偏离度的大小。对于等向性蚀刻（Isotropic Etching）Undercut较大，而对于完全非等向性蚀刻（Full Anisotropic Etching），其Undercut等于零，亦即能忠实地将原图形复制出来。
187 UNIFORMITY 均匀度 1. 定义：均匀度Uniformity是一种测量值的平均分布。藉以表示芯片内各测量点的数值或是芯片与芯片间其测量值的变化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，线宽（C.D）在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下：如测量芯片内上中下左右与5点数据，5点平均值。Ｘ＝X1＋X2+X3+X4+X5/5均匀度Uniformity＝X m a x－X m 1m/2X×100﹪例如测量T0x厚度共五点分布如下：510、525、540、515、520?则均匀度＝540-510/2×522（平均值）×100﹪＝2.8﹪均匀度越小，表示各点变化越小。亦即表示芯片制程品质较佳，也是制程能力越好的表现
188 VACUUM 真空 1. 定义：真空系针对大气而言一特定空间内的部分气体被排出，其大气小于一大气压。表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为一大气压，也可表示为 760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中将真空一压力大小分为四个区域：A粗略真空（Rough Vacuum）B中度真空（Medium Vacuum）C高真空（High Vacuum）D超高真空（Ultra- High Vacuum）2. 方法：在不同真空，气体流动的形式与传导性等均有所差异，，简略而言：在粗略真空气体的流动称之为黏滞流（Viscous Flow）。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性；在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流（Molecular Flow），其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面：中度真空之压力范围其与压力成正比关系，粗略真空与高真空区域则无此关系。
189 VACUUM PUMP 真空帮浦凡能将特定空间内的气体去除以减低气体分子数目，造成某种程度只真空状态的机件，通称为真空帮浦。目前生产机台所使用的真空帮浦可分为抽吸式：旋片帮浦（ROTARY PUMP）、鲁是帮浦（ROOTS PUMP），活塞帮浦（PISTON PUMP）、扩散帮浦（DIFFUSION PUMP）。储气式：冷冻帮浦（CRYO PUMP）、离子帮浦（ION PUMP）。
190 VERNIER 游标尺 1. 定义：用来读取曝光制程中，本层次与前面层次之对准情形是否良好。目前公司所用之游标尺，在读取之分辨率上可分为每格0.2μ及每格0.1μ者。目前只用在步进式对准机中以得到更佳之分辨率。游标尺之设计因人而异，因此在读取时是否方便、容易，端赖设计上之是否周详。
191 VIA CONTACT 连接窗 『VIA CONTACT』连接窗，系指相同两层材质之间，如POLY（一）与POLY（二）之间，METAL（一）与METAL（二）之间欲直接相联系时，必须在制程上挖出下层（如POLY（一），METAL（一）），窗来，让上层（如POLY（二），METAL（二）能与下层相通）此窗即为连接窗，一般此做法系为节省晶方面积而设计，但因多了一层的关系，制程上会较复杂，我们DOUBLE METAL或DOUBLE POLY 制程即为一例。
192 VISCOSITY 黏度『粘度』一词专用于液体，意指当液体接受切应力时（指作用力方向与液体表面不垂直），液体就会产生变形，所以便定义『粘度』来表示液体产生变形程度的大小。粘度是可以调整的，因为液体受切应力而变形是巨观行为的表现，所以在液体完全兼容前提下，可以加入不同粘度的溶剂来调整粘度。
193 VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW） 垂直流层 在流体的流动状态中，可分为层流（Laminar Flow）及齐流（Turbulent Flow）两种。一名叫Osborne Reynold的人利用一简易的实验将其界定，而雷诺数即为层流及齐流的界定值。一般流体流速较快者其流线（streamiline）分子易受干扰，且雷诺数大易形成齐流 ，反之，则易形成层流。（雷诺数 = 惯性力 / 粘滞力）在无尘室芯片制造场所内，其气流为稳定之层流，如此可将人员、机台等所产生之微尘带离。若为齐流，则微尘将滞留不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以尽量不使空气流线产生齐流为原则。
194 WELL/TANK 井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET（即金氧半场效晶体管），常作两型（N及P）相接的方式，即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET，就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。
195 WLRC（WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL） 晶圆层次（厂内）可靠度控制 WLRC是取代“End-of-line-reliability”的一种全新的可靠度监控方式，主要分为物性（In-line Scrap），如厚度、材料、应力、接触窗覆盖率；另有电性（成品Scrap），如TDDB，CHC EM Stress等。兹比较如下： Charactoristic 1. 回馈（Feedback）时间2. 真正原因的回馈性3. Wafer Level Qual与Design-in-Reliability的应用4. 产品报废5. 加速系数及准确性WLRC1. 快，使产品损失减到最低2. 良好，能马上找出问题所在3. 卓越4. 较多5. 高，较差End-OF-Line-Reliability1. 慢，出问题时已大量产品被影响2. 困难，因包装后产品的Data Association（资料联结性）已破坏，不易找出真正原因。3. 困难4. 少5. 低，高
196 WLQC（WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ） 晶圆层次（厂内）品质控制先定义：客户眼中的品质：产品有问题，就是品质不良我们眼中的品质：出厂前看得到，量得到的问题，才是品质（Quality）我们眼中的可靠度：出厂前看不到，又不能直接量得到的问题，在客户手中欲发生问题，是可靠度（Reliability）所以，WLQC是针对一切厂内可直接测之（time-zero measurement），对品质有所影响的参数进行筛选及分类。对外，使出货品质分布集中、均匀（假设某可靠特性不变）。对内，回馈厂内，增进制造品质。
197 X-RAY LITHOGRAPHY X光微影技术 1. 定义：在次微米微影成像技术中，X-射线微影技术备受瞩目。由于X-射线之波长甚短（约4~10?），故可得甚佳之解析力，同时亦无干涉及绕射现象，因此可制作次微米线宽之IC图案。这种以X-射线为曝光光源之微影技术目前仍在开发中。由于X-射线穿透力甚强，，其光照图案不再是铬膜，而是一般大都为“金 ”。
198 YELLOW ROOM 黄光室 黄光室（Yellow Room）就是所有光源（照明用）均为黄色光波波长者之区域。由于IC晶方内之图案均有赖光阻剂（Photo resist）覆盖在芯片上，再经曝光，显影而定型；而此光阻剂遇光线照射，尤其是紫外线（UV）即有曝光之效果，因此在显影完毕以前之生产，均宜远离此类光源。黄光之光波较长，使光阻剂曝光之效果很低，因此乃作为显影前之照明光源。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。
8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。
10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如 SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。
14 AS75 砷 自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。
15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
16 ASSEMBLY 晶粒封装以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架，即Lead frame）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil～30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，软烤，预烤烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。
19 BF2 二氟化硼 ·一种供做离子植入用之离子。·BF2 ＋是由BF3 ＋气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。·是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。
20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat用在温度较高（大于300℃）的场合。而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。
22 BONDING PAD 焊垫焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding Diagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j 微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。
23 BORON 硼自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B 11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入。
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后，造成断线。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定义反向P＋ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压，在P＋ - N或 N＋-P之接回组件中崩溃电压，随着N（或者P）之浓度之增加而减小。
26 BURN IN 预烧试验 「预烧」（Burn in）为可靠性测试的一种，旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。预烧试验的作法，乃是将组件（产品）至于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际状况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，馾由于成本及交货其等因素，有些产品旧祇作抽样（部分）的预烧试验，通过后才出货。另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行，当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验。
27 CAD 计算机辅助设计 CAD：Computer Aided Design计算机辅助设计，此名词所包含的范围很广，可泛称一切计算机为工具，所进行之设计；因此不仅在IC设计上用得到，建筑上之设计，飞机、船体之设计，都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时，设计者必须以有限之记忆、经验来进行设计，可是有了所谓CAD后，我们把一些常用之规则、经验存入计算机后，后面的设计者，变可节省不少从头摸索的工作，如此不仅大幅地提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地。
28 CD MEASUREMENT 微距测试 CD: Critical Dimension之简称。通常于某一个层次中，为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于晶方之边缘。简言之，微距测量长当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。量测CD之层次通常是对线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前较常用于测量之图形有品字型，L-BAR等。
29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、无色液体、有刺激性气味、熔点16.63℃、沸点118℃。与水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上之纯化物，有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。
30 CHAMBER 真空室,反应室 专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等。针对此特殊空间之种种外在或内在环境：例如外在粒子数（particle）、湿度及内在温度、压力、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件。
31 CHANNEL 信道当在MOS晶体管的闸极上加上电压（PMOS为负，NMOS为正），则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下之区域形成一反转层（Inversion Layer），也就是其下之半导体P-type变成N-type Si，N-type变成P-type Si，而与源极和汲极，我们旧称此反转层为“信道”。信道的长度“Channel Length”对MOS组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLY CD的控制需要非常谨慎。
32 CHIP ,DIE 晶粒一片芯片（OR晶圆，即Wafer）上有许多相同的方形小单位，这些小单位及称为晶粒。同一芯片上每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的，从几百个到几千个不等。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往往就会波及成百成千个产品。
33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命周期 一、定义少数戴子再温度平均时电子被束缚在原子格内，当外加能量时，电子获得能量，脱离原子格束缚，形成自由状态而参与电流岛通的的工作，但能量消失后，这些电子/电洞将因在结合因素回复至平衡状态，因子当这些载子由被激发后回复平衡期间，称之为少数载子“LIFE TIME“二、应用范围1.评估卢管和清洗槽的干净度2.针对芯片之清洁度及损伤程度对CLT值有影响为A.芯片中离子污染浓度及污染之金属种类B.芯片中结晶缺陷浓度
34 CMOS 互补式金氧半导体 金属氧化膜半导体（MOS，METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅（或金属）作为闸极，利用家到闸极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）。按照导电载子的种类，MOS，又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由电洞导电）。而互补式金氧半导体（CMOSCOMPLEMENTARY MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电、抗噪声能力强、α-PARTICLE免疫力好等许多优点，是超大规模集成电路（VLSI）的主流。
35 COATING 光阻覆盖将光阻剂以浸泡、喷雾、刷怖、或滚压等方法加于芯片上，称为光阻覆盖。目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转的芯片支持器上，适量的光阻剂加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光阻剂向外流开，很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜，旋转速度必须适中稳定。而旋转速度和光阻剂黏滞性绝应所镀光阻剂的厚度。光阻剂加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光阻剂中过多的溶剂，进而使光阻膜较为坚硬，同时增加光阻膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光阻膜即软烤过程，也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。
36 CROSS SECTION 横截面 IC的制造基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的构造，以改善制程或解决制程问题，经常会利用破坏性切割方式以电子显微镜（SEM）来观察，而切割横截面、观察横截面的方式是其中较为普遍之一种。
37 C-V PLOT 电容,电压圆译意为电容、电压图：也就是说当组件在不同状况下，在闸极上施以某一电压时，会产生不同之电容值（此电压可为正或负），如此组件为理想的组件；也就是闸极和汲极间几乎没有杂质在里面（COMTAMINATION）。当外界环境改变时（温度或压力），并不太会影响它的电容值，利用此可MONITOR MOS 组件之好坏，一般△V＜0.2为正常。
38 CWQC 全公司品质管制以往有些经营者或老板，一直都认为品质管制是品管部门或品管主管的责任，遇到品质管制做不好时，即立即指责品质主管，这是不对的。品质管制不是品质部门或某一单位就可以做好的，而是全公司每一部门全体人员都参与才能做好。固品质管制为达到经营的目的，必须结合公司内所有部门全体人员协力合作，构成一个能共同认识，亦于实施的体系，并使工作标准化，且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理，这就是所谓的全公司品质管制（Company Wide Quality Control）。实施CWQC的目的最主要的就是要改善企业体质；即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质，以及全员有体系导向的体质。
39 CYCLE TIME 生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需之生产/制造时间。在TI-ACER，生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期时间”（WAFER-OUT CYCLE TIME ），一为“制程周期时间”（PROCESS CYCLE TIME）“芯片产出周期时间”乃指单一批号之芯片由投入到产出所需之生产/制造时间。“制程周期时间”则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间，而各工站（从头至尾）平均生产/制造之加总极为该制程之制程周期时间。目前TI-ACER LINE REPORT 之生产周期时间乃采用“制程周期时间”。一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）
40 CYCLE TIME 生产周期 IC制造流程复杂，且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成，谓之Cycle Time。由于IC生命周期很短，自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效，故Cycle Time越短，竞争能力就越高，能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润。由于Cycle Time 长，不容许生产中的芯片因故报废或重做，故各项操作过程都要依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利，早日出FIB上市销售。
41 DEFECT DENSITY 缺点密度〝缺点密度〞系指芯片单位面积上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少〝缺点数〞之意，此缺点数一般可分为两大类：A.可视性缺点B.不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来（如桥接、断线），由于芯片制造过程甚为复杂漫长，芯片上缺点数越少，产品量率品质必然越佳，故〝缺点密度〞常备用来当作一个工厂制造的产品品质好坏的指针。
42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光阻附着力。以免芯片表面曝光显影后光阻掀起。方法：在光阻覆盖之前，利用高温（120℃或150℃）加热方式为之。
43 DENSIFY 密化 CVD沉积后，由于所沈积之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高温步骤使薄膜中之分子重新结合，以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。
44 DESCUM 电浆预处理 1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的时间，较一般电浆光阻去除（Stripping）为短。其目的只是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑（Scum）加以去除，以使图形不失真，蚀刻出来之图案不会有残余。2. 有关电浆去除光阻之原理，请参阅「电浆光阻去除」（Ashing）。3. 通常作电浆预处理，均以较低之力，及小之功率为之，也就是使光阻之蚀刻率降低得很低，使得均匀度能提高，以保持完整的图形，达到电浆预处理的目的。
45 DESIGN RULE 设计规范由于半导体制程技术，系一们专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法（RECIPE）的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善，成功地制造出来时，需有一套规范来做有关技术上之规定，此即“DESIGN RULE”，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力、各项相关电性参数规格等之考虑，订正了如：1. 各制程层次、线路之间距离、线宽等之规格。2. 各制程层次厚度、深度等之规格。3. 各项电性参数等之规格。以供产品设计者及制程技术工程师等人之遵循、参考。
46 EDSIGN RULE 设计准则设计准则EDSIGN RULE：反应制程能力及制程组件参数，以供IC设计者设计IC时的参考准则。一份完整的Design Rule包括有下列各部分：A.制程参数：如氧化层厚度、复晶、金属层厚度等，其它如流程、ADI、AEI 参数。主要为扩散与黄光两方面的参数。B.电气参数：提供给设计者做仿真电路时之参考。C.布局参数：及一般所谓的3μm、2μm、1.5μm…等等之 Rules，提供布局原布局之依据。D.光罩制作资料：提供给光罩公司做光罩时之计算机资料，如CD BAR、测试键之摆放位置，各层次之相对位置之摆放等。
47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均对准 每个Field再曝光前均针对此单一Field对准之方法称之；也就是说每个Field均要对准。
48 DIFFUSION 扩散在一杯很纯的水上点一滴墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是越来越淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子布植的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年），故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
49 DI WATER 去离子水 IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片。这些步骤之后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大。然而IC。工业用水，并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离子级PARTICLE，经厂务的设备将之杀菌、过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞，专供IC制造之用。
50 DOPING 参入杂质 为使组件运作，芯片必须参以杂质，一般常用的有：1.预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸气，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱入扩散；或利用沉积时同时进行预置。2.离子植入：先使杂质游离，然后加速植入芯片。
51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM），在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失，故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个 Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类：A.需要六个Transistor（晶体管），B.四个Transistor（晶体管）加两个Load resistor（负载电阻）。由于上述之优缺点，DRAM一般皆用在PC（个人计算机）或其它不需高速且记忆容量大之记忆器，而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量。如监视器（Monitor）、打印机（Printer）等外围控制或工业控制上。
52 DRIVE IN 驱入 离子植入（ion implantation）虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深（um级）的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散道教深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称之驱入。在驱入时，常通入一些氧气，因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy），这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入世界原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方。
53 E-BEAM LITHOGRAPHY 电子束微影技术目前芯片制作中所使用之对准机，其曝光光源波长约为（365nm～436nm），其可制作线宽约1μ之IC图形。但当需制作更细之图形时，则目前之对准机，受曝光光源波长之限制，而无法达成，因此在次微米之微影技术中，及有用以电子数为曝光光源者，由于电子束波长甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更细之IC图型，此种技术即称之电子束微影技术。电子束微影技术，目前已应用于光罩制作上，至于应用于光芯片制作中，则仍在发展中。
54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 Early Failure Rate是产品可靠度指针，意谓IC到客户手中使用其可能发生故障的机率。当DRAM生产测试流程中经过BURN-IN高温高压测试后，体质不佳的产品便被淘汰。为了确定好的产品其考靠度达到要求，所以从母批中取样本做可靠度测试，试验中对产品加高压高温，催使不耐久的产品故障，因而得知产品的可靠度。故障机率与产品生命周期之关系类似浴缸，称为Bathtub Curve.
55 ELECTROMIGRATION 电子迁移所谓电子迁移，乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电之金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中之薄金属层时，某些地方之金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近之导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移之抗力，例如：与铜形成合金，沉积时加氧等方式。
56 ELECTRON/HOLE 电子/ 电洞电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周形成原子。垫洞是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子，无法维持电中性，可视为带有一单位的正电荷。
57 ELLIPSOMETER 椭圆测厚仪 将已知波长之射入光分成线性偏极或圆偏极，照射在待射芯片，利用所得之不同椭圆偏极光之强度讯号，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片模厚度
58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 电子迁移可靠度测试当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块边界（GRAIN Bounderies）扩散（Diffusion），使金属线产生空洞（Void），甚至断裂，形成失效。其对可靠度评估可用电流密度线性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n×exp【Ea/Kb （1/T（op）- 1/T（stress））】TF=AF×T（stress）
59 END POINT DETECTOR 终点侦测器在电浆蚀刻中，利用其反应特性，特别设计用以侦测反应何时完成的一种装置。一般终点侦测可分为下列三种：A.雷射终点侦测器（Laser Endpoint Detector）： 利用雷射光入射反应物（即芯片）表面，当时颗发生时，反应层之厚度会逐渐减少，因而反射光会有干扰讯号产生，当蚀刻完成时，所接收之讯号亦已停止变化，即可测得终点。B.激发光终点侦测器（Optical Emission End Point Detector）用一光谱接受器，接受蚀刻反应中某一反应副产物（Byproduct）所激发之光谱，当蚀刻反应逐渐完成，此副产物减少，光谱也渐渐变弱，即可侦测得其终点。C.时间侦测器：直接设定反应时间，当时间终了，即结束其反应。
60 ENERGY 能量 能量是物理学之专有名词。例如：B比A之电压正100伏，若在A板上有一电子受B版正电吸引而加速跑到B版，这时电子在B版就比在A版多了100电子伏特的能量。
61 EPI WAFER 磊晶芯片 磊晶系在晶体表面成长一层晶体。
62 EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 电子可程序只读存储器 MASK ROM内所存的资料，是在 FAB 内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变，就像任天堂游戏卡内的MASK ROM，存的是金牌玛丽就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一个特殊结构叫A FAMDS，它可使ROM内的资料保存，但当紫外光照到它时，它会使 ROM内的资料消失。每一个晶忆单位都归口。然后工程人员再依程序的规范，用30瓦左右的电压将0101….资料灌入每一个记忆单位。如此就可灌电压、紫外光重复使用，存入不同的资料。也就是说如果任天堂卡内使用的是EPROM，那么你打腻了金牌玛丽，然后灌双截龙的程序进去，卡匣就变成双截龙卡，不用去交换店交换了。
63 ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE 静电破坏静电放电 1自然界之物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成。在正常状态下，物质成中性，而在日常活动中，会使物质失去电子，或得到电子，此即产生一静电，得到电子之物质为带负静电，失去电子即带正静电。静电大小会随着日常的工作环境而有所不同。如下表所示。活动情形 静 电 强 度 （Volt）
10－20﹪相对湿度 65-95﹪相对湿度
走过地毯走过塑料地板在以子上工作拿起塑料活页夹，袋拿起塑料带工作椅垫摩擦 35,00012,0006,0007,00020,00018,000 1,5002501006001,00015,000
表1 日常工作所产生的静电强度表2.当物质产生静电后，随时会放电，弱放到子组件上，例如IC，则会将组件破坏而使不能正常工作，此即为静电破坏或静电放电。 3.防止静电破坏方法有二：A.在组件设计上加上静电保护电路。B.在工作环境上减少静电，例如工作桌之接地线，测试员之静电环。载运送上使用防静电胶套及海绵等等。
64 ETCH 蚀刻在集成电路的制程中，常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要之薄膜，在利用微影技术在这层薄膜上，以光阻定义出所欲制造之电路图案，再利用化学或物理方式将不需要之部分去除，此种去除步骤便称为蚀刻（ETCH）一般蚀刻可分为湿性蚀刻（WET ETCH）及干性蚀刻（DRY ETCH）两种。所谓干性蚀刻乃是利用化学品（通常是盐酸）与所欲蚀刻之薄膜起化学反应，产生气体或可溶性生成物，达到图案定义之目的。而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆，将所欲蚀刻之薄膜反映产生气体由PUMP抽走，达到图案定义之目的。
65 EXPOSURE 曝光其意义略同于照相机底片之感光在集成电路之制造过程中，定义出精细之光组图形为其中重要的步骤，以运用最广之5X STEPPER为例，其方式为以对紫外线敏感之光阻膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计之各种图形，以特殊波长之光线（G-LINE 436NM）照射光罩后，经过缩小镜片（REDUCTION LENS）光罩上之图形则成5倍缩小，精确地定义在底片上（芯片上之光阻膜）经过显影后，即可将照到光（正光阻）之光阻显掉，而得到我们想要之各种精细图形，以作为蚀刻或离子植入用。因光阻对于某特定波长之光线特别敏感，故在黄光室中早将一切照明用光元过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力之波长成分在，这一点各相关人员应特别注意，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细之光阻图。
66 FABRICATION（FAB）制造 Fabrication为“装配”或“制造”之意，与Manufacture意思一样，半导体制造程序，其步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到吴缺点的品质。FAB系Fabrication之缩写，指的是“工厂”之意。我们常称FIB为“晶圆区”，例如：进去“FAB”之前需穿上防尘衣。
67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能芯片由于产品上会有缺陷，所以有些芯片无法全功能工作。因此须要雷射修补前测试，以便找到缺陷位置及多寡，接着就能利用雷射修补，将有缺陷的芯片修补成全功能的芯片。《当缺陷超过一定限度时，无法修补成全功能芯片》
68 FIELD/MOAT 场区 FIELD直译的意思是〝场〞，足球场和武道场等的场都叫做FIELD。它的含意就是一个有专门用途的区域。在IC内部结构中，有一区域是隔离电场的地方，通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部分会长一层厚的氧化层。
69 FILTRATION 过滤用过滤器（FILTER，为一半透膜折叠而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为FILTRATION【过滤】因IC制造业对洁净式的要求是非常严格的，故各种使用的液体或气体，必须借着一个PUMP制造压差来完成，如何炫则一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。
70 FIT（FAILURE IN TIME） FIT适用以表示产品可靠度的单位FIT=1Eailure in 10 9 Device-Hours例如1000 Device 工作1000Hours后1 Device故障，则该产品的可靠度为：（1Failure）/（1000 Devices*1000 Hours）=1000 FITs
71 FOUNDRY 客户委托加工客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由SMIC来生产制造，在将成品出售给客户，指收取代工过程费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就是硅代工（Silicon Foundry）。
72 FOUR POINT PROBE 四点侦测 ·是量测芯片片阻值（Sheet Resistance）RS的仪器。·原理如下：有ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差（△V），则RS=K. △V/I K是常数比例和机台及针尖距离有关
73 F/S（FINESONIC CLEAN） 超音波清洗 超音波清洗的主要目的是用来去除附着在芯片表面的灰尘，其反应机构有二：1. 化学作用：利用SC-1中的NH4OH，H2O2与Silicon表面反应，将灰尘剥除。2. 2.物理作用：利用频率800KHz，功率450W×2的超音波震荡去除灰尘。
74 FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪 FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。目的：·已发展成熟，可Routine应用者，计 有： A.BPSG/PSG之含磷、含硼量预测。 B.芯片之含氧、含碳量预测。 C.磊晶之厚度量测。·发展中需进一步Setup者有： A.氮化硅中氢含量预测。 B.复晶硅中含氧量预测。 C.光阻特性分析。FTIR为一极便利之分析仪器，STD的建立为整个量测之重点，由于其中多利用光学原理、芯片状况（i.e.晶背处理状况）对量测结果影响至钜。
75 FTY（FINAL TEST YIELD） 在晶圆出厂后，必须经过包装及T1（断/短路测试），Burn -in（烧结），T3（高温功能测试），T4（低温功能测试），QA测试，方能销售、出货至客户手中。在这段漫长而繁杂的测试过程中，吾人定义Final Test Yield 为：T1 Yield* Burn –in Yield*T3 Yield*T4 Yield
76 FUKE DEFECT 成因为硅化物之氧化，尤其是以水蒸气去致密化PBSG时会发生，造成闸极（Poly Gate）与金属间的短路。硅化物之氧化可分为二类型：（以TiSi2）1. 热力学观点SiO2是最稳定，故Si 扩散至TiSi2之表面时会与水反应成SiO2而非TiO2。2. 动力学观点而言，当Si不足时则会形成TiO2而将TiSi2分解。
77 GATE OXIDE 闸极氧化层 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半场效晶体管）中相当重要的闸极之下的氧化层。此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格。
78 GATE VALVE 闸阀 用来控制气体压力之控制装置。通常闸阀开启越大，气体于反应室内呈现之压力较低；反之，开启越小，压力较高。
79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP） 优良电器特性芯片 能够合于规格书（Data Book）上所定义电器特性的芯片。这些芯片才能被送往芯片包装工厂制成成品销售给客户。
80 GETTERING 吸附 “Gettering”系于半导体制程中，由于可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金属类杂质污染等之影响，造成组件接口之间可能有漏电流（Junction Leakage）存在，而影响组件特性；如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上作法，就叫做 ”Gettering”吸附。吸附一般又可分 “内部的吸附”---Intrinsic Gettering 及 “外部的吸附”---Extrinsic Gettering。前者系在下线制造之前先利用特殊高温步骤让晶圆表面的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低。后者系利用外在方法如：晶背伤言、磷化物（POCl3）预置ETC将晶圆表面的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆背面。两者均可有效改善上述问题。
81 G-LINE G-光线 G-line系指一种光波的波长，多系水银灯所发出之光波波长之一，其波长为436nm。G-line之光源，最常作为Stepper所用之水银灯，本来系由许多不同之波长的光组成，利用一些Mirror和Filter反射、过滤的结果，会将其它波长之光过滤掉，仅余G-line作为曝光用。使用单一波长作为曝光光源可以得到较佳的能量控制和解吸力，但由于其为单色波故产生之驻波效应（Standing Wave）对光阻图案产生很大的影响。在选择最佳光阻厚度，以府合驻波效应，成为G-line Standing最要的工作之一。
82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性对准与计算 Global Alignment系指整片芯片在曝光前，先作整片性之对准与计算，然后接着可做整片芯片之曝光。·GLOBAL ALIGNMENT分为两种：1普通的Global Alignment：每片芯片共对准左右两点。2 Advance Global Alignment：每片芯片对准预先设定好之指定数个Field的对准键，连续对准完毕并晶计算机计算后，才整片曝光。
83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY） 闸极氧化层完整性半导体组件中，闸极氧化层的完整与否关系着电容上电荷的存放能力，故需设计一适当流程，其主要目的在侧闸极氧化层之崩溃电压（breakdown voltage）、有效氧化层厚度等，以仿真闸极氧化层的品质及可信赖度，通常即以此崩溃电压值表示GOI的优劣程度。
84 GRAIN SIZE 颗粒大小 一种晶体材料形成后，从微观的角度来看，材料都是一大堆颗粒垒叠在一起而成。这些颗粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化，故常要注意其大小变化。
85 GRR STUDY（GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY） 测量仪器重复性与再现性之研究将良策仪器的重复性—一其本身的变异，再现性—操作人本身的变异，用统计的方法算出，以判断量测仪器是否符合制程参数控制之需要。
86 H2SO4 硫酸 Suifuric Acid硫酸，为目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性、浓稠、油状液体，依纯度不同，由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶，甚具活性。溶解大部分的金属。浓硫酸具氧化、脱水、磺化大部分的有机化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸点315℃。与水混合时需格外小心，由于放热引起爆炸性的溅泼，永远是将酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前在线上，主要用于SO清洗及光阻去除。
87 H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸无色无谓起泡液体或透明晶形固体。依温度、浓度而定。在20℃50﹪及75﹪强度为易流动液体，85﹪为似糖浆，100﹪酸为晶体。比重1.834，熔点42.35℃。在213℃失去Y2 H2O，形成焦磷酸。溶于水、乙醚，能腐蚀铁及合金。对皮肤、眼睛有刺激性，不小心溅到，可用水冲洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，浓度是85﹪，沸点 156℃，SI3N4与SIO2的蚀刻比约为30：1。
88 HCL 氯化氢（盐酸） Hydrochloric Acid盐酸，为无色或淡黄色，发烟，刺激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。市面出售之”浓”或发烟酸含有氯化氢38%，比重 1.19。氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水、酒精、苯、不可燃。用途广泛。可用于食品加工、金属之酸洗与清洁、工业酸化、一般之清洗、实验试药。不小心被溅到，用大量水冲洗。目前线上，主要用于RCA清洗。
89 HEPA 高效率过滤器 HEPA（High Efficiency Particulate Air Filter）为洁净室内用以滤去微粒之装置，一般以玻璃纤维制成，可将0.1μm 或0.3μm以上之微粒滤去99.97﹪，压力损失约12.5㎜H2O。层流台能保持Class100以下之洁净度，即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外，其它如烤箱、旋转机，为了达到控制Particle的效果，也都装有HEPA之设计。
90 HILLOCK 凸起物金属溅镀后为使金属与硅基（Si-Substrate）有良好的欧姆式接触需先经融合过程，在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同（铝将会膨胀较快），而造成部分的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的 ”凸起物”--Hillock。
91 HMDS HMDS蒸镀 HMD原为化学药品HexaMethylDiSilazane的缩写，在此则是指芯片在上光阻前的一个预先处理步骤。HMDS蒸镀就是利用惰性气体（例如氮气）带着HMDS的蒸汽通过芯片表面，而在芯片表面形成一层薄膜。其目的在于：A.消除芯片表面的微量水分。B.防止空气中的水汽再次吸附于晶面C.增加光阻剂（尤其是正光阻）对于晶 面的附着能力，进而减少在尔后之显 影过程中产生掀起，或是在蚀刻时产生了”Undercutting”的现象。目前在规范中规定于HMDS蒸镀完4小时内需上光阻以确保其功能。
92 HNO3 硝酸 NITRIC ACID硝酸透明、无色或微黄色、发烟、易吸湿之腐蚀性液体，能腐蚀大部分金属。歧黄色是由于曝光所产生之二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点 78℃，比重1.504。IC产业中硝酸用于清洗炉管，但对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。清洗炉管用。
93 HOT ELECTRON EFFECT 热电子效应 在VLST的时代，Short Channel Devices势在必行，而目前一般Circuit 应用上又未打算更改Supply Voltage；如此一来，VG=VD S=5V情况下，将造成Impact Ionization（撞击游离化）现象发生于Drain邻近区域。伴随而生之Electron-Hole pairs（电子电洞对），绝大部分经由Drain（Electrons）or Sub.（Holes）导流掉。但基于统计观点，总会有少部分Electrons（i.e. Hot-Electrons）所具Energy，足以克服Si-SiO2之Barrier Height（能障），而射入SiO2且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结，而形成 Interface Trap 于Si-SiO2接口。不论遵循上述二者之任一，均将导致NMOS Performance的退化（Degradation）现象。
94 I-LINE STEPPER I-LINE步进对准曝光机 当光罩与芯片对准后，利用365nm之波长为光源，将预坐在光罩上图形以M：1之比例，一步一步的重复曝光至芯片上之机器。
95 IMPURITY 杂质 纯粹的硅市金刚石结构，在室温下不易导电。这时如加一些B11或As 7 5取代硅的位置，就会产生“电洞”或“载子”，加以偏压后就可轻易导电。加入的东西即称为杂质。
96 INTEGRATED CIRCUIT（IC） 集成电路集成电路是一九五八年由美国德州仪器公司所发明的。他是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上，然后再以金属联机与外在引线相接，外加陶瓷或塑料包装的装置，由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小，因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性：体积小、廉价、可靠。依照其集积化的程度可区分为小型（SSI）、中型（MSI）、大型（LSI）、超大型（VLSI）集成电路。
97 ION IMPLANTER 离子植入机在IC制程中有时需要精确地控制杂质的浓度及深度，此时即不宜由扩散之方式为之，故以”离子植入机”解离特定气体后调整离子束电流（Beam Current），计算电流X时间得到所植入杂质的浓度并利用加速电压控制植入的深度。
98 ION IMPLANTATION 离子植入 1. 由于加速器集真空技术的发展，离子布植机成为本世纪高科技产品之一，取代了早先的预置制程。2. 其好处有：2-1可精确控制剂量。2-2在真空下操作，可免除杂质污染。2-3可精确控制植入的深度。2-4是一种低温的制程。2-5 只要能游离，任何离子皆可植入
99 ISOTROPIC ETCHING 等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外，横向反应亦同时发生，此总蚀刻即称之为等向性蚀刻。一般化学湿蚀刻多发生此种现象。干式蚀刻，其实刻后的横截面具有异向性蚀刻特性（Anisotropic），即可得到较陡的图形。
100 ITY（INTEGRATED TEST YIELD）为界定产品从wafer fab至组装、测试所有流程的良率，其定义为：INTEGRATED TEST YIELD=Wafer Yield*MPY*ATYNote：MPY:Multi-Probe Yield ATY:Assembly Test Yield
101 LATCH UP 栓锁效应 当VLSI线路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中将愈来愈严重，且仅发生于 CMOS电路，所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径，有如一个垂直的P+-N-P与一个水平 N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器，如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时，将造成两个晶体管互相导过而短路，严重的话将使IC烧毁，故设计CMOS路防止LATCH-UP的发生是当前IC界最重要的课题。
102 LAYOUT 布局此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计之线路，经由CAD（计算机辅助设计），转换成实际制作IC时，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，关系到光罩制作出后是和原设计者之要求符何，因此必须根据一定之规则，好比一场游戏一样，必须循一定之规则，才能顺利完成，而布局完成后之图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。
103 LOAD LOCK 传送室 用来隔绝反应室与外界大器直接接触，以确保反应室内之洁净，降低反应是受污染之程度。一般用于电浆蚀刻及金属溅度等具有真空反应室之设备。
104 LOT NUMBER 批号 批号乃是为线上所有材料之身份证，KEY IN批号如同申报流动户口，经由COMAX系统藉以管制追踪每批材料之所在站别，并得以查出每批材料之详细相关资料，固为生产过程中之重要步骤。批号为 7，其编排方法如下： X X X X X 年码 流水序号92 0000193 0000294 00003以下类推※批号之产生乃于最投片时由SMS系统自动产生。
105 LPCVD（LOW PRESSURE）低压化学气相沉积 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、复晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
106 LP SINTER 低压烧结 低压烧结（Low Pressure Sinter, LP Sinter），指在低于大气压力下（一般为50 Pa或更地），加热组件。目地在使金属膜内之原子，籍由热运动重新排列，以减少原有之晶格缺陷，形成较佳之金属结晶颗粒以增加膜之品质。由于在低压下热传导之途径主要为辐射（Radiation）而非对流（Convection）或传导（Conduction），因此控温之方式须选以加热线圈为监控温度（Spike Control）而非实际芯片或管内之温度（Profile Control），以避免过热（Over-Shooting）之现象。
107 LPY（LASER PROBE YIELD） 雷射修补前测试良率针测出能够被雷射修补后，产生出全功能的芯片，比便送入雷射修补机，完成雷射修补的动作。此测试时由全功能芯片一开始就是全功能芯片，须要经过雷射修补前测试，计算出缺陷多寡及位置，以便进行雷射修补，将缺陷较少的芯片修补成全功能芯片。（缺陷超过一定限度时无法修补成全功能芯片）
108 MASK 光罩 MASK原意为面具，而事实上光罩在整个IC制作流程上，所扮演之角色艺有几分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程，将我们所需要之图形一直复印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩所用只对准机台，也分为1X，5X，10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根据其制作之材质又可分为石英光罩（QUARTY），绿玻璃光罩等。
109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微，微米 1.定义：Micro为10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我们说1μ即为10-6 m又因为1?=10-8㎝=10-10m（原子大小）故1μ=10，000?约唯一万个原子堆积而成的厚度或长度。
110 MISALIGN 对准不良 1.定义：这层光阻图案和上层【即留在芯片上者】图案叠对不好，超出规格。可依照不同层次的规格决定要不要修改。原因：人为、机台、芯片弯曲、光罩
111 MOS 金氧半导体 1.定义：构成IC的晶体管结构可分为两型－双载子型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。双载子型 IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流，而MOS型是由电厂效应晶体管（FET）集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极（金属或复晶硅）加入电场来控制其动作，制程上比较简单，，。也较不耗电，最早成为实用化的是P-MOS，但其动作速度较慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域之后，NMOS的功率消耗还是太大了于是由P-MOS及 N_MOS组合而成速度更高，电力消耗更少的互补式金氧半导体（CMOS，Complementary MOS）遂成为主流。
112 MPY（MULTI PROBE YIELD） 多功能侦测良率 针测出符合电路特性要求的芯片，以便送刀封包工厂制成内存成品；此测试时得到的良品率称之。每片晶圆上并不是每一个芯片都能符合电路特性的要求，因此须要多功能针测以找出符合要求的芯片。
113 MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE） MTBF为设备可靠度的评估标准之一，其意指设备前后发生故障的平均时间。MTBF时间愈短表示设备的可靠度愈佳，另外MTTR为Mean Time to Repair为评估设备修复的能力。
114 N2,NITROGEN 氮气定义：空气中约4/5是氮气。氮气势一安定之惰性气体，由于取得不难且安定，故Fib内常用以当作Purge管路，除去脏污、保护气氛、传送气体（Carrier Gas）、及稀释（Dilute）用途。另外，氮气在零下196℃（77F）以下即以液态存在，故常被用作真空冷却源。现在Fab内Clean House用之氮气为厂务提供99.999﹪纯度者，生产线路所用之氮气为瓶装更高纯度者。因氮气之用量可局部反应生产成本，故应节约使用以降低成本。
115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半导体 1. 定义：一般金属由于阻值相当低（10-2Ω－㎝以下），因此称之为良导体，而氧化物阻值高至105Ω－㎝以上，称之非导体或绝缘体。若阻值在 10-2～105Ω－㎝之间，则名为半导体。IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si（硅）是四价键结（共价键）的结构，若参杂有如砷（As）磷（P）等五价元素，且占据硅原子的地位（Substitutional Sites），则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。若参杂硼（B）等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键结少了一个电子，因此其它键结电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称之为电洞传导，亦使硅之导电性增加，称之为P型半导体。因此N型半导体中，其主要带电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为带正电的电洞。在平衡状况下（室温）不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。
116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 无参入杂质硅酸盐玻璃 NSG为半导体集成电路中之绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式声称，具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。主要应用于闸极与金属或金属与金属间高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘，并且有助于后绩平坦化制程薄膜的生成。
117 NUMERICAL APERTURE（N.A.） 数值孔径 1. 定义：NA是投影式对准机，其光学系统之解析力（Resolution）好坏的一项指针。NA值越大，则其解析力也越佳。依照定义，数值孔径 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f换算成照相机光圈值f-number（f/#）可得f/#=f/d=1/2NA（D：镜面直径。f：镜头焦距。n：镜头折射率。f/#即我们在照相机镜头之光圈值上常见的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是）亦即，镜片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但镜片的制作也就越困难，因为易产生色差（Chromatic Aberration）及像畸变（Distorsion），以CANON Stepper为例，其NA=0.42，换算成照相机光圈,Stepper镜片之昂贵也就不足为奇了。
118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化层平坦化蚀刻 将Poly-1上之多余氧化层（Filling OX）除去，以达到平坦化之目的。
119 OHMIC CONTACT 欧姆接触 1. 定义：欧姆接触试纸金属与半导体之接触，而其接触面之电阻值远小于半导体本身之电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区（Active region）而不在接触面。欲形成好的欧姆接触，有两个先决条件：A.金属与半导体间有低的接口能障（Barrier Height）B.半导体有高浓度的杂质渗入（ND>=1018 ㎝-3）前者可使接口电流中热激发部分（Thermionic Emission）增加；后者则使接口空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透（Tunneling），而同时Rc阻值降低。若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙（Energy Gap）较大的半导体（如GaAs），则较难形成欧姆接触（无适当的金属可用），必须于半导体表面参杂高浓度杂质，形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等结构。
120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化层-氮化层-氧化层半导体组件，常以ONO三层结构做为介电质（类似电容器），以储存电荷，使得资料得以在此存取。在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构，其中氧化层与基晶的结合较氮化层好，而氮化层居中，则可阻挡缺陷（如pinhole）的延展，故此三层结构可互补所缺。
121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（寿命）任何对象从开始使用到失效所花时间为失败时间（Time of Failure: TF），对产品而言，针对其工作使用环境（Operation），所找出的TF，即为其使用期限（Operation Life Time）。其方法为：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
122 OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在－183℃液化成浅蓝色的液体，在218℃固化。在海平面上，空气中约占20﹪体积的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在电浆光阻去除中，氧气主要用来去除光阻用。在电浆干蚀刻中，氧混入CF4气体中，可增加CF4气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于电浆光阻去除；利用氧气在电浆中产生氧的自由基（RADICAL）与光阻中的有机物反应，产生二氧化碳和水气体蒸发，达到去除光阻的效果。
123 P31 磷 ·自然界元素之一。由15个质子及16个中子所组成。·离子植入的磷离子，是由气体PH3经灯丝加热分解得到的3 L P+离子，借着Extraction 抽出气源室经加速管加速后，布植在芯片上。·是一种N-type离子，用做磷植入，S/D植入等。
124 PARTICLE CONTAMINATION 尘粒污染尘粒污染：由于芯片制造过程甚为漫长，经过的机器、人为处理操作过程甚为繁杂，但因机器、人为均获多或少会产生一些尘粒，这些尘粒一但沾附到芯片上，集会造成污染影响，而伤害到产品品质与良率，此即『尘粒污染』，我们在操作过程中应时时防着各项尘粒污染来源。
125 PARTICLE COUNTER 尘粒计数器 1.定义：快捷方式市之等即是以每立方呎内之为例数为分类标准，而计算微粒数的仪器即称尘粒计数器。
126 PASSIVATION OXIDE（P/O） 护层 1. 定义：为IC最后的制程，用以隔绝Device和大气2. 目的：因与大气接触，故着重在Corrosion（铝腐蚀）、Crack（龟裂）、Pin Hole（针孔）之防治。除了防止组件为大气中污染之隔绝外，护层也可当作Metal层之保护，避免Metal被刮伤。3. 方法：护层可分两种材料： A.大部分产品以PSG当护层（P Content 2-4﹪）。 B.少部份以PECVD沉积之氮化硅为之。
127 P/D（PARTICLE DEFECT） 尘粒缺陷 Particle Defect颗粒缺陷为当今影响4M DRAM制程良率的最大主因，一般而言，particle size如大于design rule的二分之一，足以造成组件的损坏。故在clean room的洁净度要求，操作人员的洁净纪律、设备本身的结构以及制程的条件和设备维修的能力，无一不为了降低particle和提升良率而做最大的努力。
128 PECVD 电浆CVD 1.定义：CVD化学反应所须知能量可以是热能、光能或电浆。以电浆催化之CVD称作PECVD。PECVD的好处是反应速度快、较低的基版温度及 Step Coverage；缺点是产生较大的应力，现Fib内仅利用PECVD做氮化硅护层。PECVD英文全名为Plasma Enhancement CVD。
129 PELLICLE 光罩护膜一般在光罩过程中，易有微尘掉落光罩上，而使chip有重复性缺陷，故在光罩上下面包围一层膜，称之为Pellicle。好处如下：1. 微层仅只掉落在膜上，光绕射结果对于此微尘影响图按程度将降至最低。2. 无须经清洗过程而只须用空气枪吹去膜上异物即可将异物（微层）去除。
130 PELLICLE 光罩保护膜顾名思义，光罩保护膜之最大功能，即在保护光罩，使之不受外来赃污物之污染，而保持光罩之洁净；一般使用之材料为硝化织微素，而厚度较常用的有 0.28U，0.86U两种。一般而言，可将PELLICLE分为两部分：（I）FRAME：骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度称为STAND- OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高，但须配合机台之设计使用，（II）FILM：透明之薄膜，其厚度之均匀度，透光率是使用时重要之参数。PELLICLE之寿命，除了人为损伤外，一般均可曝光数十万次，透光率衰减后才停用并更换。光罩PELLICLE膜 PARTICLE LENS SYSTEMWAFERPELLICLE面之成像
131 PH3 氢化磷 1.定义：一种半导体工业之气体，经灯丝加热供给能量后，可分解成P4，PH4、PH2（及H4）。通常31P4最大。可由质谱谱场分析出来，做N-type离子布植用
132 PHOTORESIST 光阻光阻为有机材料，系利用光线照射始有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化，在使用溶剂使之显像。目前一般商用光阻主要含有二部分（1）高分子树酯（2）光活性物质，一工作原理不同可分为正，负两类：（1）正型：光活性物质为 DIAZOQUINOUE类，照光前难溶于碱液中，有抑制溶解树酯功能， 照光后产生羧酸，反有利于碱液 溶解，因此可区分曝光区与非曝光区。（2）负型：光活性物质为DIAZIDE类，照后生成及不安定之双电子自由 基，能与高分子树酯键结，而增加 分子量，选择适当溶剂便可区分曝光区与非曝光区。目前SMIC使用之正、负光阻，皆为适用于G-LINE（436NM）制程之光阻。
133 PILOT WAFER 试作芯片 Pilot Wafer为试作芯片，并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前，为了确定机器是否正常所作的试片，或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出来的结果将决定该批的制程条件。故处理Pilot Wafer时，所抱持的态度必须和处理Prime Wafere一样慎重。
134 PINHOLE 针孔在光阻制程所谓的针孔，就是在光阻覆盖时，光阻薄膜无法完全盖住芯片表面，而刘有细小如针孔般的缺陷，再蚀刻制程时，很可能就被蚀刻制程穿透而致芯片的报废。在以往使用负光阻制程时，由于负光阻粘稠性较大，覆盖较薄，因此容易出现针孔，固有些层次（如CONTACT）必须覆盖两次，才能避免针孔的发生。目前制程大多使用正光阻，覆盖较厚，已无针孔的问题存在，QC亦不作针孔测试。
135 PIRANHA CLEAN 过氧硫酸清洗过氧硫酸（peroxymonosulfuric acid）又称为CARO’s acid，主要由硫酸加双氧水反应声称，反应式如下：H2SO4 + H2O2 ﹤＝﹥H2SO5 + H2OH2SO5为一强氧化剂，可将有机物氧化分解为CO2 + H2O，因此在IC制程中常用来去除残留之光阻，另外对金属污染及微尘污染也有相当好的清洗效果。Piranha原意为食人鱼，在这里则是用来形容过氧硫酸与光阻之间的剧烈反应。
136 PIX 聚醯胺膜 PIX作用为缓冲护层，可保护CELL于封装时缓冲封装所造成之应力，且可隔绝α – Particle，PIX本身为一负光阻。
137 PLASMA ETCHING 电将蚀刻 1.定义：在干蚀刻技术中，一班多采用电浆蚀刻与活性离子蚀刻，通常电浆蚀刻使用较高之压力（大于200mT）及较小之RF功率，当芯片浸在电浆之中，暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子（正、负电荷）、电子及中性基（Radical）等，在纯化学反应中，吾人取中性基为蚀刻因子，在R.I.E时，取活性离子作为中性因子。
138 PM（PREVENTIVE MAINTENANCE） 定期保养 设备正常运转期间停机，实施定期（每天、每周、每月或每季等）的设备保养。例如：检修，上油，润滑，更换消耗材等。有良好的PM才能发挥高的设备运转效率，发挥设备最高的使用率。
139 POCL3 三氯氧化磷 1.定义：一种用作N4扩散之化合物。通常以N2为“载气”（Carrier Gas），带着POCl3和O2（氧气）一起进入高温炉管，然后产生下列反应：4POCl3+3O2 2P2 O5+6Cl25 P2 O5+5Si 4P+5SiO2在反应过程中，磷沉淀于硅表面，同时硅表面亦行成一氧化层。
140 POLY SILICON 复晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。通常其结构都是单晶（单一方向的晶体）。而本名词也是SILICON，只是其结构是复晶结构。及其结晶的结构是多方向的，而非单一方向。POLY SILICON通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极极单元的接连。
141 POX 聚醯胺膜含光罩功能 POX为PIX / PO Reticle Combine之略写，即PIX除具缓冲护层之作用外，同时可做PO Pattern用之光阻。PIX本身为一负光阻。
142 PREHEAT 预热 1.定义：在3190作金属溅镀时，第一个Station适用来预热芯片。2.目的：2-1使芯片在大气中吸附的气体，藉加热加速其在真空中之排除，溅镀时可以有较干净之接口。2-2芯片温度高，溅镀之金属原子可以有较高之移动率，而使表面扩散较完全，有较好的表面覆盖性。※但预热的温度有其限制，高的建度温度使得金属与硅之接触电阻升高，也使得金属突起（Hillock）变的严重，而让表面反射率变差，在金属闸产品，也发现温度不同会造成其临界电压的改变。
143 PRESSURE 压力 1. .定义：气体分子撞击反应室之器璧所产生之力量。气体分子越少、压力越低。反之气体分子越多、压力越高。·如压力<大气压力时，表示真空，其压力单位即为真空度。1大气压=1atm=760mmHg水银柱压力1Torr（扥）=1/760atm=1mmHg·如压力>大气压力时，即用单位面积所受的重量表示，如㎏/㎝2 或psi（1b（磅）/in2（吋））。一般电浆蚀刻机之压力为50millitorr～0.5Torr。一般使用之气瓶之压力约为 500psi～2000PSI。
144 REACTIVE ION ETCHING（R.I.E.） 活性离子蚀刻 1. 定义：在电浆蚀刻时，电浆里包含了活性原子、活性离子（正离子）及电子，当压力较低（小于100mT）且气体两端所加之电压购高时，活性离子即被迅速加速冲向电极上之芯片，而撞击晶面上暴露在电浆中的表层，将表层之原子击出，再与活性原子反应因而造成蚀刻，此类之蚀刻即称之为活性离子蚀刻。目前我们已有的 R.I.E蚀刻机台为8110、8130、8330等。
145 RECIPE 程序 PECIPE在字典的解释是医生的处方、厨师的食谱。在IC制程中则意指制程的程序。IC制造中各个步骤都有不同的要求：如温度要多少？某气体流量多少？反应室的压力多少？等等甚多的参数都是PECIPE内容的一部份。
146 REFLOW 回流回流是IC制造中医种特殊技术。做法是将磷或硼或两者合一，参入二氧化硅中（常用CVD方式）。之后将芯片推入高温炉管一段时间，该二氧化硅层（PSG BPSG或BSG）即会『流动』，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层『重新流动』之意。
147 REGISTRATION ERROR 注记差 1. 定义：IC芯片的两个层次之间，必须要正确地叠在一起，此二层次图案完全正确对准之差距，即称为Registration Error。
148 RELIABILITY 可靠性可靠性实在有很多方法来描述，但我们指针对两个观点来讨论。一般来说，可靠性就是客户对我们SMIC的产品，再他们使用一段很长的时间之后，仍能符合他们的信赖与期待。更精确的描述就是我们SMIC的产品在我们所要求的特殊环境的测试，经过一段很长的时间之后，仍能确保IC功能、函数的正常操作及称为可靠性合格产品。测试的项目很多，半总离不开电压、温度、湿度、机械应力及压力等。
149 REPEAT DEFECT 重复性缺点 1. 定义：重复性缺点系指同一芯片内每一个曝光区的相同位置均出现相同之缺点。重复性缺点仅发生于Stepper曝光之产品。重复性缺点所产生的现象可分为两种：A.光罩图案缺失：造成芯片图案缺失。B.光罩表面或Pellicle表面污染：造成重复性显影不良。重复性缺点对产品良率有很大的杀伤力，例如一个曝光区内有八个晶方，若有一个晶方图案有缺失，就会造成产品良率1/8之损失。因此重复性缺点是VLSI的头号杀手
150 RESISTIVITY 阻值 1. 定义：物理学上定义阻值（Ω，即欧姆）为R=△V/I在物体两截面上通以定电流V，量得电压降△V，则 △V/I即为这物体的阻值。但在半导体工业上，这样地易阻值并无太大实用价值。我们只关心芯片表面薄薄一层“动作区”的阻值。于是另外定义一“薄层阻值 ”，以四点针测的方法量取△V及I。Rs=△V/I（Ω/□）定义为芯片的阻值。
151 RESOLUTION 解析力 1. 定义：解析力在IC制程的对准及印刷（Align & Print）过程中站着相当重要的地位，尤其演进到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是对光学系统（如对准机、显微镜、望远镜等）好坏的评估标准之一，现今多以法国人雷莱（Rayleigh）所制定的标准遵循之。物面上两光点经光学系统头于成像面上不会模糊到只被看成一点时，物面上两点间之最短距离。若此距离越小，则解析力越大。（通常镜面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳时，例如对准机对焦不清时，就会造成CD控制不良，Metal 桥接，Contact瞎窗或开窗过大等。
152 RETICLE 光罩 为使IC各个线路在芯片上成形（PATTERN），则必须有规范露光及遮光区域（规范曝光成形）的赵子，此称为光罩。
153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /报废/签过修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：将光阻去除，重新上新光阻，已定义新的或精确的图形。AEI修改：将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除，重新沉积或氧化。报废：芯片受污染或流程不合规范上之规定，造成芯片有无良率之可能，则停止流程不继续生产谓之。签过：当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内之规定，但其影响不致使芯片达报废之程度，可由工程师签署，继续流程。
154 RUN IN/OUT 挤进/挤出 1. 定义：对准不良的一种；挤进（Run in）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近对准良好，而两边图案向中央挤进。挤出（Run out）：不管是在水平或垂直方向，芯片中央附近对准良好， 而两边图案向中央挤出。
155 SCRUBBER 刷洗机 1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面，此种P/D可刷洗去除，避免对良率的伤害。2. 依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5种不同刷洗方式：- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗
156 SAD（SOFTWARE DEFECT ANALYSIS） 缺陷分析软件将每片晶圆及芯片上的缺陷送入计算机中，利用缺陷分析软件，将缺陷分类，一便利统计及分析的工作。目前89%微缩型产品分类如下：SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL目前HYDRA产品分类如下：SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR（以上均为分类时使用之表示名称）
157 SEM（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE） 电子显微镜 EM最常用之运作方式为发射电子束方式（EMISSIVE MODE），电子油灯丝放出，而由5~30KV之电压加速，再经过电磁透镜使电子束聚集照射至试片表面。一般使通过扫描线圈之电流同时通过相对应之阴极射线管偏折电子束，而在萤光幕上产生相似而较大之扫描动作，达到放大之作用。扫描式电子显微镜的解像能介于光学显微镜与穿透式电子显微镜之间，可用于检验固体试片，由于视野纵深长，可显示清晰三度空间像。
158 SELECTIVITY 选择性 1. 定义：两种材料，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻，其两种蚀刻率之比值谓之。例如复晶电浆蚀刻：对复晶之蚀刻率为2000?/min对氧化层之蚀刻率为 200 ?/min则复晶对氧化层之选择性：SS=2000?/min/200 ?/min=10选择性越高表示蚀刻特性越好。一般干事实刻选择性较化学湿蚀刻为差，吾人取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层，而不会商道上层光阻或下层氧化层，以确保蚀刻之完整性。
159 SILICIDE 硅化物一般称为硅化物（Silicide），指耐火金属（Refratory Metal）之硅化物，如钛（Ti）、钨（W）、钼（Mo）等与元素硅（Si）结合而成之化合物（TiSi2、Wsi2、MoSi2）。硅化物应用在组件之目的，主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联之阻抗，以增加组件之性能。以钛之硅化物为例。
160 SILICIDE 金属硅化物 1. 定义：Silicide通常指金属硅化物，为金属与硅之化合物。2. 目的：在微电子工业硅晶集成电路中主要用为2-1导体接触（Ohmic Contact）2-2单向能阻接触（Schottky Barrier Contact）2-3低阻闸极（Gate Electrode）2-4组件间通路（Interconnect）在VLSI（超大规模集成电路）时代中，接面深度及接口接触面积分别降至次微米及 1～2平方毫米，以往广泛应用为金属接触的Al，由于严重的川入半导体问题，在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日亦受到重视。由于集成电路中之金属硅化物限于近贵重（Pt，Pd、Co、Ni、…）及高温金属（Ti、W、Mo、Ta）硅化物。
161 SILICON 硅硅－SI（全文SILICON）为自然界元素之一种，意即我们所使用的硅芯片组成元素，再元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在（重复性单位细胞组成），每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成之四面体（称为钻石结构）如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近之原子其原型或其价件之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间（故称为半导体材料），人类可经由温度之变化、能量之激发及杂质参入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。
162 SILICON NITRIDE 氯化硅氮化硅是SixNY的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质较差，但因其沉积时温度甚低可以作IC完成主结构后的保护层。
163 SMS （SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS） 半导体制造系统 此SMS – 半导体制造系统为德州仪器公司（TI）为辅助半导体的生产制造而发展出的——计算机软件系统，其主要功能包含有：1） 制程变更控制2）制程数据搜集与统计图表3） 制程与操作规格制定4） 机台维护追踪5） 生产计划制定6） 线上统计报表7） 在制品操作与追踪8） 自动化系统接口
164 SOFT WARE, HARD WARE 软件 ,硬件 1. 定义：大略而言，所谓硬件可泛指像PC-BOARD，机台外壳等一些零组件；而软件一般指运用程序，指令一套完整之控制系统，可经由程序、指令之修改而修改，以人为例子，软件就好比脑中之记忆、思想，可控制整个身体各部分之动作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，可知道软件、硬件是相辅相成，缺一不可。近来尚有一种介于Software、Hardware之间，称为Firm-Ware，他的功用，，就相当于把软件写入硬件(比如 PROM)，以加快速度，因此软、硬件间的区分也变得较不明显了。
165 S.O.G.（SPIN ON GLASS） 旋制氧化硅旋制氧化硅（Spin on Glass）是利用旋制芯片，将含有硅化物之溶液均匀地平涂与芯片上，在利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化程稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如下：旋转平涂→加热烧烤→高温硬化（~450℃）旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间之平坦化（Planization）。以增加层与层之间的结合特性，避免空洞之形成及膜之剥裂。
166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE） 缩小型J形脚包装IC 因外脚弯成“J”字形，且外伸长度较一般I.C.为小儿得名。是记忆I.C.的普遍化包装形态，为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。
167 SOLVENT 溶剂 1. 两种物质相互溶解成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质被称为溶剂。例如：堂溶解于水中，变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，缓和的结果称为溶液。2. 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种： 2-1有机溶剂：分子内含有碳原子的称为有机溶剂，例如丙酮（CH3COCH3）、IPA（CH3CHOHCH3）。2-2无机溶剂：分子内不含有碳原子的称为无机溶剂，例如硫酸（H2SO4），氢氟酸（HF）3. 在FIB内所通称的溶剂，一般是只有机溶液而言。
168 SPECIFICATION（SPEC） 规范规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试…等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚并确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，已达自主管理及全员参与标准化之目的。
169 SPICE PARAMETER SPIC参数 1. 定义：SPICE是一个分析非线性DC、非线性瞬间AC和线性AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之，有DIODES、 BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等，利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称「SPICE参数」。目前由于公司使用之模式为HSPICE Level 2，故一般常说之SPICE参数，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的参数。
170 S.R.A（SPREADING RESISTENCE ANALYSIS） 展布电阻分析在下列一些情况，可利用S.R.A.方法来得到其Resisitivity：(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在测量Resistivity的方式有很多，但若要降低校正，则一定要使用到Point-Contact Probe的展布电阻。
171 SPUTTERING 溅镀溅镀乃是带能量的离子撞击物体，致使表面的原子飞散出来，附着于基板上形成薄膜之现象。当所加电流为直流时，称为直流溅镀（D.C SPUTTERING）：所加电流为射频时，称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING）。基于经济及效率观点，氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子，此时电子数目增加并且同时受电场再加速，以便再次进行游离反应，如此不去如同雪崩（AVALANCHE）一样产生辉光放电（GLOW DIS CHARGE），氩气离子受阴极（靶材）吸引，加速碰撞靶材，将表面原子打出而吸附在基本上。由于溅镀有薄膜厚度容易控制、组织均匀、表面相当平滑等优点，因此被电子工业广泛地使用。
172 SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST）系统暂时性失效比率测试 Soft Error为所有发挥性组件之共有特性。对DRAM而言，每记忆细胞（Memory Cell）所存电荷（charge-to-sense）存在一刻开关的接面（junction），以空乏（depleted）的状态存在。当该细胞有高能粒子源（e.g. α-particle From molding compound），使所存电荷消失或减少到无法侦测时，该细胞便暂时消失。
173 STEP COVERAGE 阶梯覆盖 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各层次间各项薄膜、沉积材料等，当覆盖、跨越过底下层次时，由于底下层次高低起伏不一及有线条粗细变化，会造成此薄膜、沉积材料在产品部分区域（如高低起伏交界处）覆盖度会变差，此变差的程度，即为『STEP COVERAGE』一般系以厚度变化比表示： STEP COVERAGE =厚度最薄处/厚度 最厚处此比例越接近1越佳，反之越差，正常言均应达50﹪以上。
174 STEPPER 步进式对准机 1. 定义：Stepper（步进式对准机）系Stepprojection aligner 之简称。Stepper与Project aligner原理类似，只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。Stepper使用自动对准，不但迅速、精确，且可使用计算机计算、补偿。对准方式可分为Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良（如Run in/Run out）。Stepper亦可按缩影比例，分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例，光罩上一条5u之直线，曝在芯片上，仅1μ而已。
175 SURFACE STATES 表面状态 1.定义：表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷，也叫做Interface States。形成表面状态的原因，是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时，有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素：氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在｛111｝表面，良好的氧化步骤下，其表面状态密度约为5×10 10 charges/㎝2（i.e.Qs s＝5×1010q）。而对于｛100｝的表面状态密度约为｛111｝表面的1/3。
176 SWR（SPECIAL WORK REQUEST） SWR为特殊工作要求单。生产线为了区划正常流程芯片和工程实验芯片，将工程师依规定申请实验的芯片批称为SWR Lot，通常SWR Lot是用来解决制程问题，或评估新机器、制程而试作的芯片。
177 TARGET 靶 一般用在金属溅镀（SPUTTERING）也就是以某种材料致造成各种形状，因此『靶』当作金属薄膜溅镀之来源。
178 TDDB（TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN） 介电质层崩贵的时间依存性利用介电质崩溃时间（Time to Breakdown）TBD与外加电场（电压）的线性模型，作加速测试（Accelerated Test），对产品（介电质）寿命（Life Time）作一估算。TBD α e – β Eox ……….(1)AF = e – β (Eext – Eop) ……(2)Life Time = T-50 * AF …(3)
179 TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE） 临时性制程变更通知 随时工程变更通知（ECN）为工程师为了广泛收集资料，或暂时解决制程问题，而做的制程变更，此一临时性的变更将注明有效期限，以利生产作业。
180 TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE） 四乙基氧化硅 1. 化学式：Si (OC2 H5)4，与常温下伟业体态。2. 用途：与经化学反应后，可生成一层二氧化硅，在IC里通常被当作绝缘层使用。3. 反应方式：- 高温低压分解反应- 高温加入触某媒分解反应- 电浆促进分解反应
181 THRESHOLD VILTAGE 临界电压定义：当我们在MOS晶体管之源极（Source）和汲极（Drain）加一个固定偏压后，再开始调整闸极（Gate）对基质（Substrate）的电压，当闸极电压超过某一个值之后，源极和汲极就会产生电流而导通，则我们就称此时的闸极电压称为临界电压（Threshold Voltage）。NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二：A闸极氧化层厚度：Gate Oxide越厚，则VT（绝对值）越高。B基质渗杂的浓度：VT值入Dose越高，则VT越高。
182 THROUGH PUT 产量 1. 定义：Through Put为单位工时之产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through Put为100片/每小时。如果每天运作21小时，则每天的Through Put为2100片/天。IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through Put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量：如流程安排、故障排除、…等，亦即必须“人机一体 ”才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力。
183 TMP（TI MEMORY PROTOTYPE，TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT） TI 记忆产品样品（原型），TI内存标准产品 在TI的产品出货控制（Productor Outgoing Control）中，以Qualification（资格审定）为期里程碑：(1) Qual以前：均为TMP产品。(2) Qual以后：分为TMS-A，TMS-B，TMS-C及Special，其可靠度保证。
184 TOX 氧化层厚度 TOX系THICKNESS OF OXIDE之缩写，即一般所谓氧化层厚度。通常于氮化硅蚀刻、复晶及接触窗蚀刻完，均需作TOX之测量。藉以确认该层次蚀刻完是否有过蚀刻或蚀刻不足之现象。
185 TROUBLE SHOOTING 故障排除 1. 定义：在生产过程，因为4M ，即设备、材料、人为、方法等，造成之一切问题而阻碍生产，例如：机器当机、制程异常…等。工程人员解决以上发生的问题，使这些“障碍”消弭于无形谓之 Trouble Shooting，故障排除。
186 UNDERCUT 底切度 1. 定义：所谓“底切度”（Undercut），乃是蚀刻时的专用术语，简单的说，Undercut便是原来所定义出来的图形间偏离度的大小。对于等向性蚀刻（Isotropic Etching）Undercut较大，而对于完全非等向性蚀刻（Full Anisotropic Etching），其Undercut等于零，亦即能忠实地将原图形复制出来。
187 UNIFORMITY 均匀度 1. 定义：均匀度Uniformity是一种测量值的平均分布。藉以表示芯片内各测量点的数值或是芯片与芯片间其测量值的变化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，线宽（C.D）在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下：如测量芯片内上中下左右与5点数据，5点平均值。Ｘ＝X1＋X2+X3+X4+X5/5均匀度Uniformity＝X m a x－X m 1m/2X×100﹪例如测量T0x厚度共五点分布如下：510、525、540、515、520?则均匀度＝540-510/2×522（平均值）×100﹪＝2.8﹪均匀度越小，表示各点变化越小。亦即表示芯片制程品质较佳，也是制程能力越好的表现
188 VACUUM 真空 1. 定义：真空系针对大气而言一特定空间内的部分气体被排出，其大气小于一大气压。表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为一大气压，也可表示为 760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中将真空一压力大小分为四个区域：A粗略真空（Rough Vacuum）B中度真空（Medium Vacuum）C高真空（High Vacuum）D超高真空（Ultra- High Vacuum）2. 方法：在不同真空，气体流动的形式与传导性等均有所差异，，简略而言：在粗略真空气体的流动称之为黏滞流（Viscous Flow）。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性；在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流（Molecular Flow），其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面：中度真空之压力范围其与压力成正比关系，粗略真空与高真空区域则无此关系。
189 VACUUM PUMP 真空帮浦凡能将特定空间内的气体去除以减低气体分子数目，造成某种程度只真空状态的机件，通称为真空帮浦。目前生产机台所使用的真空帮浦可分为抽吸式：旋片帮浦（ROTARY PUMP）、鲁是帮浦（ROOTS PUMP），活塞帮浦（PISTON PUMP）、扩散帮浦（DIFFUSION PUMP）。储气式：冷冻帮浦（CRYO PUMP）、离子帮浦（ION PUMP）。
190 VERNIER 游标尺 1. 定义：用来读取曝光制程中，本层次与前面层次之对准情形是否良好。目前公司所用之游标尺，在读取之分辨率上可分为每格0.2μ及每格0.1μ者。目前只用在步进式对准机中以得到更佳之分辨率。游标尺之设计因人而异，因此在读取时是否方便、容易，端赖设计上之是否周详。
191 VIA CONTACT 连接窗 『VIA CONTACT』连接窗，系指相同两层材质之间，如POLY（一）与POLY（二）之间，METAL（一）与METAL（二）之间欲直接相联系时，必须在制程上挖出下层（如POLY（一），METAL（一）），窗来，让上层（如POLY（二），METAL（二）能与下层相通）此窗即为连接窗，一般此做法系为节省晶方面积而设计，但因多了一层的关系，制程上会较复杂，我们DOUBLE METAL或DOUBLE POLY 制程即为一例。
192 VISCOSITY 黏度『粘度』一词专用于液体，意指当液体接受切应力时（指作用力方向与液体表面不垂直），液体就会产生变形，所以便定义『粘度』来表示液体产生变形程度的大小。粘度是可以调整的，因为液体受切应力而变形是巨观行为的表现，所以在液体完全兼容前提下，可以加入不同粘度的溶剂来调整粘度。
193 VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW） 垂直流层 在流体的流动状态中，可分为层流（Laminar Flow）及齐流（Turbulent Flow）两种。一名叫Osborne Reynold的人利用一简易的实验将其界定，而雷诺数即为层流及齐流的界定值。一般流体流速较快者其流线（streamiline）分子易受干扰，且雷诺数大易形成齐流 ，反之，则易形成层流。（雷诺数 = 惯性力 / 粘滞力）在无尘室芯片制造场所内，其气流为稳定之层流，如此可将人员、机台等所产生之微尘带离。若为齐流，则微尘将滞留不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以尽量不使空气流线产生齐流为原则。
194 WELL/TANK 井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET（即金氧半场效晶体管），常作两型（N及P）相接的方式，即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET，就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。
195 WLRC（WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL） 晶圆层次（厂内）可靠度控制 WLRC是取代“End-of-line-reliability”的一种全新的可靠度监控方式，主要分为物性（In-line Scrap），如厚度、材料、应力、接触窗覆盖率；另有电性（成品Scrap），如TDDB，CHC EM Stress等。兹比较如下： Charactoristic 1. 回馈（Feedback）时间2. 真正原因的回馈性3. Wafer Level Qual与Design-in-Reliability的应用4. 产品报废5. 加速系数及准确性WLRC1. 快，使产品损失减到最低2. 良好，能马上找出问题所在3. 卓越4. 较多5. 高，较差End-OF-Line-Reliability1. 慢，出问题时已大量产品被影响2. 困难，因包装后产品的Data Association（资料联结性）已破坏，不易找出真正原因。3. 困难4. 少5. 低，高
196 WLQC（WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ） 晶圆层次（厂内）品质控制先定义：客户眼中的品质：产品有问题，就是品质不良我们眼中的品质：出厂前看得到，量得到的问题，才是品质（Quality）我们眼中的可靠度：出厂前看不到，又不能直接量得到的问题，在客户手中欲发生问题，是可靠度（Reliability）所以，WLQC是针对一切厂内可直接测之（time-zero measurement），对品质有所影响的参数进行筛选及分类。对外，使出货品质分布集中、均匀（假设某可靠特性不变）。对内，回馈厂内，增进制造品质。
197 X-RAY LITHOGRAPHY X光微影技术 1. 定义：在次微米微影成像技术中，X-射线微影技术备受瞩目。由于X-射线之波长甚短（约4~10?），故可得甚佳之解析力，同时亦无干涉及绕射现象，因此可制作次微米线宽之IC图案。这种以X-射线为曝光光源之微影技术目前仍在开发中。由于X-射线穿透力甚强，，其光照图案不再是铬膜，而是一般大都为“金 ”。
198 YELLOW ROOM 黄光室 黄光室（Yellow Room）就是所有光源（照明用）均为黄色光波波长者之区域。由于IC晶方内之图案均有赖光阻剂（Photo resist）覆盖在芯片上，再经曝光，显影而定型；而此光阻剂遇光线照射，尤其是紫外线（UV）即有曝光之效果，因此在显影完毕以前之生产，均宜远离此类光源。黄光之光波较长，使光阻剂曝光之效果很低，因此乃作为显影前之照明光源。
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